19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 4937.3-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检 现行
    译:GB/T 4937.3-2012 Semiconductor devices—Mechanical and climatic tests methods—Part 3:External visual examination
    适用范围:GB/T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验,适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2012-11-05 | 实施时间: 2013-02-15
  • GB/T 4937.4-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST) 现行
    译:GB/T 4937.4-2012 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 4:Damp heat,steady state,highly accelerated stress test(HAST)
    适用范围:GB/T 4937的本部分规定了强加速稳态湿热试验(HAST)方法,用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2012-11-05 | 实施时间: 2013-02-15
  • JB/T 11050-2010 交流固态继电器 现行
    译:JB/T 11050-2010 AC Solid State Relay
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :K46电力半导体器件、部件
    发布单位或类别:(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间: 2010-02-21 | 实施时间: 2010-07-01
  • DB12/T 413-2009 LED密排管测试方法 废止
    译:DB12/T 413-2009
    适用范围:本标准适用于额定电压250v以下的、户内和户外广告牌匾及建筑物装饰等类似场所使用的照明装饰LED密排管。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :K70/79电气照明
    发布单位或类别:(CN-DB12)天津市地方标准 | 发布时间: 2009-08-21 | 实施时间: 2009-12-01
  • GB/T 20870.1-2007 半导体器件 第16-1部分:微波集成电路 放大器 现行
    译:GB/T 20870.1-2007 Semiconductor devices—Part 16-1:Microwave integrated circuits—Amplifiers
    适用范围:本部分规定了微波集成电路放大器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2007-02-09 | 实施时间: 2007-09-01
  • GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件 现行
    译:GB/T 20516-2006 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4:Microwave devices
    适用范围:本标准给出了以下门类分立器件的标准: ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管(用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等) ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管(用于谐波发生器、放大器等) ——体效应二极管(用于振荡器、放大器等) ——双极型晶体管(用于放大器、振荡器等) ——场效应晶体管(用于放大器、振荡器等)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-10-10 | 实施时间: 2007-02-01
  • GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范 现行
    译:GB/T 4589.1-2006 Semiconductor devices—Part 10:Generic specification for discrete devices and integrated circuits
    适用范围:本规范构成国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)的一部分。 本规范是半导体器件(分立器件和集成电路,包括多片集成电路,但不包括混合电路)的总规范。 本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序,并给出了下述方面的总原则: ——电特性测试方法; ——气候和机械试验; ——耐久性试验。 注:当存在已批准的、适用于特定的一种或几种器件类型的分规范、族规范和空白详细规范时,必须用这些规范来补充本规范
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-10-10 | 实施时间: 2007-02-01
  • GB/T 20521-2006 半导体器件 第14-1部分:半导体传感器——总则和分类 现行
    译:GB/T 20521-2006 Semiconductor devices—Part 14-1:Semiconductor sensors—General and classification
    适用范围:本标准描述了有关传感器规范的基本条款,这些条款适用于由半导体材料制造的传感器,也适用于由其他材料(例如绝缘或铁电材料)所制造的传感器。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-08-23 | 实施时间: 2007-02-01
  • GB/T 20522-2006 半导体器件 第14-3部分:半导体传感器——压力传感器 现行
    译:GB/T 20522-2006 Semiconductor devices—Part 14-3:Semiconductor sensors—Pressure sensors
    适用范围:本标准规定了测量绝压、表压和差压的半导体传感器的要求。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-08-23 | 实施时间: 2007-02-01
  • GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号 现行
    译:GB/T 11499-2001 Letter symbols for discrete semiconductor devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2001-11-05 | 实施时间: 2002-06-01
  • GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范 现行
    译:GB/T 12560-1999 Semiconductor devices Sectional specification for discrete devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1999-08-02 | 实施时间: 2000-03-01
  • GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则 现行
    译:GB/T 17573-1998 Semiconductor devices Discrete devices and integrated circuits Part 1:General
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1998-11-17 | 实施时间: 1999-06-01
  • GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法 被代替
    译:GB/T 14844-1993 Designations of semiconductor materials
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-12-24 | 实施时间: 1994-09-01
  • GB/T 14264-1993 半导体材料术语 被代替
    译:GB/T 14264-1993 Semiconductor materials—Terms and definitions
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-03-12 | 实施时间: 1993-12-01
  • JB/T 5630-1991 半导体器件扩散炉能耗分等 废止
    译:JB/T 5630-1991 The energy consumption of semiconductor device diffusion furnaces is classified into different levels
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :J01技术管理
    发布单位或类别:(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间: 1991-09-13 | 实施时间: 1992-07-01
  • JB/T 5631-1991 半导体器件外延炉能耗标准 废止
    译:JB/T 5631-1991 Semiconductor device epitaxial furnace energy consumption standard
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :J01技术管理
    发布单位或类别:(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间: 1991-09-13 | 实施时间: 1992-07-01
  • SJ/T 10053-1991 3DD313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管 现行
    译:SJ/T 10053-1991 Detail specification for electronic components--Silicon NPN case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3DD313
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1991-04-08 | 实施时间: 1991-07-01
  • SJ/T 10052-1991 3CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管 现行
    译:SJ/T 10052-1991 Detail specification for electronic components--Silicon PNP case rated bipolar transistor for low-frequency amplification for Type 3CD507
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 1991-04-08 | 实施时间: 1991-07-01
  • T/CAQI 447-2026 氮化镓融合型电子产品性能及安全通用要求 现行
    译:T/CAQI 447-2026 Nitride semiconductor fusion type electronic products performance and safety general requirements
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: - | 实施时间: -