适用范围：本文件描述了随时间的推移，偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作，主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼，可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。

适用范围：本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。 本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了术语和定义、仪器设备、程序、故障判断、安全要求。本文件适用于车规功率器件可靠性测试标准

适用范围：主要技术内容:本文件规定了多视点光场显示器的单目立体视觉的测量方法

适用范围：范围:本文件规定了1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器的术语和定义、缩略语、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。 本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动器（以下简称“驱动器”）; 主要技术内容:3.1开通延时  opening delay驱动器输入PWM信号上升沿10%传输至门极输出信号上升沿10%所需的时间。3.2关断延时  turn-off delay驱动器输入PWM信号下降沿90%传输至门极输出信号下降沿90%所需的时间。3.3上升时间  rise time驱动器门极输出信号的门极关断电压（-15 V/-8 V）的10%至门极开通电压（+15 V)的90%的时间量。3.4下降时间  descending time驱动器门极输出信号的门极开通电压（+15  V）的90%至门极关断电压（-15 V/-8 V）的10%的时间量。3.5故障信号保持时间  fault signal holding time发生故障以后，驱动器故障输出端的输出信号的保持时间。3.6空载电流  no load current在额定电源电压且每路驱动输出在空载条件下的电源电流。3.7工作电流  operating current在额定电源电压且每路驱动输出达到满载条件下的电源电流。3.8VCE短路保护响应时间  VCE short-circuit protection response time功率器件IGBT短路发生到驱动器执行关断的时间。3.9阻断时间  blocking time驱动器从SOx报出故障时刻开始封锁门极电压输出到能够响应上位机PWM信号的时间。4缩略语下列缩略语适用于本文件：IGBT：绝缘栅双极型晶体管；PWM：脉冲宽度调制；LCR：测试电感、电阻、电容的数字电桥；DUT：被测绝缘栅双极型晶体管驱动器；VCE：集电极-发射极电压；VGE：栅极-发射极电压；SOx：故障状态输出端口。5绝缘参数驱动器低压侧与高压侧的绝缘参数应符合表1的要求。表1绝缘参数电压等级绝缘耐压测试时间漏电流限值最小电气间隙（mm）最小爬电距离（mm）基本绝缘加强绝缘基本绝缘加强绝缘1 200 V3 750 VRMS60 s2 mA368161 700 V5 000 VRM

适用范围：范围:本文件规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅基二极管构成的混合功率半导体模块 的术语、文字符号、基本额定值、特性以及测试方法; 主要技术内容:本标准针对由硅IGBT和碳化硅二极管组成的混合功率模块，参考GB/T 29332、IEC 60747-2和BS EN60747-15，以及国外主流功率半导体模块制造商产品的技术要求，同时结合混合模块的应用需求，对器件的术语、符号、基本额定值和特性以及测试方法进行详细规定和要求。并在在原有创新性的基础上，本次修订又创新性的提出了最高和最低允许工作结温的定义和测试方法，在国内尚属首次

适用范围：范围:本文件规定了应用于三相智能电表的氮化镓场效应晶体管（以下简称“GaN晶体管”）的术语和定义、符号和缩略语、技术要求、试验方法、检测规则以及包装、运输及储存。 本文件适用于三相智能电表用关态源漏电压V_DS额定值为900 V、系统输出功率范围20 W- 100 W、工作频率40 kHz- 500 kHz的氮化镓场效应晶体管。小型线路终端等应用领域电源模块中的晶体管可参考使用; 主要技术内容:本文件使用范围为三相智能电表及小型线路终端用氮化镓场效应晶体管。氮化镓具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗辐射能力等一系列优点，在电网中的三相智能电表及小型线路终端有广阔的应用前景。随着电网业务需求的不断扩展，新一代三相智能电表及小型线路终端的正在推广使用，且逐渐替代传统三相智能电表及小型线路终端，市场需求量巨大。相比传统三相智能电表及小型线路终端，新一代三相智能电表及小型线路终端内部的电源转换模组通过使用氮化镓材料开关器件替换传统的使用硅(Si)基材料开关器件，提高了电源转换效率，减少了电力消耗、降低了电源温度，获得了更好的稳定性，同时也在使用中节省更多的电力投入，在应用的场景中降低线损。然而由于材料、工艺、器件结构等相对不成熟，氮化镓器件尚处于产业化推广阶段。对于进一步提高击穿电压、降低导通电阻、提高器件安全可靠性，是将氮化镓功率器件应用于三相智能电表及小型线路终端的核心。目前，业内尚未针对在三相智能电表及小型线路终端使用氮化镓功率器件的标准。且因行业内各单位的测试仪器型号不同，抽样标准、测试条件、操作方法等条件也各有不同，使得产业内从业人员在使用氮化镓器件过程中，难以在较统一的条件下比较氮化镓性能。希望借此标准的制定，有效规范氮化镓器件在电网行业内的应用，推动氮化镓功率器件的产业化发展

适用范围：范围:本文件适用于耳温枪温度传感器; 主要技术内容:本文件规定了耳温枪温度传感器的术语和定义、工作环境、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：范围:本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品; 主要技术内容:本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：主要技术内容:本文件规定了二极管GPP沟槽清洗用混合酸的成分、纯度要求、浓度要求、配制比例、混合酸配制和使用要求等。本文件适用于采用二极管（包括整流二极管、快恢复功率二极管、可控硅、瞬态二极管、半导体放电管等）湿法腐蚀工艺清洗GPP沟槽的混合酸的配制

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法。 本文件仅适用于SiC MOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压V_sd作为测试温敏参数的结壳热阻测试; 主要技术内容:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进提供参考。因而，准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价及其应用具有重要意义

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。 本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiC MOSFET分立器件的功率循环试验; 主要技术内容:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiC MOSFET的功率循环试验是使器件重复承受通电升温和关断降温循环，以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界面退化。器件能否能承受规定应力条件下的功率循环次数是评估器件实际应用可靠性的重要手段。由于SiO2与SiC界面缺陷的俘获和释放机制，传统的Si MOSFET的功率循环试验方法会由于SiC MOSFET器件的阈值电压V_GS(th) 漂移导致结温等监测参数出现偏差，从而影响功率循环试验的准确性，本文件给出了适用于SiC MOSFET器件的功率循环试验方法

适用范围：范围:本规范规定了混合集成电路装调工技能等级分类情况、各级别申报条件、技能等级申请及评定的要求。 本规范适用于混合集成电路装调工的技能等级管理; 主要技术内容:根据电子信息生产制造企业对混合集成电路装调工技能水平的最新要求，本规范将混合集成电路装调工技能水平划分为初级、中级、高级、技师、高级技师五个等级，由低到高对不同等级混合集成电路装调工的工作内容、知识要点和技能要求进行了明确规定。本规范适用于混合集成电路装调工职业技能等级的考核与评估，对相关企业在混合集成电路装调工的聘用、职业培训和技能提升等方面具有参考价值

适用范围：本文件描述了逆导型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件(以下简称器件)的稳态热阻和瞬态热阻的电学法测试的基本原理和方法。 本文件适用于逆导型IGBT器件的热阻测试。

适用范围：本文件确立了使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验的方法与程序。 本文件适用于航空、地面等应用环境中半导体集成电路和半导体分立器件的中子单粒子效应敏感性检测试验。该环境下的中子来源于初始高能宇宙射线与大气的相互作用，主要为热中子和能量高于1 MeV的高能中子。 本文件适用的单粒子效应包括大气中子在半导体器件中引起的单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子功能中断、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅穿等。 本文件不适用于α粒子引起的单粒子效应。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了车规级智能功率模块（Intelligent power module）的测试认证要求。本文件适用于汽车应用的IPM的测试认证

适用范围：范围:本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体热导率的测试方法。 本方法适用于微纳米金属烧结体，不包括微纳米金属烧结件热导率的测定。 本方法测试的是样品在室温条件下的热导率值。 需注意的是，本方法适用于从样品正面到样品背面方向（即纵向方向）的热导率的测量，该方向与器件封装样品的传热方向相同; 主要技术内容:金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升，特别是微纳米金属烧结件的烧结层往往具有低电阻率、高导热性能，这也使其更加适合未来的高温度、高功率密度应用。热导率，又称导热系数或导热率，是表示材料热传导能力大小的物理量。作为材料的本征参数，热导率与材料大小和形状无直接关系，但受材料种类、制备工艺和微观结构的影响。对于微纳米金属烧结技术制备的连接层，采用不同材料和工艺，往往会造成微观下不同尺寸和数量的观孔隙结构，从而影响其导热性能。目前微纳米金属烧结连接技术尚属起步推广阶段，热导率测试方法业内尚无统一标准。通过行业调研发现，产业链中原材料提供商、研发单位、终端用户等各个环节使用的热导率测试方案和样品规格差异较大，这给从业者技术交流、样品验证和质量评定制造了极大困难。因此，有必要根据实际需求，尽快制定统一的热导率性能测试标准，统一行业术语，从而方便业内对微纳米金属烧结样品的测试评定。本文件采用了闪光法测定微纳米金属烧结体样品热扩散系数，再利用材料比热容、体积密度参数，由公式求出材料导热系数。闪光法测定热扩散系数测试方法由于其测定范围广、速度快、样品制备简易、适用多种气氛、操作简便等特点，目前已在各行各业广泛应用。材料比热容可通过查找参考资料获得，或使用比较法实验测得。材料体积密度可按照相关标准测定。本文件相较于GB/T 22588-2008，对样品规格、测试条件、测试步骤进行了详细约束

适用范围：范围:本文件规定了微纳米金属烧结连接件剪切强度的测试方法。 本文件适用于微纳米金属烧结连接件剪切强度的测定和失效模式判定（如果出现失效），用于微纳米金属材料的测试评价及相关领域的从业者; 主要技术内容:金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升。剪切强度作为微纳米金属烧结件主要的性能指标之一，其测试方法广受关注。因微纳米金属烧结技术尚属技术推广阶段，业内尚未针对使用该技术制备的烧结件制定专门的的剪切强度测试方法标准。传统焊料剪切强度较低，其测试方法标准和强度判定规则不再适用。同时，因行业内各单位的测试仪器型号不同，样品规格、测试条件、操作步骤等条件也各有不同，这使得产业内从业人员无法在统一的条件下比较微纳米金属烧结件的剪切强度性能。希望借此标准的制定，有效规范行业内测试方法，使得各测试参数可有效比对，助力微纳金属烧结技术的产业化发展

适用范围：主要技术内容:本文件规定了车规级半导体功率模块的测试认证要求。本文件适用于汽车应用的硅基和碳化硅基功率模块的测试认证