适用范围：范围:本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品; 主要技术内容:本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：主要技术内容:本文件规定了二极管GPP沟槽清洗用混合酸的成分、纯度要求、浓度要求、配制比例、混合酸配制和使用要求等。本文件适用于采用二极管（包括整流二极管、快恢复功率二极管、可控硅、瞬态二极管、半导体放电管等）湿法腐蚀工艺清洗GPP沟槽的混合酸的配制

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法。 本文件仅适用于SiC MOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压V_sd作为测试温敏参数的结壳热阻测试; 主要技术内容:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进提供参考。因而，准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价及其应用具有重要意义

适用范围：范围:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。 本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiC MOSFET分立器件的功率循环试验; 主要技术内容:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiC MOSFET的功率循环试验是使器件重复承受通电升温和关断降温循环，以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界面退化。器件能否能承受规定应力条件下的功率循环次数是评估器件实际应用可靠性的重要手段。由于SiO2与SiC界面缺陷的俘获和释放机制，传统的Si MOSFET的功率循环试验方法会由于SiC MOSFET器件的阈值电压V_GS(th) 漂移导致结温等监测参数出现偏差，从而影响功率循环试验的准确性，本文件给出了适用于SiC MOSFET器件的功率循环试验方法

适用范围：范围:本规范规定了混合集成电路装调工技能等级分类情况、各级别申报条件、技能等级申请及评定的要求。 本规范适用于混合集成电路装调工的技能等级管理; 主要技术内容:根据电子信息生产制造企业对混合集成电路装调工技能水平的最新要求，本规范将混合集成电路装调工技能水平划分为初级、中级、高级、技师、高级技师五个等级，由低到高对不同等级混合集成电路装调工的工作内容、知识要点和技能要求进行了明确规定。本规范适用于混合集成电路装调工职业技能等级的考核与评估，对相关企业在混合集成电路装调工的聘用、职业培训和技能提升等方面具有参考价值

适用范围：本文件确立了使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验的方法与程序。 本文件适用于航空、地面等应用环境中半导体集成电路和半导体分立器件的中子单粒子效应敏感性检测试验。该环境下的中子来源于初始高能宇宙射线与大气的相互作用，主要为热中子和能量高于1 MeV的高能中子。 本文件适用的单粒子效应包括大气中子在半导体器件中引起的单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子功能中断、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅穿等。 本文件不适用于α粒子引起的单粒子效应。

适用范围：本文件描述了逆导型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件(以下简称器件)的稳态热阻和瞬态热阻的电学法测试的基本原理和方法。 本文件适用于逆导型IGBT器件的热阻测试。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了车规级智能功率模块（Intelligent power module）的测试认证要求。本文件适用于汽车应用的IPM的测试认证

适用范围：范围:本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试方法。 本文件适用于第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测试评价；此烧结体不包含烧结件的被连接件（如芯片）、连接基体。 本方法适用于直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距4倍的微纳米金属烧结体圆形样品体积电阻率的测试，不适用于薄膜样品方块电阻的测试; 主要技术内容:金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升，特别是微纳米金属烧结件的烧结层往往具有低电阻率、高导热性能，这也使其更加适合未来的高温度、高功率密度应用。电阻率是表示材料导电能力的关键物理量。作为材料的本征参数，电阻率与材料大小和形状无直接关系，如银电阻率为1.65 ×10-6Ω?cm，铜电阻率为1.75 ×10-6Ω?cm。对于微纳米金属烧结技术制备的烧结体的电阻率，一般情况下是对应金属体材料电阻率的数倍；采用不同材料、不同工艺下的微纳米金属烧结体，往往会形成微观下不同尺寸、不同数量、不同致密度的孔隙结构，从而影响其电阻率性能。目前，新型的微纳米金属烧结技术尚属技术推广阶段，业内尚未对该技术制备的烧结体制定专门的电阻率测试方法标准。测试仪器品牌的不同，同时，样品规格、测试条件、测试步骤等的限定各有不同，这使得行业内无法高效可靠的对不同烧结膏体的电性能进行统一的比较。因此，有必要根据实际需求，尽快制定相应关键性能参数的术语标准和测试标准。本文件采用了与T/CASA020《微纳米金属烧结体热导率试验方法：闪光法》统一尺寸的样品，并以凯尔文电桥原理的四探针法测定，避免测量中引线电阻、接触电阻的干扰，以保证微纳金属烧结体的小电阻率测量值情况下的准确性、可对比性

适用范围：范围:本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体热导率的测试方法。 本方法适用于微纳米金属烧结体，不包括微纳米金属烧结件热导率的测定。 本方法测试的是样品在室温条件下的热导率值。 需注意的是，本方法适用于从样品正面到样品背面方向（即纵向方向）的热导率的测量，该方向与器件封装样品的传热方向相同; 主要技术内容:金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升，特别是微纳米金属烧结件的烧结层往往具有低电阻率、高导热性能，这也使其更加适合未来的高温度、高功率密度应用。热导率，又称导热系数或导热率，是表示材料热传导能力大小的物理量。作为材料的本征参数，热导率与材料大小和形状无直接关系，但受材料种类、制备工艺和微观结构的影响。对于微纳米金属烧结技术制备的连接层，采用不同材料和工艺，往往会造成微观下不同尺寸和数量的观孔隙结构，从而影响其导热性能。目前微纳米金属烧结连接技术尚属起步推广阶段，热导率测试方法业内尚无统一标准。通过行业调研发现，产业链中原材料提供商、研发单位、终端用户等各个环节使用的热导率测试方案和样品规格差异较大，这给从业者技术交流、样品验证和质量评定制造了极大困难。因此，有必要根据实际需求，尽快制定统一的热导率性能测试标准，统一行业术语，从而方便业内对微纳米金属烧结样品的测试评定。本文件采用了闪光法测定微纳米金属烧结体样品热扩散系数，再利用材料比热容、体积密度参数，由公式求出材料导热系数。闪光法测定热扩散系数测试方法由于其测定范围广、速度快、样品制备简易、适用多种气氛、操作简便等特点，目前已在各行各业广泛应用。材料比热容可通过查找参考资料获得，或使用比较法实验测得。材料体积密度可按照相关标准测定。本文件相较于GB/T 22588-2008，对样品规格、测试条件、测试步骤进行了详细约束

适用范围：主要技术内容:本文件规定了车规级半导体功率模块的测试认证要求。本文件适用于汽车应用的硅基和碳化硅基功率模块的测试认证

适用范围：范围:本文件规定了微纳米金属烧结连接件剪切强度的测试方法。 本文件适用于微纳米金属烧结连接件剪切强度的测定和失效模式判定（如果出现失效），用于微纳米金属材料的测试评价及相关领域的从业者; 主要技术内容:金属互连材料在半导体封装工业中占据关键地位。传统封装采用焊料合金互连，但其析出的金属间化合物导致互连层服役温度较低且脆性较高。作为最适合于第三代半导体模块封装的界面连接技术之一，以微纳米银、微纳米铜为代表的新型微纳米金属烧结互连技术具有组分单一、低工艺温度、高服役温度的优点，而且芯片连接件的可靠性也可以得到大幅提升。剪切强度作为微纳米金属烧结件主要的性能指标之一，其测试方法广受关注。因微纳米金属烧结技术尚属技术推广阶段，业内尚未针对使用该技术制备的烧结件制定专门的的剪切强度测试方法标准。传统焊料剪切强度较低，其测试方法标准和强度判定规则不再适用。同时，因行业内各单位的测试仪器型号不同，样品规格、测试条件、操作步骤等条件也各有不同，这使得产业内从业人员无法在统一的条件下比较微纳米金属烧结件的剪切强度性能。希望借此标准的制定，有效规范行业内测试方法，使得各测试参数可有效比对，助力微纳金属烧结技术的产业化发展

适用范围：范围:本文件规定了车规级半导体功率器件的测试认证要求。 本文件适用于汽车应用的硅基和碳化硅基半导体功率器件的测试认证; 主要技术内容:本文件规定了车规级半导体功率器件的测试认证要求。本文件适用于汽车应用的硅基和碳化硅基半导体功率器件的测试认证

适用范围：范围:本文件规定了压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验的试验电路、设备要求、试验条件、试验步骤、接收判据等要求。 本文件适用于电网电力电子装置用压接型IGBT模块，其他新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此文件; 主要技术内容:本标准适用于电网用电力电子装置用的压接型IGBT模块，其它新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此标准。本标准介绍了压接型IGBT模块高温反偏试验的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、设备要求、试验流程、冷却、测试以及失效标准等技术内容。本标准考虑到了压接型IGBT模块的特殊性，对检测方法和设备要求进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决常规测试耗时较长、测试成本高，检测效率低等问题，对压接型IGBT模块的广泛应用提供了基础保障。主要内容如下：前言1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 符号和缩略语5 试验电路6 设备要求7 试验条件8 试验步骤9 失效判据10 试验时间认定11 试验报告

适用范围：范围:本文件规定了柔性直流输电用IGBT模块应用可靠性的试验项目、试验条件以及试验方法等技术要求。 本文件适用于柔性直流换流阀和高压直流断路器用压接型与焊接型IGBT模块的生产、检验、交付使用; 主要技术内容:本标准适用于柔性直流输电用IGBT模块，其它新型IGBT器件如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等器件也可参照此标准。本标准介绍了柔性直流输电用IGBT模块应用可靠性试验规范的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、试验项目、试验、接收判据等技术内容。本标准考虑了柔性直流输电用IGBT模块工况的特殊性，对试验条件与程序进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决IGBT模块通过实际运行检验性能的周期长、风险大、成本高等问题，为柔性直流输电用IGBT模块的应用可靠性试验提供了技术指导。主要内容如下：前言1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 符号和缩略语5 试验项目6 试验6.1 长时间双脉冲试验6.2 重复安全工作区试验6.3 二极管多周波浪涌电流试验6.4 IGBT饱和区浪涌电流试验7 接收判据

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电动汽车用功率半导体器件可靠性试验前的功能性检查要求，可靠性试验要求和试验方法。本文件还给出了车用宽禁带半导体器件，如碳化硅基场效应晶体管器件的特殊试验要求。本文件适用于功率半导体器件（分立器件或模块），包括但不限于绝缘栅双极晶体管（IGBT）、金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和二极管器件。本文件可为电动汽车用功率半导体器件的可靠性型式试验及可靠性的设计与检验提供指南

适用范围：范围:本文件适用于驱动电流大于1A，具有内置或外置隔离的供电通道和隔离的驱动信号传输通道，可以控制IGBT开关的隔离型IGBT驱动器; 主要技术内容:本文件涉及IGBT驱动器的技术术语定义、关键技术指标规范、主要技术指标的试验方法等内容

适用范围：主要技术内容:本文件规定了二极管扩散片硼扩散液态源配方的术语和定义、试剂和材料、仪器和设备、三氧化二硼/乙二醇乙醚溶液配制、硝酸铝/乙二醇乙醚溶液配制和硼扩散液态源配制等内容。本文件适用于二极管扩散片硼扩散液态源的配制

适用范围：适用于二极管1 Hz～300 kHz 频率范围内的噪声参数的测试

适用范围：适用于光电耦合器件1 Hz～300 kHz 频率范围内噪声参数的测试