T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率循环试验方法
T/CASAS 015-2022 Power cycle test method for silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (SiC MOSFET)
基本信息
发布历史
-
2022年07月
研制信息
- 起草单位:
- 工业和信息化部电子第五研究所、江苏宏微科技股份有限公司、国网智能电网研究院有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、中国电子科技集团集团第五十五研究所、比亚迪半导体股份有限公司、深圳基本半导体有限公司、中国航天科技集团公司第八研究院第八0八研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、西安交通大学、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 起草人:
- 陈媛、贺致远、来萍、路国光、姚天保、李金元、李尧圣、谢峰、成年斌、陈义强、黄云、刘奥、刘昌、徐新兵、吴海平、唐宏浩、刘伟鑫、李巍巍、王来利、乔良、徐瑞鹏
- 出版信息:
- 页数:11页 | 字数:- | 开本: -
内容描述
ICS31.080
L40/49
团体标准
T/CASAS015—2022
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
(SiCMOSFET)功率循环试验方法
Powercyclingtestmethodforsiliconcarbidemetal-
oxide-semiconductorfield-effect-transistor(SiCMOSFET)
版本:V01.00
2022-07-18发布2022-07-18实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟发布
T/CASAS015—2022
目次
前言....................................................................................................................................................................III
引言....................................................................................................................................................................IV
1范围................................................................................................................................................................1
2规范性引用文件............................................................................................................................................1
3术语和定义....................................................................................................................................................1
4试验装置........................................................................................................................................................2
5试验步骤........................................................................................................................................................3
5.1试验方法.................................................................................................................................................3
5.2试验电路.................................................................................................................................................3
5.3试验夹具及安装.....................................................................................................................................4
5.4试验条件.................................................................................................................................................4
5.5试验设置.................................................................................................................................................5
5.6试验控制和测量.....................................................................................................................................5
5.7试验注意事项.........................................................................................................................................5
5.8终点测量.................................................................................................................................................5
6试验数据处理................................................................................................................................................6
7试验报告........................................................................................................................................................6
参考文献..............................................................................................................................................................7
I
T/CASAS015—2022
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)制定发布,版权归CASA所有,未经CASA许
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