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T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

T/CASAS 016-2022 The transient double-interface testing method for the thermal resistance of the junction and housing of silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFETs) is provided

团体标准 中文(简体) 现行 页数：11页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CASAS 016-2022
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
-
国际标准分类号（ICS）
31.080.01 半导体器分立件综合
发布日期
2022-07-18
实施日期
2022-07-18
发布单位/组织
-
归口单位
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围
范围:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法。 本文件仅适用于SiC MOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压V_sd作为测试温敏参数的结壳热阻测试; 主要技术内容:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进提供参考。因而，准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价及其应用具有重要意义

发布历史

文前页预览

T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法-第1页
T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法-第2页
T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法-第3页

研制信息

起草单位：
工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团第五十五研究所、南方电网科学研究院有限责任公司、国网智能电网研究院有限公司、西安交通大学、东南大学、山东大学、南京航空航天大学、深圳基本半导体有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人：
付志伟、侯波、周斌、陈思、杨晓锋、陈义强、陈媛、来萍、黄云、路国光、刘奥、郭怀新、李巍巍、李金元、李尧圣、王来利、刘斯扬、杨家跃、崔益军、唐宏浩、乔良、徐瑞鹏
出版信息：
页数：11页 | 字数：- | 开本： -

内容描述

ICS31.080

L40/49

团体标准

T/CASAS016—2022

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

Transientdualtestmethodforthemeasurementofthethermal

resistancejunctiontocaseofsiliconcarbidemetal-oxide-

semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）

版本：V01.00

2022-07-18发布2022-07-18实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS016—2022

目次

前言.......................................................................................................................................................................I

引言......................................................................................................................................................................II

1范围...................................................................................................................................................................1

2规范性引用文件...............................................................................................................................................1

3术语和定义.......................................................................................................................................................1

4仪器设备...........................................................................................................................................................2

5一般要求...........................................................................................................................................................2

5.1检测环境要求..........................................................................................................................................2

5.2检测人员要求..........................................................................................................................................2

6测试步骤...........................................................................................................................................................3

6.1测试原理..................................................................................................................................................3

6.2偏置电压测试..........................................................................................................................................3

6.3K线测试与标定........................................................................................................................................3

6.4结壳热阻测试..........................................................................................................................................4

6.5测试数据处理..........................................................................................................................................5

7热阻结果确定...................................................................................................................................................6

参考文献...............................................................................................................................................................7

I

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