适用范围：本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。注： 本文件不适用于IEC 606791规定的石英晶体振荡器。

适用范围：本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型（HBM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法，并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果，且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型（MM）测试方法（见IEC 6074927）或IEC 60749（所有部分）中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外，本测试方法为所选方法。

适用范围：本文件规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 031—2023《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》描述了氮化镓功放模块的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，本文件根据我国三大运营市场需求和入网测试指南，借鉴3GPP TS 37.104 V16.5.0等国际通信协议，并结合了近几年科研人员在氮化镓功放领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对氮化镓功放性能指标的测试方法进行了详细的规定

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 029—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》描述了Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的详细测试方法。本文件适用于共源组成方式的GaN 射频器件，其它组成方式仅供参考。制定Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的测试方法以及相关规范，对研发生产、性能评估、量产测试和应用评价等具有重要指导意义

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 028—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法》描述了Sub-6GHz GaN射频产品的可靠性筛选和验收方法和详细要求，对提升产品质量、系统可靠性及稳定性具有重要意义

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaN HEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaN HEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100 〖cm〗2?(V?s)～20000 〖cm〗2?(V?s)。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InP HEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》描述了GaN毫米波前端芯片的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，结合了近几年科研人员在毫米波氮化镓前端芯片领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对毫米波氮化镓前端芯片性能指标的测试方法进行了详细的规定，包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测试工具及仪表等

适用范围：本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。 本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰，模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。 注：除了本章增加的内容以及第2章和第4章增加了标题并重新编号外，本试验方法与IEC 60749（1996）第4章1.2的试验方法一致。

适用范围：本文件描述了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法。 本文件适用于评价塑封半导体器件和其他类型封装半导体器件的芯片金属化互连耐腐蚀能力。也可作为由于湿气通过钝化层渗透而导致漏电的加速方法，以及多种试验前的预处理方法。

适用范围：本文件描述了随时间的推移，偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作，主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼，可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。

适用范围：本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度，建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。本文件相对于人体模型ESD，用作一种可选的测试方法，目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果，以此进行准确分级。本文件适用于半导体器件，属于破坏性试验。半导体器件的ESD测试从本文件、人体模型(HBM见GB/T 4937.26)或GB/T 4937系列中的其他测试方法中选择。MM与HBM测试的结果相似但不完全相同。除另有规定外，HBM测试方法为所选方法。

适用范围：本文件适用于半导体器件（分立器件和集成电路），以下简称器件。 本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了术语和定义、仪器设备、程序、故障判断、安全要求。本文件适用于车规功率器件可靠性测试标准

适用范围：主要技术内容:本文件规定了多视点光场显示器的单目立体视觉的测量方法

适用范围：范围:本文件规定了1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管（IGBT）驱动器的术语和定义、缩略语、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及储存。 本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1 200 V和1 700 V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动器（以下简称“驱动器”）; 主要技术内容:3.1开通延时  opening delay驱动器输入PWM信号上升沿10%传输至门极输出信号上升沿10%所需的时间。3.2关断延时  turn-off delay驱动器输入PWM信号下降沿90%传输至门极输出信号下降沿90%所需的时间。3.3上升时间  rise time驱动器门极输出信号的门极关断电压（-15 V/-8 V）的10%至门极开通电压（+15 V)的90%的时间量。3.4下降时间  descending time驱动器门极输出信号的门极开通电压（+15  V）的90%至门极关断电压（-15 V/-8 V）的10%的时间量。3.5故障信号保持时间  fault signal holding time发生故障以后，驱动器故障输出端的输出信号的保持时间。3.6空载电流  no load current在额定电源电压且每路驱动输出在空载条件下的电源电流。3.7工作电流  operating current在额定电源电压且每路驱动输出达到满载条件下的电源电流。3.8VCE短路保护响应时间  VCE short-circuit protection response time功率器件IGBT短路发生到驱动器执行关断的时间。3.9阻断时间  blocking time驱动器从SOx报出故障时刻开始封锁门极电压输出到能够响应上位机PWM信号的时间。4缩略语下列缩略语适用于本文件：IGBT：绝缘栅双极型晶体管；PWM：脉冲宽度调制；LCR：测试电感、电阻、电容的数字电桥；DUT：被测绝缘栅双极型晶体管驱动器；VCE：集电极-发射极电压；VGE：栅极-发射极电压；SOx：故障状态输出端口。5绝缘参数驱动器低压侧与高压侧的绝缘参数应符合表1的要求。表1绝缘参数电压等级绝缘耐压测试时间漏电流限值最小电气间隙（mm）最小爬电距离（mm）基本绝缘加强绝缘基本绝缘加强绝缘1 200 V3 750 VRMS60 s2 mA368161 700 V5 000 VRM

适用范围：范围:本文件规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅基二极管构成的混合功率半导体模块 的术语、文字符号、基本额定值、特性以及测试方法; 主要技术内容:本标准针对由硅IGBT和碳化硅二极管组成的混合功率模块，参考GB/T 29332、IEC 60747-2和BS EN60747-15，以及国外主流功率半导体模块制造商产品的技术要求，同时结合混合模块的应用需求，对器件的术语、符号、基本额定值和特性以及测试方法进行详细规定和要求。并在在原有创新性的基础上，本次修订又创新性的提出了最高和最低允许工作结温的定义和测试方法，在国内尚属首次

适用范围：范围:本文件规定了应用于三相智能电表的氮化镓场效应晶体管（以下简称“GaN晶体管”）的术语和定义、符号和缩略语、技术要求、试验方法、检测规则以及包装、运输及储存。 本文件适用于三相智能电表用关态源漏电压V_DS额定值为900 V、系统输出功率范围20 W- 100 W、工作频率40 kHz- 500 kHz的氮化镓场效应晶体管。小型线路终端等应用领域电源模块中的晶体管可参考使用; 主要技术内容:本文件使用范围为三相智能电表及小型线路终端用氮化镓场效应晶体管。氮化镓具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗辐射能力等一系列优点，在电网中的三相智能电表及小型线路终端有广阔的应用前景。随着电网业务需求的不断扩展，新一代三相智能电表及小型线路终端的正在推广使用，且逐渐替代传统三相智能电表及小型线路终端，市场需求量巨大。相比传统三相智能电表及小型线路终端，新一代三相智能电表及小型线路终端内部的电源转换模组通过使用氮化镓材料开关器件替换传统的使用硅(Si)基材料开关器件，提高了电源转换效率，减少了电力消耗、降低了电源温度，获得了更好的稳定性，同时也在使用中节省更多的电力投入，在应用的场景中降低线损。然而由于材料、工艺、器件结构等相对不成熟，氮化镓器件尚处于产业化推广阶段。对于进一步提高击穿电压、降低导通电阻、提高器件安全可靠性，是将氮化镓功率器件应用于三相智能电表及小型线路终端的核心。目前，业内尚未针对在三相智能电表及小型线路终端使用氮化镓功率器件的标准。且因行业内各单位的测试仪器型号不同，抽样标准、测试条件、操作方法等条件也各有不同，使得产业内从业人员在使用氮化镓器件过程中，难以在较统一的条件下比较氮化镓性能。希望借此标准的制定，有效规范氮化镓器件在电网行业内的应用，推动氮化镓功率器件的产业化发展

适用范围：范围:本文件适用于耳温枪温度传感器; 主要技术内容:本文件规定了耳温枪温度传感器的术语和定义、工作环境、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存