适用范围：本文件界定了微波集成电路开关的术语和定义，规定了额定值和特性，描述了测试方法。 开关的射频端口有多种组合，如单刀单掷（SPST)、单刀双掷（SPDT)、单刀三掷（SP3T)、双刀双掷（DPDT)等。本文件基于SPDT型开关，其他类型的开关也适用。

适用范围：主要技术内容:前言.I引言.IIESD/TVS静电保护类器件测试规范.11  范围.12  规范性引用文件.13  术语和定义.13.1  静电阻抗器Electro-Static Discharge.13.2  瞬态抑制二极管Transient Voltage Suppressor.13.3  击穿电压Breakdown Voltage.23.4  反向截止电压Reverse Stand-Off Voltage.23.5 反向脉冲峰值电流Peak Pulse Current.23.6  箝位电压Clamping Voltage.23.7  反向脉冲峰值功率 Reverse pulse peak power .23.8  结电容Junction capacitor.23.9  反向漏电流 Current Intensity Reverse.23.10  I-V特性曲线.23.11  C-V特性曲线.23.12  传输线脉冲 Transmission Line Pulse.34  分类型号.34.1 分类.34.2 型号.35  测试方法.45.1 总则.45.2 测试目的.45.3 测试条件.45.4 测试设备和装置.55.5测试关键指标.55.6 测试内容.55.7 关键参数示例.6

适用范围：主要技术内容:前言.31 范围.42 规范性引用文件.43术语和定义.44产品命名规则.65技术要求.66试验方法.87检验规则.98标志、包装、运输、贮存.9

适用范围：范围:本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件： a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件； b) GaN集成功率电路； c) 以上的晶圆级及封装级产品; 主要技术内容:本文件描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：范围:本文件可用于晶圆级和封装级器件产品测试，但应考虑器件热特性，尽量减少自热效应对测试结果带来的影响。未切割的小功率晶圆级器件相对其功率等级具有较好的散热能力，而大功率晶圆级器件和封装级器件可能在连续大电流测试过程结温明显上升，需要进行散热处理; 主要技术内容:本文件描述了用于第三象限续流模式（包括硬关断和零电流关断）的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）电力电子动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)GaN增强型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

适用范围：范围:本文件适用于半导体器件加工; 主要技术内容:本文件规定了半导体器件加工的缩略语、一般要求、加工工艺、标识、记录、包装和贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了半导体光学晶圆的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于半导体光学晶圆，主要包括图案化黑铬板产品、多通道光谱传感器产品、TGV产品等

适用范围：本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法，通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时，周期性施加和移除正向偏置（负载电流)，使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用，也是对高温工作寿命（见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤，是破坏性试验。

适用范围：本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷（分层、裂纹、模塑料空洞等）检查的方法，本方法具有可重复性，是非破坏性试验。

适用范围：主要技术内容:X射线实时成像技术是一种由X射线接收装置和监视器来代替传统射线照相中的胶片得到X射线图像的无损检测技术。使用X射线接收装置将不可见的X射线转换为数字或模拟信号，经图像成像及处理后呈现在显示器上。利用X射线穿透不同物质时呈现出不同程度衰减的原理，在X射线图像中显示出明暗度差异。图像处理系统克服因为X射线源和X射线探测器不同及焊接层材料密度不同、厚度不均等原因导致的图像明暗度有差异，图层不好分割的困难，将图像分割为焊盘和空洞两个图层。图像处理系统计算出空洞图层中空洞面积与焊盘图层中焊盘面积的比值，即焊接层的空洞率，达到DBC基板一次焊接和二次焊接层焊接质量检测的目的

适用范围：主要技术内容:本文件规定了用于光电耦合器件（以下简称器件）可靠性评价的低频噪声参数、评价方法及方法应用

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电动汽车电驱动用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块的术语和定义、符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于电动汽车电驱动系统中使用的碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块

适用范围：主要技术内容:本文件规定了电动汽车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的术语和定义、符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。本文件适用于电动汽车用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块的设计、生产和应用

适用范围：本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。注： 本文件不适用于IEC 606791规定的石英晶体振荡器。

适用范围：本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型（HBM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法，并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果，且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型（MM）测试方法（见IEC 6074927）或IEC 60749（所有部分）中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外，本测试方法为所选方法。

适用范围：本文件规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 031—2023《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》描述了氮化镓功放模块的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，本文件根据我国三大运营市场需求和入网测试指南，借鉴3GPP TS 37.104 V16.5.0等国际通信协议，并结合了近几年科研人员在氮化镓功放领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对氮化镓功放性能指标的测试方法进行了详细的规定

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 029—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》描述了Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的详细测试方法。本文件适用于共源组成方式的GaN 射频器件，其它组成方式仅供参考。制定Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的测试方法以及相关规范，对研发生产、性能评估、量产测试和应用评价等具有重要指导意义

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 028—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法》描述了Sub-6GHz GaN射频产品的可靠性筛选和验收方法和详细要求，对提升产品质量、系统可靠性及稳定性具有重要意义

适用范围：主要技术内容:T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaN HEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaN HEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100 〖cm〗2?(V?s)～20000 〖cm〗2?(V?s)。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InP HEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘