适用范围：本文件规定了航天半导体集成电路外壳用氧化铝陶瓷材料（以下简称氧化铝陶瓷材料）的术语和定义、分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存等内容。 本文件适用于航天半导体集成电路外壳用95%氧化铝陶瓷材料。 本文件规定了航天半导体集成电路外壳用氧化铝陶瓷材料（以下简称氧化铝陶瓷材料）的术语和定义、分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存等内容。 本文件适用于航天半导体集成电路外壳用95%氧化铝陶瓷材料

适用范围：本文件规定了电子器件用六方氮化硼纳米片（h-BNNS）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于采用剥离法或化学气相沉积法（CVD）制备的，用于射频（RF）器件、功率半导体器件、柔性电子器件、量子点发光二极管（QLED）及二维异质结等电子器件的六方氮化硼纳米片。 本文件规定了电子器件用六方氮化硼纳米片（h-BNNS）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于采用剥离法或化学气相沉积法（CVD）制备的，用于射频（RF）器件、功率半导体器件、柔性电子器件、量子点发光二极管（QLED）及二维异质结等电子器件的六方氮化硼纳米片

适用范围：本文件规定了浮法玻璃生产用熔融石英闸板砖与盖板砖的术语和定义、产品标记、要求、试验方法、组批和抽样、标志、包装、运输和贮存等。 本文件适用于浮法玻璃生产用熔融石英闸板砖与盖板砖。 本文件规定了浮法玻璃生产用熔融石英闸板砖与盖板砖的术语和定义、产品标记、要求、试验方法、组批和抽样、标志、包装、运输和贮存等。 本文件适用于浮法玻璃生产用熔融石英闸板砖与盖板砖

适用范围：本文件规定了雾化器具中多孔陶瓷孔隙率、孔径分布、抗压强度测试方法。 本文件适用于雾化器具中多孔陶瓷物性的测定

适用范围：本文件规定了氮化硅球的规格及等级、技术要求、检验规则以及标志、包装、运输和贮存，描述了相应的试验方法。 本文件适用于氮化硅球。

适用范围：本文件描述了用闪光法测试高导热陶瓷基片室温到300 ℃导热系数的试验方法。 本文件适用于厚度在0.1 mm~1 mm、室温导热系数在50 W/（m·K）~2 000 W/（m·K）的均质高导热陶瓷基片材料。

适用范围：本文件描述了对精细陶瓷材料微观结构中具有一定体积占比、对材料力学性能有影响的低倍组织缺陷进行测试的方法。 本文件适用于孔隙率小于10%、在可见光下呈透明状的精细陶瓷薄片。

适用范围：本文件规定了建筑玻璃用功能膜的术语和定义，分类、分级与标记，规格，要求，试验方法，检验规则，以及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于建筑及家居装饰玻璃表面装贴用和置于中空玻璃内部分隔气体腔的各类以聚酯为基材的功能膜材料。

适用范围：本文件描述了室温下，在封闭模具中施加单轴压缩载荷测定精细陶瓷造粒粉压缩强度的试验方法。 本文件适用于陶瓷造粒粉。

适用范围：本文件规定了中空玻璃的材料,技术要求,试验方法,检验规则,包装、标志、运输和贮存，同时给出了便于技术规定的产品标记和分类。 本文件适用于建筑及门窗用的中空玻璃。在冷藏、交通等其他领域使用的中空玻璃，如无相关产品标准时，可参照使用。

适用范围：本文件描述了微波介质陶瓷介电性能测试方法（开腔法与闭腔法）的测试原理、测试条件、仪器设备、测试样品、测试步骤、测试报告、计算过程及测量不确定度。 本文件适用于均匀的圆柱形微波介质陶瓷。开腔法中，测试频率范围为2 GHz~24 GHz，相对介电常数的测试范围为3~300，损耗角正切值的测试范围为10-4~6×10-3，谐振频率温度系数的测试范围为-1 500×10-6/℃~1 500×10-6/℃。闭腔法中，测试频率范围为1 GHz~32 GHz，相对介电常数的测试范围为3~300、损耗角正切值的测试范围为2×10-5~10-2。本文件也适用于其他低损耗、无磁性固体电介质微波介电性能的测试。