T/CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
T/CASAS 027-2023 Radiofrequency GaN HEMT epitaxial film non-contact Hall measurement method for two-dimensional electron mobility
基本信息
发布历史
-
2023年06月
研制信息
- 起草单位:
- 中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路有限公司、北京大学、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、LUVA SYTEM INC.、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 起草人:
- 魏学成、刘波亭、杨学林、刘建利、宋学峰、Roger Luo、裴轶、徐瑞鹏
- 出版信息:
- 页数:10页 | 字数:- | 开本: -
内容描述
ICS31.080
CCSL40/49
团体标准
T/CASAS027—2023
射频GaNHEMT外延片二维电子气迁移率
非接触霍尔测量方法
Two—dimensionalelectrongasmobilityofRFGaNHEMTepitaxial
wafers—Non—contactHallmeasurementmethod
版本:V01.00
2023-06-30发布2023-07-01实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟发布
T/CASAS027—2023
目次
前言....................................................................................................................................................................III
引言....................................................................................................................................................................IV
1范围..................................................................................................................................................................1
2规范性引用文件..............................................................................................................................................1
3术语和定义......................................................................................................................................................1
4符号..................................................................................................................................................................1
5测试原理..........................................................................................................................................................2
6精密度..............................................................................................................................................................3
7试验条件..........................................................................................................................................................3
8干扰因素..........................................................................................................................................................3
9仪器设备..........................................................................................................................................................3
10测试样品........................................................................................................................................................4
11测试程序........................................................................................................................................................4
系统自校准............................................................................................................................................4
测试步骤.........................
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