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T/CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法

T/CASAS 027-2023 Radiofrequency GaN HEMT epitaxial film non-contact Hall measurement method for two-dimensional electron mobility

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CASAS 027-2023
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
-
国际标准分类号（ICS）
31.080.01 半导体器分立件综合
发布日期
2023-06-30
实施日期
2023-07-01
发布单位/组织
-
归口单位
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围
主要技术内容:T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaN HEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaN HEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100 〖cm〗2?(V?s)～20000 〖cm〗2?(V?s)。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InP HEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘

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研制信息

起草单位：
中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路有限公司、北京大学、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、LUVA SYTEM INC.、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人：
魏学成、刘波亭、杨学林、刘建利、宋学峰、Roger Luo、裴轶、徐瑞鹏
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

暂无内容

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