T/CASAS 031-2023 面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放 模块测试方法

T/CASAS 031-2023 Test method for Sub-6GHz GaN power amplifier module for 5G base station application

团体标准 中文(简体) 现行 页数:19页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
T/CASAS 031-2023
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
-
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2023-06-30
实施日期
2023-07-01
发布单位/组织
-
归口单位
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围
主要技术内容:T/CASAS 031—2023《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》描述了氮化镓功放模块的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法,本文件根据我国三大运营市场需求和入网测试指南,借鉴3GPP TS 37.104 V16.5.0等国际通信协议,并结合了近几年科研人员在氮化镓功放领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结,对氮化镓功放性能指标的测试方法进行了详细的规定

发布历史

文前页预览

研制信息

起草单位:
中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中国科学院半导体研究所、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、工业和信息化部电子第五研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草人:
封葳、王宇、段向阳、别业楠、刘建利、樊宁、王晖、董晶、默江辉、周强、裴轶、刘波亭、魏学成、郑雪峰、陈文华、王茂俊、蔡宗棋、徐瑞鹏
出版信息:
页数:19页 | 字数:- | 开本: -

内容描述

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS031—2023

面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放

模块测试方法

TestmethodofSub-6GHzGaNpoweramplifierfor5Gbasestation

application

版本:V01.00

2023-06-30发布2023-07-01实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS031—2023

目次

前言................................................................................................................................................................III

引言................................................................................................................................................................IV

1范围..................................................................................................................................................................1

2规范性引用文件..............................................................................................................................................1

3术语和定义......................................................................................................................................................1

4符号和缩略语..................................................................................................................................................1

5测试条件..........................................................................................................................................................2

6输入条件..........................................................................................................................................................2

7测试工具/仪表要求.........................................................................................................................................3

8测试方法..........................................................................................................................................................3

通则...........................................................................................................................................................3

GaN功放性能指标测试方法...................................................................................................................3

8.2.1增益及增益平坦度测试.................................................................................................................3

8.2.2线性动态范围内增益波动测试.....................................................................................................4

8.2.3额定输出功率及效率测试.............................................................................................................5

8.2.4DPD测试(ACLR).......................................................................................................................6

8.2.5DPD测试(频谱辐射模板).........................................................................................................7

8.2.6DPD测试(EVM)........................................................................................................................8

8.2.7带外杂散测试.................................................................................................................................9

8.2.8谐波测试.......................................................................................................................................10

9数据记录和处理.............................................................................................................................................11

10测试报告.......................................................................................................................................................11

附录A(资料性)测试数据记录..................................................................................................................13

参考文献............................................................................................................................................................15

I

T/CASAS031—2023

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规

定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)制定发布,版权归CASAS所

有,未经CASAS许可不得随意复制;其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS允许;任何单

位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。

本文件主要起草单位:中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科

技集团公司第五十五研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中国科学

院半导体研究所、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、工业和信息化部电子第五研究所、北京第

三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人:封葳、王宇、段向阳、别业楠、刘建利、樊宁、王晖、董晶、默江辉、周强、

裴轶、刘波亭、魏学成、郑雪峰、陈文华、王茂俊、蔡宗棋、徐瑞鹏。

III

T/CASAS031—2023

引言

氮化镓作为新型战略半导体材料,以其优异的性能已成为5G基站的最佳选择。随着5G基站相关技

术的不断突破与更新,氮化镓功放模块受到越来越多的重视。围绕氮化镓功率器件的功放模块电路设计

技术不断取得突破,已成为5G基站的关键部件,并逐步开始在多个领域进行商用。

为了进一步加快氮化镓功放的产业化发展和规模化应用,迫切需要制定氮化镓功放模块的相关测

试方法和规范,以便更加有效和专业的评估氮化镓功放性能,提升5G基站性能指标和产品竞争力,缩

短研发和生产周期、提高生产效率。同时拉通和氮化镓器件指标和测试方法的关联关系,促使氮化镓厂

家不断提升产品性能和质量,为我国通信技术持续领先和第三代半导体的产业化奠定基础。

本文件根据我国三大运营市场需求和入网测试指南,借鉴3GPPTS37.104V16.5.0等国际通信协

议,并结合了近几年科研人员在氮化镓功放领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结,对氮化镓

功放性能指标的测试方法进行了详细的规定,包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测

试工具及仪表等,但局限于当前科研人员对氮化镓功放本身的认知,以及该产品生产与应用所处的发展

阶段,可能还存在一些不足的地方,后续将根据研究进展不断进行完善和升级。

IV

T/CASAS031—2023

面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法

1范围

本文件描述了氮化镓功放模块(以下简称“GaN功放”)的测试条件、测试要求和测试方法。

本文件适用于GaN功放的测试、质量评价。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

氮化镓功放模块GaNpoweramplifiermodule

采用氮化镓功率器件研发的5G基站射频功率放大模块,一般为多尔蒂(Doherty)架构,通常置于

发射机的末端。

注:其主要功能是将已调制的射频信号放大至所需的功率,然后通过天线辐射到空间,由移动终端进行接收。

4符号和缩略语

下列符号和缩略语适用于本文件。

f_offset:测量滤波器中心点频率偏移。。

f_offsetmax:测量滤波器中心点频率偏移最大值。

Η:GaN功放效率。

I:GaN功放漏极电流。

Pout:输出功率。

PAin:功放输入。

PAout:功放输出。

U:GaN功放漏极电压。

f:测量滤波器–3dB点频率偏移。

fmax:测量滤波器–3dB点频率偏移最大值。

〈A〉:参数符号,以实际为准。

〈B〉:参数符号,以实际为准。

〈C〉:参数符号,以实际为准。

ACLR:相邻频道泄露比(AdjacentChannelLeakageRatio)。

BBU:基带单元(Base-BandUnit)。

BS:基站(BaseStation)。

DPD:数字预失真(DigitalPreDistortion)。

1

T/CASAS031—2023

EVM误差向量幅度(ErrorVectorMagnitude)。

FWD:前向反馈(Forward)。

VBW:视频带宽(VideoBandWidth)。

PA:功放(PowerAmplifier)。

PRX:耦合端口(PowerReverse)。

PWR:供电单元(Power)。

RBW:分辨率带宽(ResolutionBandWidth)。

REV:反向反馈(Reverse)。

RF:射频(RadioFrequency)。

RMS:均方根(RootMeanSquare)。

SW:前/反向信号切换电路(Switch)。

5测试条件

本文中的GaN功放测试仅为常温下的性能指标测试,测试条件如下:

a)测试环境温度要求为25℃±2℃;

b)测试环境相对湿度不超过65%。

6输入条件

本文件中结合图1GaN功放框图,对被测GaN功放的测试输入条件要求如下:

a)GaN功放至少包含一组完整且正常可使用的PAin和PAout端口;

b)GaN功放的PWR可保证功放正常供电,正常供电后GaN功放静态电流显示正常;

c)GaN功放的控制单元(Control)可正常控制功放开关(包含打开和关闭)、SW中PRX上FWD

和REV的切换等功能;

d)GaN功放外观良好,无破损或其他异常情况。

图1GaN功放框图

2

T/CASAS031—2023

7测试工具/仪表要求

本文件中测试工具/仪表要求如表1所示。

表1测试工具/仪表要求

测试工具/仪表性能要求

大功率衰减器频率范围至少满足sub-6GHz,功率要求至少200W,衰减值宜为40dB

矢量网络分析仪频率范围至少满足sub-6GHz,输出功率不小于0dBm且动态范围大于等于50dB

直流稳压电源电源供电电压推荐不小于60V,供电电流应不小于20A

频谱仪频率范围至少满足sub-6GHz,至少包含5GNR信号所需的各类模板

功率计频率范围至少满足sub-6GHz,功率检测至少大于30dBm

信号源频率范围至少满足sub-6GHz,至少可输出单音信号

耦合器频率范围至少满足sub-6GHz,功率要求至少200W,耦合度宜为40dB

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