T/CASAS 031-2023 面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放 模块测试方法
T/CASAS 031-2023 Test method for Sub-6GHz GaN power amplifier module for 5G base station application
基本信息
发布历史
-
2023年06月
文前页预览
研制信息
- 起草单位:
- 中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中国科学院半导体研究所、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、工业和信息化部电子第五研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 起草人:
- 封葳、王宇、段向阳、别业楠、刘建利、樊宁、王晖、董晶、默江辉、周强、裴轶、刘波亭、魏学成、郑雪峰、陈文华、王茂俊、蔡宗棋、徐瑞鹏
- 出版信息:
- 页数:19页 | 字数:- | 开本: -
内容描述
ICS31.080
CCSL40/49
团体标准
T/CASAS031—2023
面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放
模块测试方法
TestmethodofSub-6GHzGaNpoweramplifierfor5Gbasestation
application
版本:V01.00
2023-06-30发布2023-07-01实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟发布
T/CASAS031—2023
目次
前言................................................................................................................................................................III
引言................................................................................................................................................................IV
1范围..................................................................................................................................................................1
2规范性引用文件..............................................................................................................................................1
3术语和定义......................................................................................................................................................1
4符号和缩略语..................................................................................................................................................1
5测试条件..........................................................................................................................................................2
6输入条件..........................................................................................................................................................2
7测试工具/仪表要求.........................................................................................................................................3
8测试方法..........................................................................................................................................................3
通则...........................................................................................................................................................3
GaN功放性能指标测试方法...................................................................................................................3
8.2.1增益及增益平坦度测试.................................................................................................................3
8.2.2线性动态范围内增益波动测试.....................................................................................................4
8.2.3额定输出功率及效率测试.............................................................................................................5
8.2.4DPD测试(ACLR).......................................................................................................................6
8.2.5DPD测试(频谱辐射模板).........................................................................................................7
8.2.6DPD测试(EVM)........................................................................................................................8
8.2.7带外杂散测试.................................................................................................................................9
8.2.8谐波测试.......................................................................................................................................10
9数据记录和处理.............................................................................................................................................11
10测试报告.......................................................................................................................................................11
附录A(资料性)测试数据记录..................................................................................................................13
参考文献............................................................................................................................................................15
I
T/CASAS031—2023
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规
定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)制定发布,版权归CASAS所
有,未经CASAS许可不得随意复制;其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS允许;任何单
位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。
本文件主要起草单位:中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科
技集团公司第五十五研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中国科学
院半导体研究所、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、工业和信息化部电子第五研究所、北京第
三代半导体产业技术创新战略联盟。
本文件主要起草人:封葳、王宇、段向阳、别业楠、刘建利、樊宁、王晖、董晶、默江辉、周强、
裴轶、刘波亭、魏学成、郑雪峰、陈文华、王茂俊、蔡宗棋、徐瑞鹏。
III
T/CASAS031—2023
引言
氮化镓作为新型战略半导体材料,以其优异的性能已成为5G基站的最佳选择。随着5G基站相关技
术的不断突破与更新,氮化镓功放模块受到越来越多的重视。围绕氮化镓功率器件的功放模块电路设计
技术不断取得突破,已成为5G基站的关键部件,并逐步开始在多个领域进行商用。
为了进一步加快氮化镓功放的产业化发展和规模化应用,迫切需要制定氮化镓功放模块的相关测
试方法和规范,以便更加有效和专业的评估氮化镓功放性能,提升5G基站性能指标和产品竞争力,缩
短研发和生产周期、提高生产效率。同时拉通和氮化镓器件指标和测试方法的关联关系,促使氮化镓厂
家不断提升产品性能和质量,为我国通信技术持续领先和第三代半导体的产业化奠定基础。
本文件根据我国三大运营市场需求和入网测试指南,借鉴3GPPTS37.104V16.5.0等国际通信协
议,并结合了近几年科研人员在氮化镓功放领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结,对氮化镓
功放性能指标的测试方法进行了详细的规定,包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测
试工具及仪表等,但局限于当前科研人员对氮化镓功放本身的认知,以及该产品生产与应用所处的发展
阶段,可能还存在一些不足的地方,后续将根据研究进展不断进行完善和升级。
IV
T/CASAS031—2023
面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法
1范围
本文件描述了氮化镓功放模块(以下简称“GaN功放”)的测试条件、测试要求和测试方法。
本文件适用于GaN功放的测试、质量评价。
2规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
氮化镓功放模块GaNpoweramplifiermodule
采用氮化镓功率器件研发的5G基站射频功率放大模块,一般为多尔蒂(Doherty)架构,通常置于
发射机的末端。
注:其主要功能是将已调制的射频信号放大至所需的功率,然后通过天线辐射到空间,由移动终端进行接收。
4符号和缩略语
下列符号和缩略语适用于本文件。
f_offset:测量滤波器中心点频率偏移。。
f_offsetmax:测量滤波器中心点频率偏移最大值。
Η:GaN功放效率。
I:GaN功放漏极电流。
Pout:输出功率。
PAin:功放输入。
PAout:功放输出。
U:GaN功放漏极电压。
f:测量滤波器–3dB点频率偏移。
fmax:测量滤波器–3dB点频率偏移最大值。
〈A〉:参数符号,以实际为准。
〈B〉:参数符号,以实际为准。
〈C 〉:参数符号,以实际为准。
ACLR:相邻频道泄露比(AdjacentChannelLeakageRatio)。
BBU:基带单元(Base-BandUnit)。
BS:基站(BaseStation)。
DPD:数字预失真(DigitalPreDistortion)。
1
T/CASAS031—2023
EVM误差向量幅度(ErrorVectorMagnitude)。
FWD:前向反馈(Forward)。
VBW:视频带宽(VideoBandWidth)。
PA:功放(PowerAmplifier)。
PRX:耦合端口(PowerReverse)。
PWR:供电单元(Power)。
RBW:分辨率带宽(ResolutionBandWidth)。
REV:反向反馈(Reverse)。
RF:射频(RadioFrequency)。
RMS:均方根(RootMeanSquare)。
SW:前/反向信号切换电路(Switch)。
5测试条件
本文中的GaN功放测试仅为常温下的性能指标测试,测试条件如下:
a)测试环境温度要求为25℃±2℃;
b)测试环境相对湿度不超过65%。
6输入条件
本文件中结合图1GaN功放框图,对被测GaN功放的测试输入条件要求如下:
a)GaN功放至少包含一组完整且正常可使用的PAin和PAout端口;
b)GaN功放的PWR可保证功放正常供电,正常供电后GaN功放静态电流显示正常;
c)GaN功放的控制单元(Control)可正常控制功放开关(包含打开和关闭)、SW中PRX上FWD
和REV的切换等功能;
d)GaN功放外观良好,无破损或其他异常情况。
图1GaN功放框图
2
T/CASAS031—2023
7测试工具/仪表要求
本文件中测试工具/仪表要求如表1所示。
表1测试工具/仪表要求
测试工具/仪表性能要求
大功率衰减器频率范围至少满足sub-6GHz,功率要求至少200W,衰减值宜为40dB
矢量网络分析仪频率范围至少满足sub-6GHz,输出功率不小于0dBm且动态范围大于等于50dB
直流稳压电源电源供电电压推荐不小于60V,供电电流应不小于20A
频谱仪频率范围至少满足sub-6GHz,至少包含5GNR信号所需的各类模板
功率计频率范围至少满足sub-6GHz,功率检测至少大于30dBm
信号源频率范围至少满足sub-6GHz,至少可输出单音信号
耦合器频率范围至少满足sub-6GHz,功率要求至少200W,耦合度宜为40dB
定制服务
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