GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
GB/T 29332-2012 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)
国家标准
中文简体
现行
页数：54页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2012-12-31
实施日期
2013-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
本标准给出了绝缘栅双极晶体管（IGBT）的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。
发布历史
-
2012年12月
研制信息
- 起草单位：
- 西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技(中国)有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司
- 起草人：
- 蔚红旗、张立、陈子颖、乜连波、王晓宝、秦贤满
- 出版信息：
- 页数：54页 | 字数：98 千字 | 开本： 大16开
内容描述
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