T/CASAS 057-2025 高频开关应用下GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法
T/CASAS 057-2025 Test method for continuous-switching operation reliability of GaN power devices under high frequency switched conditions
团体标准
中文(简体)
现行
页数：0页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
T/CASAS 057-2025
标准类型
团体标准
标准状态
现行
发布日期
2025-08-29
实施日期
2025-08-29
发布单位/组织
-
归口单位
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
适用范围
本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。
本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：
1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件；
2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件；
3） 以上的晶圆级及封装级产品。
本文件描述了用于评估高频开关应用下（频率≥100 kHz）GaN功率器件开关运行状态可靠性试验方法，用以表征及评估GaN功率器件在连续开关应力作用下器件的退化及失效。
本文件适用于GaN 功率器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：
1） GaN增强型（E-Mode）和耗尽型（D-Mode）分立功率电子器件；
2） GaN功率集成器件和共源共栅GaN功率器件；
3） 以上的晶圆级及封装级产品
发布历史
-
2025年08月
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研制信息
- 起草单位：
- 厦门三安集成电路有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、中山大学、广东工业大学、电子科技大学（深圳）高等研究院、深圳平湖实验室、苏州晶湛半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、诸暨市氮矽科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、江苏能华微电子科技发展有限公司、杭州长川科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、北京大学东莞光电研究院、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 起草人：
- 叶念慈、刘成、徐涵、严丹妮、许亚坡、刘扬、贺致远、明鑫、曾威、王小明、王文平、戴婷婷、罗卓然、向鹏、贾利芳、刘家才、菅端端、武乐可、孙海洋、耿霄雄、谢斌、刘强、高伟
- 出版信息：
- 页数：- | 字数：- | 开本： -
内容描述
暂无内容
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