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现行
译:GB/T 4937.39-2025 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 39:Measurement of moisture diffusivity and water solubility in organic materials used for semiconductor components
适用范围:本文件描述了应用于半导体器件封装用有机材料的潮气扩散率和水溶解度的测量方法。
潮气扩散率和水溶解度两个参数是有效表征塑封半导体器件暴露于潮湿环境和经受高温回流焊之后可靠性的重要参数。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-31 | 实施时间: 2026-07-01
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现行
译:GB/T 4937.8-2025 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 8:Sealing
适用范围:本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。
本试验方法的目的是检测半导体器件的漏率。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-31 | 实施时间: 2026-07-01
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译:GB/T 4937.37-2025 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 37:Board level drop test method using an accelerometer
适用范围:本文件描述了一个在加速试验环境中评估和比较手持电子产品中表面安装器件跌落性能的试验方法,跌落试验过程中电路板过大弯曲会引起电子产品的失效。本文件目的是使试验电路板和试验方法标准化,能提供对表面安装器件跌落试验的可重复评估,使在产品级测试中可得到相同的失效模式。本文件规定了一个标准的试验方法和报告要求。本文件与器件鉴定试验、判定手持电子产品合格与否的系统级跌落试验、模拟运输和搬运器件或印制电路板组件产生的相关振动试验不同,例如GB/T 4937.10-2025中规定了这些试验的方法要求。本方法适用于面阵列封装和四边引线表面安装封装。本试验方法使用加速度计测量机械冲击的持续时间和振幅,振幅与安装在标准板上的给定器件的力的大小成比例。IEC 6074940中描述了一种使用应变仪测量器件周边电路板的应变和应变率的试验方法。详细规范说明使用的试验方法。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-31 | 实施时间: 2026-07-01
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译:GB/T 4937.10-2025 Semiconductor devices—Mechanical and climatic tests methods—Part 10:Mechanical Shock—Device and subassembly
适用范围:本文件适用于处于自由态和组装到印制电路板上的半导体器件,以确定器件和印制板组件承受中等严酷程度冲击的适应能力。印制板组装是一种在组装到印制电路板的使用条件下,试验器件耐机械冲击能力的方法。机械冲击由突然施加的力,及装卸、运输或现场操作中的突然受力而产生,这种类型的冲击可能破坏工作特性,特别是在冲击脉冲重复的情况下。本试验适用于器件鉴定的破坏性试验。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-31 | 实施时间: 2026-07-01
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译:GB/T 15879.612-2025 Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 6-12:General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages—Design guidelines for fine-pitch land grid array (FLGA)
适用范围:本文件给出了0.80 mm或更小引出端节距的密节距焊盘阵列封装(FLGA)的标准外形图、尺寸及推荐的范围值。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-31 | 实施时间: 2026-07-01
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现行
译:GB/T 4937.40-2025 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 40:Board level drop test method using a strain gauge
适用范围:本文件描述了一种评估和比较加速试验环境中手持电子产品应用的表面安装半导体器件跌落性能的试验方法,其中电路板过度弯曲会导致产品失效。目的是使试验方法标准化,以提供表面安装半导体器件跌落试验性能的可再现性评估,同时复现产品级试验期间常见的失效模式。
本文件适用于使用应变仪测量器件附近电路板的应变和应变率。IEC 60749-37适用于使用加速度计测量施加的机械冲击持续时间和强度,该强度与安装在标准板上的给定器件所受的应力成比例。详细规范中说明使用哪种试验方法。
注1:尽管本试验能评估由安装方式及其条件、印刷电路板(PCB)设计、焊接材料以及半导体器件的安装能力等结合在一起的结构,但不能单独评估半导体器件的安装能力。
注2:本试验的结果受到不同焊接条件、PCB焊盘图案设计和焊接材料等影响比较大。因此,本试验不能从根本上保证半导体器件焊点的可靠性。
注3:当本试验产生的机械应力在器件实际使用中不会发生时,本试验不适用。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-31 | 实施时间: 2026-07-01
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译:T/YGAZXH 22-2025 Techinical requirements of area-array SPAD chip for on-board laser radar
适用范围:本文件规定了面阵SPAD芯片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于车载激光雷达测距的面阵SPAD芯片,其他激光雷达用面阵SPAD芯片参照使用
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :C39医用电子仪器设备
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2025-12-30 | 实施时间: 2026-01-01
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译:T/CACC 0001-2025 Implementation Guide for Automotive Chip Technology, automotive chip products and support capability assessment Part1: Reliability
适用范围:本文件规定了汽车芯片产品可靠性评估的基本原则、评估流程和评估方法等方面的要求。
本文件适用于对车用芯片可靠性质量等级的确认。
本文件规定了汽车芯片产品可靠性评估的基本原则、评估流程和评估方法等方面的要求。
本文件适用于对车用芯片可靠性质量等级的确认
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :M73视频、脉冲系统设备
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2025-12-30 | 实施时间: 2026-01-01
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译:T/BICA 043-2025 Technical specifications for LED graphic Sapphire Substrate
适用范围:本文件规定了LED用图形化蓝宝石衬底的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于LED用图形化蓝宝石衬底。
本文件规定了LED用图形化蓝宝石衬底的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于LED用图形化蓝宝石衬底
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :C39医用电子仪器设备
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2025-12-25 | 实施时间: 2025-12-25
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译:T/SZSA 034-2025 High-speed ESD & TVS protection chip test specifications
适用范围:本标准规定了 HDMI、USB 等主流高速接口的 TVS 选型参数(包括工作电压、极性、电容等),明确了不同接口类型的 TVS 选型依据,同时规定了高频电容、S 参数、瞬态过冲电压等关键指标的测试流程及设备校准规范(如 TRL 校准)。本标准适用于主流高速接口(如 HDMI、USB 接口)的 TVS 器件选型设计,以及高频电容、S 参数、瞬态过冲电压等关键指标的测试与设备校准工作,可为应用端降低接口设计难度、确保不同测试机构的测试数据可比性提供依据。
随着信息技术的飞速发展,HDMI、USB、Ethernet、PCIe 等高速接口已广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制等领域,数据传输速率从几 Gbps 向数十 Gbps 跃升。高速接口在提升信息交互效率的同时,其对静电放电(ESD)和浪涌(Surge)的敏感性显著增加,ESD&TVS 保护类芯片作为抵御瞬态干扰的核心器件,其性能直接影响电子设备的可靠性与信号完整性。
现有标准多聚焦于通用 TVS 器件的基础指标,对高速场景下的选型、高频测试方法(如矢量网络分析仪校准、眼图测试)覆盖不足,造成产业链上下游(芯片厂商、设备制造商、测试机构)技术对接成本高、产品兼容性差。
为解决上述问题,本标准统一 HDMI、USB 等主流高速接口的 TVS 选型参数(工作电压、极性、电容等),为不同接口类型提供明确的选型依据,降低应用端设计难度;明确高频电容、S 参数、瞬态过冲电压等关键指标的测试流程及设备校准规范(如TRL校准),确保不同测试机构的测试数据具有可比性;指导企业在电路布局、多级防护配合等方面进行科学设计,提升设备可靠性。
本标准的制定与实施,将有效解决高速 ESD&TVS 保护类芯片在选型和测试中存在的问题,推动行业技术标准化,助力电子设备向高速化、高可靠性方向发展,为产业链上下游提供统一的技术规范和合作基础
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :C39医用电子仪器设备
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2025-12-22 | 实施时间: 2026-01-01
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译:T/ZZB 3931-2025 Outdoor wheel-mounted inspection robot for electric substation
适用范围:本文件规定了电力场站户外轮式巡检机器人的术语和定义、系统组成、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志和说明、包装、运输和储存、质量承诺。
本文件适用于变电站、开关站、换流站等电力场站内户外环境、利用轮子实现移动、应用无轨导航(无需用磁条对机器人进行导航,如激光导航、视觉导航等)的地面巡检机器人
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2025-12-20 | 实施时间: 2025-12-31
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现行
译:T/ZZB 3936-2025 Medium to high voltage insulated-gate bipolar transistor(IGBT) driver
适用范围:本文件规定了中高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动器的工作条件、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及质量承诺。
本文件适用于新能源、工业控制等领域应用的1200 V、1700 V、3300V、4500V和6500V电压等级绝缘栅双极型晶体管驱动器
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :C38普通诊察器械
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2025-12-20 | 实施时间: 2025-12-31
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现行
译:T/CEATEC 109-2025 OLED performance requirements and testing methods using spirolifogenin (SFX) OLED: Performance requirements and testing methods using spirolifogenin (SFX) OLED are described
适用范围:本文件规定了OLED用螺芴氧杂蒽的技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :C39医用电子仪器设备
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2025-12-03 | 实施时间: 2025-12-03
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现行
译:T/CEATEC 107-2025 Material specification for SFX material technology
适用范围:本文件规定了螺芴氧杂蒽(SFX)材料的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :C39医用电子仪器设备
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2025-12-03 | 实施时间: 2025-12-03
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现行
译:GB/Z 107-2025 Semiconductor devices—Scan based ageing level estimation for semiconductor devices
适用范围:本文件提供了一种性能评估存储单元的设计技术,以及使用该性能评估存储单元进行退化水平评估的方法。
本文件适用于半导体器件的退化状态监测和退化水平评估。评估半导体器件的退化水平,有助于提升系统可靠性。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-03 | 实施时间: -
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现行
译:T/CEATEC 108-2025 The green synthesis process specifications for SFX (a mixture of isomers) are as follows
适用范围:本文件规定了螺芴氧杂蒽(SFX)绿色合成的工艺设计、绿色工艺要求、质量控制要求、安全、环境与职业健康
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :C39医用电子仪器设备
发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2025-12-03 | 实施时间: 2025-12-03
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现行
译:GB/T 4937.33-2025 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 33:Accelerated moisture resistance—Unbiased autoclave
适用范围:无偏置高压蒸煮试验是利用潮气冷凝或饱和蒸汽来评价非气密封装固态器件的耐湿性。本试验为强加速试验,在冷凝条件下通过压力、湿度和温度加速潮气穿透外部保护材料(包封或密封)或外部保护材料和金属导体的交接面。
本文件适用于确认封装内部失效机理,为破坏性试验。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-02 | 实施时间: 2026-07-01
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现行
译:GB/T 20521.5-2025 Semiconductor devices—Part 14-5:Semiconductor sensors—PN-junction semiconductor temperature sensor
适用范围:本文件规定了PN结温度传感器的标志、基本额定值、特性。
本文件适用于半导体PN结温度传感器,描述了相应的能用来确定各类PN结温度传感器的特性。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-02 | 实施时间: 2026-07-01
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译:GB/T 4937.24-2025 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 24:Accelerated moisture resistance—Unbiased HAST
适用范围:本文件用于评价非气密封装固态器件在潮湿环境下的可靠性。
本方法为强加速试验,是在没有冷凝的条件下通过温度和湿度加速潮气穿透外部保护材料(包封或密封)或外部保护材料和金属导体的交接面。本方法不施加偏置,以确保潜在的失效机理不能由偏置造成(例如电化学腐蚀)。
本试验用于确定封装内部的失效机理,是一种破坏性试验。
注:本方法是对1996年版IEC 60749中第3章的4c条的试验重新编写(无偏置电压)。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-02 | 实施时间: 2026-07-01
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现行
译:GB/T 46789-2025 Semiconductor devices—Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors
适用范围:本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。
本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化,例如改变MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。
【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-12-02 | 实施时间: 2026-07-01