GB/T 46789-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T46789—2025/IEC624172010

:

半导体器件金属氧化物半导体场效应

晶体管MOSFETs的可动离子试验

()

Semiconductordevices—Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductor

fieldeffecttransistorsMOSFETs

()

IEC624172010IDT

(:,)

2025-12-02发布2026-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T46789—2025/IEC624172010

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

符号和缩略语

4……………1

概述

5………………………1

测试设备

6…………………2

测试结构

7…………………2

样本大小

8…………………2

条件

9………………………2

程序

10………………………2

偏压温度应力

10.1………………………2

电压扫描

10.2……………3

判据

11………………………3

报告

12………………………4

Ⅰ

GB/T46789—2025/IEC624172010

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管的

IEC62417:2010《(MOSFETs)

可动离子试验

》。

本文件增加了规范性引用文件和术语和定义两章

“”“”。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所河北北芯半导体科技有限公司合肥华祯

:、、

智能科技有限公司佛山市川东磁电股份有限公司厦门芯阳科技股份有限公司河北新华北集成电路

、、、

有限公司工业和信息化部电子第五研究所上海维安半导体有限公司浙江朗德电子科技有限公司

、、、、

重庆平伟实业股份有限公司无锡新洁能股份有限公司江苏长晶科技股份有限公司河北赛美科技有

、、、

限公司

。

本文件主要起草人赵海龙彭浩张魁张中席善斌黄志强黄杰刘东月冉红雷尹丽晶颜天宝

:、、、、、、、、、、、

裴选柳华光曲韩宾任怀龙高博章晓文苏海伟陈磊李述洲朱袁正杨国江李永安康金萌

、、、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T46789—2025/IEC624172010

:

半导体器件金属氧化物半导体场效应

晶体管MOSFETs的可动离子试验

()

1范围

本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化层中可动正电荷

(MOSFETs)

数量的晶圆级测试程序

。

本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管可动电荷会引起半导体器件退化例如改

。,

变的阈值电压或使双极型晶体管基极反型

MOSFETs。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

。

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义

。

4符号和缩略语

下列符号和缩略语适用于本文件

。

C-V电容电压

:-(capacitance-voltagemeasurement)

高频电容电压

HFCV:-(highfrequencycapacitance-voltagemeasurement)

I漏源电流

ds:(drain-sourcecurrent)

t氧化层厚度

ox:(oxidethickness)

V栅极电压

g:(gatevoltage)

V正向电源电压

dd:(positivepowersupplyvoltage)

V最大电源电压

dd,max:(maximumsupplyvoltage)

V电源电压的绝对值

supply:(theabsolutevalueofthesupplyvoltage)

V晶体管阈值电压

t:(transistorthresholdvoltage)

V测试前阈值电压的绝对值

t,initial:(theabsolutevalueofthethresholdvoltagebeforethetest)

ε氧化层介电常数

ox:(dielectricconstantoftheoxide)

5概述

一定高温下在测试结构上施加偏压应力该温度能使可动离子越过界面处的势垒并使氧化层中离

,,

子迁移率足够高本文件描述了种测试方法

。2:

偏压温度应力

———(BTS);

电压扫描

———(VS)。

对晶体管进行偏压温度应力测试阈值电压定义为使固定的漏极电流流过晶体管所需要的栅极电

。

1