GB/T 46789-2025 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验

GB/T 46789-2025 Semiconductor devices—Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors

国家标准中文简体现行页数：12页 | 格式：PDF

基本信息

标准号

GB/T 46789-2025

标准类型

国家标准

标准状态

现行

中国标准分类号（CCS）

L40/49 半导体分立器件

国际标准分类号（ICS）

31.080.01 半导体器分立件综合

发布日期

2025-12-02

实施日期

2026-07-01

发布单位/组织

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

归口单位

全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

适用范围

本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs)的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。
本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化，例如改变MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。

发布历史

2025年12月

GB/T 46789-2025　半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验

当前标准现行 2025-12-02

文前页预览

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研制信息

起草单位：: 中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、合肥华祯智能科技有限公司、佛山市川东磁电股份有限公司、厦门芯阳科技股份有限公司、河北新华北集成电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、上海维安半导体有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、重庆平伟实业股份有限公司、无锡新洁能股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、河北赛美科技有限公司

起草人：: 赵海龙、彭浩、张魁、张中、席善斌、黄志强、黄杰、刘东月、冉红雷、尹丽晶、颜天宝、裴选、柳华光、曲韩宾、任怀龙、高博、章晓文、苏海伟、陈磊、李述洲、朱袁正、杨国江、李永安、康金萌

出版信息：: 页数：12页 | 字数：13 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T46789—2025/IEC624172010

半导体器件金属氧化物半导体场效应

晶体管MOSFETs的可动离子试验

()

Semiconductordevices—Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductor

fieldeffecttransistorsMOSFETs

()

IEC624172010IDT

(:,)

2025-12-02发布2026-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T46789—2025/IEC624172010

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

符号和缩略语

4……………1

概述

5………………………1

测试设备

6…………………2

测试结构

7…………………2

样本大小

8…………………2

条件

9………………………2

程序

10………………………2

偏压温度应力

10.1

定制服务

关联标准

采用标准

IEC 62417:2010

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