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GB/T 46789-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验

GB/T 46789-2025 Semiconductor devices—Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors

国家标准 中文简体 现行 页数：12页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 46789-2025
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
L40/49 半导体分立器件
国际标准分类号（ICS）
31.080.01 半导体器分立件综合
发布日期
2025-12-02
实施日期
2026-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
适用范围
本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs)的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。
本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化，例如改变MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。

发布历史

文前页预览

GB/T 46789-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验-第1页
GB/T 46789-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验-第2页
GB/T 46789-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验-第3页
GB/T 46789-2025 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验-第4页

研制信息

起草单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、合肥华祯智能科技有限公司、佛山市川东磁电股份有限公司、厦门芯阳科技股份有限公司、河北新华北集成电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、上海维安半导体有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、重庆平伟实业股份有限公司、无锡新洁能股份有限公司、江苏长晶科技股份有限公司、河北赛美科技有限公司
起草人：
赵海龙、彭浩、张魁、张中、席善斌、黄志强、黄杰、刘东月、冉红雷、尹丽晶、颜天宝、裴选、柳华光、曲韩宾、任怀龙、高博、章晓文、苏海伟、陈磊、李述洲、朱袁正、杨国江、李永安、康金萌
出版信息：
页数：12页 | 字数：13 千字 | 开本： 大16开

内容描述

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T46789—2025/IEC624172010

:

半导体器件金属氧化物半导体场效应

晶体管MOSFETs的可动离子试验

()

Semiconductordevices—Mobileiontestsformetal-oxidesemiconductor

fieldeffecttransistorsMOSFETs

()

IEC624172010IDT

(:,)

2025-12-02发布2026-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T46789—2025/IEC624172010

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

符号和缩略语

4……………1

概述

5………………………1

测试设备

6…………………2

测试结构

7…………………2

样本大小

8…………………2

条件

9………………………2

程序

10………………………2

偏压温度应力

10.1

定制服务

    推荐标准

    关联标准

    采用标准
    IEC 62417:2010
    IEC 62417:2010

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