GB/T 20521.5-2025 半导体器件 第14-5部分：半导体传感器 PN结半导体温度传感器

ICS3108001

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T205215—2025/IEC60747-14-52010

.:

半导体器件

第14-5部分半导体传感器

:

PN结半导体温度传感器

Semiconductordevices—

Part14-5Semiconductorsensors—PN-unctionsemiconductortemeraturesensor

:jp

IEC60747-14-52010IDT

(:,)

2025-12-02发布2026-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T205215—2025/IEC60747-14-52010

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义和符号

3、…………………………1

术语和定义

3.1…………………………1

符号

3.2…………………2

基本额定值和特性

4………………………2

概述

4.1…………………2

额定值极限值

4.2()……………………3

电气特性

4.3……………3

测试方法

5…………………3

概述

5.1…………………3

结温度传感器的电路图

5.2PN…………3

温度敏感度

5.3…………………………5

偏置电压工作电流

5.4…………………6

输出电压

5.5……………7

非线性

5.6………………7

线性调整率

5.7…………………………9

负载调整率

5.8…………………………9

可靠性试验

5.9…………………………10

附录资料性半导体温度传感器特性

A()………………11

参考文献

……………………12

Ⅰ

GB/T205215—2025/IEC60747-14-52010

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件的第部分已经发布了以下部分

GB/T20521《》14-5。GB/T20521:

第部分半导体传感器总则和分类

———14-1:(GB/T20521—2006);

第部分半导体传感器霍尔元件

———14-2:(GB/T20521.2—2025);

第部分半导体传感器压力传感器

———14-3:(GB/T20522—2006);

第部分半导体传感器结半导体温度传感器

———14-5:PN(GB/T20521.5—2025);

本文件等同采用半导体器件第部分半导体传感器结半导体

IEC60747-14-5:2010《14-5:PN

温度传感器

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

增加了部分符号描述说明

———;

增加了公式说明和式中符号说明

———。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位苏州纳芯微电子股份有限公司上海集成电路制造创新中心有限公司苏州市质

:、、

量和标准化院广州奥松电子股份有限公司

、。

本文件主要起草人童成盛高洪连邓富明赵佳张成振崔旭龙袁赛丹马绍宇王升杨盛云

:、、、、、、、、、、

邹恒松杨波沈哲峰孙冲何吉祥尹睿沈俊杰张硕张宾

、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T205215—2025/IEC60747-14-52010

.:

引言

半导体传感器是电子行业产业链中的通用基础产品广泛应用于智能汽车工业制造消费电子医

,、、、

疗健康等领域半导体器件拟由八个部分构成

。GB/T20521《》。

第部分半导体传感器传感器总规范目的在于规定各类半导体传感器的基本要求

———14-1:。。

第部分半导体传感器霍尔元件目的在于规定半导体霍尔元件的相关要求

———14-2:。。

第部分半导体传感器压力传感器目的在于规定半导体压力传感器的相关要求

———14-3:。。

第部分半导体传感器半导体加速度计目的在于规定半导体加速度计的相关要求

———14-4:。。

第部分半导体传感器结半导体温度传感器目的在于规定半导体结温度传

———14-5:PN。PN

感器的相关要求

。

第部分半导体传感器穿戴式葡萄糖传感器性能评价方法目的在于规定穿戴式葡

———14-10:。

萄糖传感器的性能评价方法

。

第部分半导体传感器用于测量紫外线光线和温度的基于声表面波的集成传感器

———14-11:、、

测试方法目的在于规定用于测量紫外线光线和温度的基于声表面波的集成传感器的性能

。、、

测试方法

。

第部分半导体传感器基于成像的气体传感器的性能测试方法目的在于规

———14-12:CMOS。

定基于成像的气体传感器性能测试方法包括术语和定义测试环境条件测试系统

CMOS,、、、

测量方法和测试报告

。

Ⅳ

GB/T205215—2025/IEC60747-14-52010

.:

半导体器件

第14-5部分半导体传感器

:

PN结半导体温度传感器

1范围

本文件规定了结温度传感器的标志基本额定值特性

PN、、。

本文件适用于半导体结温度传感器描述了相应的能用来确定各类结温度传感器的特性

PN,PN。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件第部分半导体传感器总则和分类

IEC60747-14-114-1:(Semiconductor

devices—Part14-1:Semiconductorsensors—Generalandclassification)

注半导体器件第部分半导体传感器总则和分类

:GB/T20521—200614-1:(IEC60747-14-1:2000,IDT)

3术语定义和符号

、

31术语和定义

.

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

IEC60747-14-1。

311

..

电压输出型voltageoutputstyle

电压输出型的温度传感器其温度变化通过输出电压变化来表示

,。

312

..

电流输出型currentoutputstyle

电流输出型的温度传感器其温度变化通过输出电流变化来表示

,。

313

..

电源电压范围supplyvoltagerange

温度传感器正常工作的电压范围

。

314

..

工作温度范围operatingtemperaturerange

温度传感器正常工作的温度范围

。

315

..

线性调整率lineregulation

输出电压的变化量与电源电压的变化量之比

。

注线性调整率一般使用单位毫伏每伏来表示

:(mV/V)。

1