GB/T 20521.2-2025 半导体器件 第14-2部分：半导体传感器 霍尔元件

ICS3108099

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T205212—2025

.

半导体器件

第14-2部分半导体传感器霍尔元件

:

Semiconductordevices—Part14-2Semiconductorsensors—Hallelements

:

IEC60747-14-22000MOD

(:,)

2025-12-02发布2026-07-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T205212—2025

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

符号

4………………………2

基本额定值和特性

5………………………3

通则

5.1…………………3

额定值极限值

5.2()……………………3

特性

5.3…………………4

测试方法

6…………………5

通则

6.1…………………5

霍尔输出电压V

6.2(H)…………………5

偏移电压V

6.3(O)………………………7

输入电阻R

6.4(in)………………………7

输出电阻R

6.5(out)………………………8

霍尔输出电压的温度系数α

6.6(VH)……………………9

输入电阻的温度系数α

6.7(Rin)…………9

附录资料性本文件与结构编号对照情况

A()IEC60747-14-2:2000………………11

Ⅰ

GB/T205212—2025

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件的第部分已经发布了以下部分

GB/T20521《》14-2,GB/T20521:

第部分半导体传感器总则和分类

———14-1:(GB/T20521—2006);

第部分半导体传感器霍尔元件

———14-2:(GB/T20521.2—2025);

第部分半导体传感器压力传感器

———14-3:(GB/T20522—2006);

第部分半导体传感器结半导体温度传感器

———14-5:PN(GB/T20521.5—2025)。

本文件修改采用半导体器件第部分半导体传感器霍尔元件

IEC60747-14-2:2000《14-2:》。

本文件与相比在结构上有较多调整两个文件之间的结构编号变化对照一

IEC60747-14-2:2000,,

览表见附录

A。

本文件与的技术差异及其原因如下

IEC60719-14-2:2000:

更改了半导体霍尔元件的定义以适应我国的技术条件见

———“”,(3.1)。

本文件做了下列编辑性改动

:

删除了表中的备注列

———1;

对公式编号进行了编辑性修改对公式中符号含义进行了补充说明

———,;

增加了附录资料性

———A()。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院上海传泰电子科技有限公司北京理工大学

:、、。

本文件主要起草人刘若冰严培青杨柱单雯雯霍晓敏

:、、、、。

Ⅲ

GB/T205212—2025

.

引言

半导体传感器是电子行业产业链中的通用基础产品广泛应用于智能汽车工业制造消费电子医

,、、、

疗健康等领域半导体器件拟由八个部分构成

。GB/T20521《》。

第部分半导体传感器传感器总规范目的在于规定各类半导体传感器的基本要求

———14-1:。。

第部分半导体传感器霍尔元件目的在于规定半导体霍尔元件的相关要求

———14-2:。。

第部分半导体传感器压力传感器目的在于规定半导体压力传感器的相关要求

———14-3:。。

第部分半导体传感器半导体加速度计目的在于规定半导体加速度计的相关要求

———14-4:。。

第部分半导体传感器结半导体温度传感器目的在于规定半导体结温度传

———14-5:PN。PN

感器的相关要求

。

第部分半导体传感器穿戴式葡萄糖传感器性能评价方法目的在于规定穿戴式葡

———14-10:。

萄糖传感器的性能评价方法

。

第部分半导体传感器用于测量紫外线光线和温度的基于声表面波的集成传感器

———14-11:、、

测试方法目的在于规定用于测量紫外线光线和温度的基于声表面波的集成传感器的性能

。、、

测试方法

。

第部分半导体传感器基于成像的气体传感器的性能测试方法目的在于规

———14-12:CMOS。

定基于成像的气体传感器性能测试方法包括术语与定义测试环境条件测试系统

CMOS,、、、

测试方法和测试报告

。

Ⅳ

GB/T205212—2025

.

半导体器件

第14-2部分半导体传感器霍尔元件

:

1范围

本文件规定了利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件的要求

。

本文件适用于利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件分立器件和集成电路第部分总则

GB/T17573—19981:(IEC60747-1:1983,

IDT)

静电第部分电子器件静电现象的防护一般要求

IEC61340-5-1:20165-1:

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

半导体霍尔元件semiconductorHallelement

受到有磁感应强度的磁场作用而产生电压的半导体元件产生的电压与控制电压和磁感应强度成

。

正比

。

注控制电压定义见

:3.4。

32

.

霍尔迁移率Hallmobility

根据霍尔效应测量的电子迁移率

。

33

.

控制电流controlcurrent

输出端空载时施加在元件输入端的恒定电流

,。

34

.

控制电压controlvoltage

输出端空载时施加在元件输入端的恒定电压

,。

35

.

偏移电压offsetvoltage

残余电压

residualvoltage

在未施加磁场条件下对元件输入端施加规定的电压电流时输出端产生的电压

,(),。

1