19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 48298.1-2026 半导体器件 汽车用半导体接口 第1部分:汽车传感器用电源接口通用要求 即将实施
    译:GB/T 48298.1-2026 Semiconductor devices—Semiconductor interface for automotive vehicles—Part 1:General requirements of power interface for automotive vehicle sensors
    适用范围:本文件规定了汽车传感器用电源接口性能评估和环境条件的通用要求。 本文件适用于汽车传感器用电源接口的测试和试验。 注:汽车传感器(以下简称“传感器”)用电源接口的补充信息见附录A。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L47其他
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-10-30 | 实施时间: 2027-05-01
  • GB/T 48163.1-2026 半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第1部分:基于振动的压电能量收集器 即将实施
    译:GB/T 48163.1-2026 Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 1:Vibration based piezoelectric energy harvesting
    适用范围:本文件界定了基于振动的压电能量收集器的术语、定义、符号和结构,描述了用于评估和确定压电能量收集器性能的测试方法。 本文件适用于消费、工业、军事和航空航天中应用的基于振动的压电能量收集器件,对器件技术、形状和尺寸不作限制。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L47其他
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-09-28 | 实施时间: 2027-04-01
  • GB/T 48163.2-2026 半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第2部分:基于热功率的热电能量收集器 即将实施
    译:GB/T 48163.2-2026 Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 2:Thermo power based thermoelectric energy harvesting
    适用范围:本文件规定了微型热电能量发生器、微型加热器和微型冷却器中薄膜热功率的定义和测试步骤,以及用于评估线、块、厚度小于5μm的薄膜和具有热电薄膜的能量收集器件热电性能的测试方法和性能参数。 本文件适用于消费、工业、军事和航空航天领域中的能量收集器件,对器件技术及尺寸不作限制。 注:热电能量发生器的相关说明见附录A。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-09-28 | 实施时间: 2027-04-01
  • GB/T 48163.8-2026 半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第8部分:低功耗电子产品中柔性和可拉伸超级电容器的测试和评估方法 即将实施
    译:GB/T 48163.8-2026 Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 8:Test and evaluation methods of flexible and stretchable supercapacitors for use in low power electronics
    适用范围:本文件界定了柔性和可拉伸超级电容器的术语和定义,描述了用于确定柔性和可拉伸超级电容器性能的测试和评估方法。超级电容器实际应用于低功耗电子产品,如能量采集的储存器件、可拉伸的电子产品、低功耗设备、物联网(loT)应用等。 本文件适用于所有柔性和可拉伸超级电容器的消费者和制造商,对器件技术和尺寸不作限制。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-09-28 | 实施时间: 2027-04-01
  • GB/T 48163.3-2026 半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第3部分:基于振动的电磁能量收集器 即将实施
    译:GB/T 48163.3-2026 Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 3:Vibration based eletromagnetic energy harvesting
    适用范围:本文件规定了基于振动的电磁能量收集器的术语、定义,描述了用于评估和确定电磁能量收集器性能的测试方法。 本文件适用于消费、工业、军事和航空航天中应用的基于振动的电磁能量收集器件,对器件技术、形状和尺寸不作限制。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L47其他
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-09-28 | 实施时间: 2027-04-01
  • GB/T 48163.5-2026 半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第5部分:测量柔性热电器件发电功率的测试方法 即将实施
    译:GB/T 48163.5-2026 Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 5:Test method for measuring generated power from flexible thermoelectric devices
    适用范围:本文件界定了柔性热电器件的术语、定义,描述了用于评估和确定柔性热电器件性能的测试方法以及柔性热电器件的温度、温差、接触条件、绝缘和弯曲半径等试验条件。 本文件适用于柔性半导体器件中的柔性热电器件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-09-28 | 实施时间: 2027-04-01
  • T/CSMNT 001-2026 集成放大多通道微流控芯片 设计规范 现行
    译:T/CSMNT 001-2026 Design specification for integrated scale-up multi-channel microfluidic chips
    适用范围:本文件适用于液滴规模化制造集成放大多通道微流控芯片的设计。其中"集成放大"指由经验证的单通道液滴生成单元向多通道并行阵列的规模扩展。 本文件规定了液滴规模化制造集成放大多通道微流控芯片的设计要求,包括命名、设计要求、设计验证方法
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-09-01 | 实施时间: 2026-09-01
  • GB/T 47239.4-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第4部分:柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜的疲劳评价 即将实施
    译:GB/T 47239.4-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 4:Fatigue evaluation for flexible conductive thin film on the substrate for flexible semiconductor devices
    适用范围:本文件描述了柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜弯曲疲劳的评价方法。薄膜样品主要包括沉积或粘接在非导电柔性基板上的薄膜,例如用于柔性半导体器件的金属薄膜、透明导电电极和硅薄膜。疲劳试验方法包括动态弯曲疲劳试验和静态弯曲疲劳试验。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • GB/T 47239.6-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第6部分:柔性导电薄膜的薄层电阻测试方法 即将实施
    译:GB/T 47239.6-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 6:Test method for sheet resistance of flexible conducting films
    适用范围:本文件界定了弯曲试验条件下柔性导电薄膜薄层电阻测试的术语和定义,描述了测试方法。测试方法包括两探针法、四探针法和蒙哥马利法,这些方法能用于原位、异位测量以及各向异性薄层电阻的测量。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • GB/T 47239.3-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第3部分:柔性基板在凸起状态下的薄膜晶体管性能评价 即将实施
    译:GB/T 47239.3-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 3:Evaluation of thin film transistor characteristics on flexible substrates under bulging
    适用范围:本文件描述了制备在柔性基板上的薄膜晶体管在凸起状态下器件性能的评价方法。 本文件所述的薄膜晶体管,其制备在包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、合成橡胶等材料在内的柔性基板上。其性能评价过程中的应力加载方式,是借助外部设备在柔性基板上施加均匀的压力。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • GB/T 47239.5-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第5部分:柔性材料热特性测试方法 即将实施
    译:GB/T 47239.5-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 5:Test method for thermal characteristics of flexible materials
    适用范围:本文件描述了柔性材料热特性的测试方法,包括用于柔性材料热特性评估的相关术语、定义、符号和测试方法。该方法是一种非接触式的光学测温方法,主要基于材料光学反射率与温度之间的关系。 本文件适用于可弯曲或拉伸的柔性基板和柔性薄膜半导体材料。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • GB/T 47239.2-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第2部分:柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法 即将实施
    译:GB/T 47239.2-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 2:Evaluation method for electron mobility,sub-threshold swing,and threshold voltage of flexible devices
    适用范围:本文件界定了用于评价和确定柔性薄膜晶体管(TFT)器件性能特征的术语、定义和符号,描述了评价方法。本文件描述的评价方法和特征参数适用于准确评价柔性薄膜晶体管器件在实际弯曲状态下的性能和可靠性。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • GB/T 47239.1-2026 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第1部分:柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法 即将实施
    译:GB/T 47239.1-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 1:Bending test method for conductive thin films on flexible substrates
    适用范围:本文件描述了沉积或黏合在非导电柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法,以测量薄膜的机电性能或柔韧性。导电薄膜广泛应用于柔性半导体器件,是指沉积或黏合到非导电柔性基板上的薄膜,如金属薄膜、透明导电电极和硅薄膜等。由于薄膜-基板之间的界面黏附作用,柔性基板上的薄膜与独立的薄膜和基板机电特性不同。本文件的目的是确立用于评估柔性基板上导电薄膜机电性能或柔韧性的简单且可重复的试验方法。本文件中的弯曲试验方法包括外弯曲试验和内弯曲试验。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-28 | 实施时间: 2027-03-01
  • GB/Z 46809.2-2026 半导体器件 第19-2部分:智能传感器 低功耗运行的智能传感器及电源的规格说明 现行
    译:GB/Z 46809.2-2026 Semiconductor devices—Part 19-2:Smart sensors—Indication of specifications of smart sensors and power supplies for low power operation
    适用范围:本文件提供了使用自主电源的智能传感器器件或模组的规格说明,其中智能传感器、终端模块和电源构成低功耗运行的智能传感单元,能将智能传感器的输出数据发送到外部。本文件还提供了智能传感器的电源规格说明指南。基于这些因素,从全新设计的低功耗智能传感单元的角度来看,其3个组成部分能很轻松地选择和组合起来。 本文件适用于低功耗智能传感单元(包括智能传感器、终端模块和电源)的设计。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-08-27 | 实施时间: -
  • T/CAEE 107-2026 玻璃钝化芯片(GPP) 现行
    译:T/CAEE 107-2026 Glass passivation process chip (GPP)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L53半导体发光器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-08-26 | 实施时间: 2026-08-26
  • T/CMEEEA 340-2026 碳化硅用高温高能离子注入机铝离子源技术规范 现行
    译:T/CMEEEA 340-2026 Technical specifications for aluminum ion source of high-temperature and high-energy ion implanter for silicon carbide
    适用范围:本文件适用于以碳化硅(SiC)半导体材料为注入对象,加速能量范围为50 keV~2 MeV、束流强度不小于100 μA的高温高能离子注入机所用铝离子源,其他类型离子注入机的铝离子源可参照本规范执行。 本文件规定了碳化硅用高温高能离子注入机铝离子源(以下简称“铝离子源”)的工作要求、系统结构与功能、技术要求、试验方法
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :暂无
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2026-07-30 | 实施时间: 2026-08-29
  • GB/T 47767-2026 微机电系统(MEMS)技术 压电微悬臂梁机电转换特性的测试方法 即将实施
    译:GB/T 47767-2026 Micro-electromechanical systems technology—Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of piezoelectric MEMS cantilever
    适用范围:微悬臂梁是微传感器和微执行器的典型结构,为了获得具有微器件结构的压电薄膜的实际和精确的压电系数。本文件描述了微悬臂梁上压电薄膜机电转换特性的测试方法。本文件适用于通过MEMS工艺制造的微悬臂上的压电薄膜机电转换特性的测试,适用于消费者、工业或任何其他压电器件的应用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 47752-2026 微机电系统(MEMS)技术 柔性微机电器件循环弯曲变形后电气特性测试方法 即将实施
    译:GB/T 47752-2026 Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Test method of electrical characteristics after cyclic bending deformation for flexible micro-electromechanical devices
    适用范围:本文件描述了柔性机电器件循环弯曲变形后电气特性的测试方法。该器件包括位于柔性薄膜上或嵌入柔性薄膜中的无源微元件和有源微元件。涉及的器件外形尺寸通常为1 mm~300 mm,厚度通常为10 μm~1 mm。本测试方法旨在通过性能-弯曲程度-循环次数图(三维P-S-N图),在弯曲程度和重复循环次数的加载空间上可视化循环弯曲变形后的整个性能衰减情况。本文件对于在一定程度的循环弯曲变形下估算器件运行周期的安全裕度和可靠性至关重要。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L59微型组件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 47768-2026 微机电系统(MEMS)技术 玻璃浆料键合强度的微型V形试验(MCT)测量方法 即将实施
    译:GB/T 47768-2026 Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Bond strength test for glass frit bonded structures using micro-chevron-tests(MCT)
    适用范围:本文件规定了用于评估玻璃浆料键合强度的微型V形试验(MCT)测量方法,描述了适用试件的几何形状、试件的优选尺寸以及测试条件,提供了对偏离试件几何形状的设计指导。 微型V形试验是在规定的载荷条件下(I型张开型裂纹),利用专门设计的试验芯片(微型V形试件)确定脆性材料或键合界面的键合断裂韧性(KIC),具有一致性好的特点。 图1为微型V形试验装置示例。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 47749-2026 微机电系统(MEMS)技术 微机电固态材料线性热膨胀系数测试方法 现行
    译:GB/T 47749-2026 Micro-electromechanical system (MEMS) technology—Test method for coefficient of linear thermal expansion of micro-electromechanical solid-state material
    适用范围:本文件描述了用于微机电系统、微机械以及其他微加工工艺的金属、陶瓷、聚合物等类别固态材料线性热膨胀系数测量方法。 本文件适用于尺度范围是长度0.1 mm~1 mm、宽度10 μm~1 mm、厚度0.1 μm~1 mm,温度范围是室温至该材料熔点的30%的固态材料的线性热膨胀系数测定。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L55/59微电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2026-11-01