适用范围：本文件适用于液滴规模化制造集成放大多通道微流控芯片的设计。其中"集成放大"指由经验证的单通道液滴生成单元向多通道并行阵列的规模扩展。 本文件规定了液滴规模化制造集成放大多通道微流控芯片的设计要求，包括命名、设计要求、设计验证方法

适用范围：本文件界定了弯曲试验条件下柔性导电薄膜薄层电阻测试的术语和定义,描述了测试方法。测试方法包括两探针法、四探针法和蒙哥马利法,这些方法能用于原位、异位测量以及各向异性薄层电阻的测量。

适用范围：本文件描述了柔性材料热特性的测试方法,包括用于柔性材料热特性评估的相关术语、定义、符号和测试方法。该方法是一种非接触式的光学测温方法,主要基于材料光学反射率与温度之间的关系。 本文件适用于可弯曲或拉伸的柔性基板和柔性薄膜半导体材料。

适用范围：本文件描述了柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜弯曲疲劳的评价方法。薄膜样品主要包括沉积或粘接在非导电柔性基板上的薄膜,例如用于柔性半导体器件的金属薄膜、透明导电电极和硅薄膜。疲劳试验方法包括动态弯曲疲劳试验和静态弯曲疲劳试验。

适用范围：本文件描述了制备在柔性基板上的薄膜晶体管在凸起状态下器件性能的评价方法。 本文件所述的薄膜晶体管,其制备在包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、合成橡胶等材料在内的柔性基板上。其性能评价过程中的应力加载方式,是借助外部设备在柔性基板上施加均匀的压力。

适用范围：本文件界定了用于评价和确定柔性薄膜晶体管(TFT)器件性能特征的术语、定义和符号,描述了评价方法。本文件描述的评价方法和特征参数适用于准确评价柔性薄膜晶体管器件在实际弯曲状态下的性能和可靠性。

适用范围：本文件描述了沉积或黏合在非导电柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法，以测量薄膜的机电性能或柔韧性。导电薄膜广泛应用于柔性半导体器件，是指沉积或黏合到非导电柔性基板上的薄膜，如金属薄膜、透明导电电极和硅薄膜等。由于薄膜-基板之间的界面黏附作用，柔性基板上的薄膜与独立的薄膜和基板机电特性不同。本文件的目的是确立用于评估柔性基板上导电薄膜机电性能或柔韧性的简单且可重复的试验方法。本文件中的弯曲试验方法包括外弯曲试验和内弯曲试验。

适用范围：本文件提供了使用自主电源的智能传感器器件或模组的规格说明，其中智能传感器、终端模块和电源构成低功耗运行的智能传感单元，能将智能传感器的输出数据发送到外部。本文件还提供了智能传感器的电源规格说明指南。基于这些因素，从全新设计的低功耗智能传感单元的角度来看，其3个组成部分能很轻松地选择和组合起来。 本文件适用于低功耗智能传感单元（包括智能传感器、终端模块和电源）的设计。

适用范围：本文件适用于以碳化硅（SiC）半导体材料为注入对象，加速能量范围为50 keV～2 MeV、束流强度不小于100 μA的高温高能离子注入机所用铝离子源，其他类型离子注入机的铝离子源可参照本规范执行。 本文件规定了碳化硅用高温高能离子注入机铝离子源（以下简称“铝离子源”）的工作要求、系统结构与功能、技术要求、试验方法

适用范围：本文件描述了柔性机电器件循环弯曲变形后电气特性的测试方法。该器件包括位于柔性薄膜上或嵌入柔性薄膜中的无源微元件和有源微元件。涉及的器件外形尺寸通常为1 mm～300 mm，厚度通常为10 μm～1 mm。本测试方法旨在通过性能-弯曲程度-循环次数图（三维P-S-N图），在弯曲程度和重复循环次数的加载空间上可视化循环弯曲变形后的整个性能衰减情况。本文件对于在一定程度的循环弯曲变形下估算器件运行周期的安全裕度和可靠性至关重要。

适用范围：微悬臂梁是微传感器和微执行器的典型结构，为了获得具有微器件结构的压电薄膜的实际和精确的压电系数。本文件描述了微悬臂梁上压电薄膜机电转换特性的测试方法。本文件适用于通过MEMS工艺制造的微悬臂上的压电薄膜机电转换特性的测试，适用于消费者、工业或任何其他压电器件的应用。

适用范围：本文件规定了用于评估玻璃浆料键合强度的微型V形试验（MCT）测量方法，描述了适用试件的几何形状、试件的优选尺寸以及测试条件，提供了对偏离试件几何形状的设计指导。 微型V形试验是在规定的载荷条件下（I型张开型裂纹），利用专门设计的试验芯片（微型V形试件）确定脆性材料或键合界面的键合断裂韧性（KIC），具有一致性好的特点。 图1为微型V形试验装置示例。

适用范围：本文件描述了用于微机电系统、微机械以及其他微加工工艺的金属、陶瓷、聚合物等类别固态材料线性热膨胀系数测量方法。 本文件适用于尺度范围是长度0.1 mm~1 mm、宽度10 μm~1 mm、厚度0.1 μm~1 mm，温度范围是室温至该材料熔点的30%的固态材料的线性热膨胀系数测定。

适用范围：本文件描述了忆阻器在连续施加电脉冲进行长时程增强或长时程抑制操作时，电导变化的线性度的测试方法。 本文件适用于两端型双极性忆阻器线性度的测试。

适用范围：本文件规定了MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片的结构与分类、基本参数、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片,其他材料基片的压阻式芯片参照使用。

适用范围：本文件为评价因硫化氢导致的发光二极管(LED)封装银和银合金变色提供了一种加速试验方法，目的是确定银和银合金变色对LED封装光通量和辐射通量维持率的影响提供相关信息。此外，该试验方法能够为LED封装的电性能因受到银和银合金腐蚀的影响提供相关信息。 试验的目的是确定硫化氢气体对LED封装材料的影响： ——银或银合金； ——有其他保护层的银或银合金； ——用银或银合金覆盖的金属。 本文件不包含因其他因素退化导致的光通量维持率、辐射通量维持率和电性能(例如，铜或硅酮部件的降解)变化。 本文件仅适用于照明应用的LED封装。

适用范围：本文件描述了一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元的性能测试方法。本文件中的性能测试方法所测试的性能包括读、电预处理、置位、复位、耐久性和保持性。 本文件适用于柔性和刚性电阻存储器件，且不受器件的工艺和尺寸限制。