适用范围：微悬臂梁是微传感器和微执行器的典型结构，为了获得具有微器件结构的压电薄膜的实际和精确的压电系数。本文件描述了微悬臂梁上压电薄膜机电转换特性的测试方法。本文件适用于通过MEMS工艺制造的微悬臂上的压电薄膜机电转换特性的测试，适用于消费者、工业或任何其他压电器件的应用。

适用范围：本文件描述了柔性机电器件循环弯曲变形后电气特性的测试方法。该器件包括位于柔性薄膜上或嵌入柔性薄膜中的无源微元件和有源微元件。涉及的器件外形尺寸通常为1 mm～300 mm，厚度通常为10 μm～1 mm。本测试方法旨在通过性能-弯曲程度-循环次数图（三维P-S-N图），在弯曲程度和重复循环次数的加载空间上可视化循环弯曲变形后的整个性能衰减情况。本文件对于在一定程度的循环弯曲变形下估算器件运行周期的安全裕度和可靠性至关重要。

适用范围：本文件规定了用于评估玻璃浆料键合强度的微型V形试验（MCT）测量方法，描述了适用试件的几何形状、试件的优选尺寸以及测试条件，提供了对偏离试件几何形状的设计指导。 微型V形试验是在规定的载荷条件下（I型张开型裂纹），利用专门设计的试验芯片（微型V形试件）确定脆性材料或键合界面的键合断裂韧性（KIC），具有一致性好的特点。 图1为微型V形试验装置示例。

适用范围：本文件描述了用于微机电系统、微机械以及其他微加工工艺的金属、陶瓷、聚合物等类别固态材料线性热膨胀系数测量方法。 本文件适用于尺度范围是长度0.1 mm~1 mm、宽度10 μm~1 mm、厚度0.1 μm~1 mm，温度范围是室温至该材料熔点的30%的固态材料的线性热膨胀系数测定。

适用范围：本文件描述了忆阻器在连续施加电脉冲进行长时程增强或长时程抑制操作时，电导变化的线性度的测试方法。 本文件适用于两端型双极性忆阻器线性度的测试。

适用范围：本文件规定了MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片的结构与分类、基本参数、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片,其他材料基片的压阻式芯片参照使用。

适用范围：本文件为评价因硫化氢导致的发光二极管(LED)封装银和银合金变色提供了一种加速试验方法，目的是确定银和银合金变色对LED封装光通量和辐射通量维持率的影响提供相关信息。此外，该试验方法能够为LED封装的电性能因受到银和银合金腐蚀的影响提供相关信息。 试验的目的是确定硫化氢气体对LED封装材料的影响： ——银或银合金； ——有其他保护层的银或银合金； ——用银或银合金覆盖的金属。 本文件不包含因其他因素退化导致的光通量维持率、辐射通量维持率和电性能(例如，铜或硅酮部件的降解)变化。 本文件仅适用于照明应用的LED封装。

适用范围：本文件描述了一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元的性能测试方法。本文件中的性能测试方法所测试的性能包括读、电预处理、置位、复位、耐久性和保持性。 本文件适用于柔性和刚性电阻存储器件，且不受器件的工艺和尺寸限制。

适用范围：本文件描述了用于评价柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性的术语和测试方法,包括试验流程和所用设备。本文件还包括环境温度和相对湿度等测试条件的通用要求。本文件中描述的测试方法侧重于评价稳定性,而不是可靠性。

适用范围：本文件适用于离子注入设备中使用的静电卡盘在环境兼容性及长期可靠性评估。 本文件规定了离子注入设备用静电卡盘极端环境兼容性及长期可靠性试验的总体要求、试验方法、试验报告和安全注意事项

适用范围：本文件适用于离子注入设备用陶瓷静电卡盘的生产制造。 本文件规定了离子注入设备用陶瓷静电卡盘的一般要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存

适用范围：本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）主要直流参数的测试方法。 本文件适用于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的测试

适用范围：本文件规定了磁耦合器和电容耦合器的术语、基本额定值、特性、安全试验及测试方法，确定了基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器的原理、隔离要求以及隔离特性。 本文件适用于各类采用磁性或电容耦合原理实现电路间信号传输与电气隔离的半导体器件。

适用范围：本文件规定了利用数字处理单元和传感器与外部终端模块之间双向通信手段实现传感功能、数据处理功能和数据输出功能的传感器的控制方案。

适用范围：本文件规定了汽车电控悬架用MEMS惯性器件的术语和定义、性能要求、试验要求和试验方法。 本文件适用于通过电子控制系统动态调整悬挂参数的主动、半主动、被动悬架系统等汽车电控悬架用MEMS惯性器件测试，其他MEMS惯性器件可参照执行。 本文件规定了汽车电控悬架用MEMS惯性器件的术语和定义、性能要求、试验要求和试验方法。 本文件适用于通过电子控制系统动态调整悬挂参数的主动、半主动、被动悬架系统等汽车电控悬架用MEMS惯性器件测试，其他MEMS惯性器件可参照执行

适用范围：本文件规定了利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件的要求。 本文件适用于利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件。

适用范围：本文件规定了忆阻器测试装置与环境条件要求，描述了忆阻器读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试方法，并规定了测试报告要求。 本文件适用于两端型双极性忆阻器的读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试。

适用范围：本文件规定了先进制程关键器件层刻蚀及表面处理超低损伤技术的术语和定义、不同类型层刻蚀损伤要求、表面处理损伤要求、检验方法及超低损伤控制。 本文件适用于半导体制造、微电子器件加工过程中使用化学、物理方法选择性去除器件特定材料层（3nm节点）的质量控制