GB/T 46567.1-2025 智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性

ICS3108099

CCSL.40.

中华人民共和国国家标准

GB/T465671—2025

.

智能计算忆阻器测试方法

第1部分基础特性

:

Intelligentcomputing—Testmethodformemristor—

Part1Basiccharacteristics

:

2025-10-31发布2025-10-31实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T465671—2025

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

待测器件

4…………………3

测试装置与环境条件

5……………………3

测试装置

5.1……………3

测试环境条件

5.2………………………5

测试方法

6…………………5

读

6.1……………………5

电预处理

6.2……………6

增强

6.3…………………7

抑制

6.4…………………8

测试报告

7…………………8

附录资料性测试报告模板

A()…………10

Ⅰ

GB/T465671—2025

.

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是智能计算忆阻器测试方法的第部分已经发布了以下

GB/T46567《》1。GB/T46567

部分

:

第部分基础特性

———1:。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国智能计算标准化工作组提出并归口

(SAC/SWG32)。

本文件起草单位之江实验室浙江大学上海复旦微电子集团股份有限公司中移杭州信息技术

:、、、()

有限公司中国计量大学复旦大学中国电子科技集团公司第十三研究所中国科学院微电子研究所

、、、、、

河北大学东北师范大学国防科技大学中国信息通信研究院浪潮电子信息产业股份有限公司华中

、、、、、

科技大学太原理工大学宁波时识科技有限公司中国科学院半导体研究所杭州国磊半导体设备有限

、、、、

公司山西太行实验室有限公司天翼云科技有限公司浙江大华技术股份有限公司北京京瀚禹电子工

、、、、

程技术有限公司北京万界数据科技有限责任公司超聚变数字技术有限公司北京云之印科技有限公

、、、

司浙江省物联网产业协会中国通信工业协会

、、。

本文件主要起草人时拓王忠新刘津畅何水兵李磊刘山佳王明钟鑫施阁吴逊许晓欣

:、、、、、、、、、、、

闫小兵王中强李莹黄伟王义楠张丽静王斌强李祎刘琦孙文绚徐海阳杨彪张乾李清江

、、、、、、、、、、、、、、

张九六张宏巍杨明黄旭辉武晨希于双铭孔维生李鹏飞黄唯静王小鹏黄涛刘海连罗联上

、、、、、、、、、、、、、

陈永祥

。

Ⅲ

GB/T465671—2025

.

引言

忆阻器的阻值状态由外加激励历史决定具备非易失性记忆功能是实现高密度低功耗快速数据

,,、、

存储的理想器件为发展高能效存算一体系统提供了切实可行的解决方案同时忆阻器可模拟生物突

,。,

触行为适用于深度神经网络和脉冲神经网络中突触功能的实现为神经形态计算领

,(DNNs)(SNNs),

域的发展奠定了基础

。

在神经形态计算等前沿应用场景中忆阻器的性能指标直接影响系统的整体效能其关键性能包

,。

括基础特性如读电预处理增强与抑制等和线性度脉冲依赖可塑性非对称性等然而当前行业

(、、)、、。,

内缺乏统一的测试方法标准导致不同单位间的性能评估结果缺乏可比性制约了技术的规范化发展

,,。

为解决这一问题亟需建立科学系统的测试规范以保障忆阻器性能评估的客观性与一致性

,、,。

为响应产业需求并推动技术标准化智能计算忆阻器测试方法拟由四个部分

,GB/T46567《》

构成

。

第部分基础特性目的在于描述忆阻器的读电预处理增强和抑制等基础特性的测试

———1:。、、

方法

。

第部分线性度目的在于描述忆阻器线性度的测试方法

———2:。。

第部分脉冲依赖可塑性目的在于描述忆阻器脉冲依赖可塑性的测试方法

———3:。。

第部分非对称性目的在于描述忆阻器非对称性的测试方法

———4:。。

Ⅳ

GB/T465671—2025

.

智能计算忆阻器测试方法

第1部分基础特性

:

1范围

本文件规定了忆阻器测试装置与环境条件要求描述了忆阻器读电预处理增强和抑制等基础特

,、、

性的测试方法并规定了测试报告要求

,。

本文件适用于两端型双极性忆阻器的读电预处理增强和抑制等基础特性的测试

、、。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件

。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

31

.

忆阻器memristor

一种能够通过电阻值的变化记忆流经电荷量或磁通量的非线性电子元件

。

32

.

突触前电压pre-synapticvoltage

V

pre

施加在忆阻器突触前神经元的电压

。

33

.

突触后电压post-synapticvoltage

V

post

施加在忆阻器突触后神经元的电压

。

34

.

忆阻器电阻resistanceofmemristor

R

read

读过程中测得的忆阻器的电阻值即读电压与读电流的比值

(3.6),(3.7)(3.8)。

35

.

忆阻器电导conductanceofmemristor

G

read

读过程中测得的忆阻器的电导值即读电流与读电压的比值

(3.6),(3.8)(3.7)。

36

.

读read

获取忆阻器电阻或忆阻器电导的操作

(3.4)(3.5)。

1