GB/T 44513-2024 微机电系统(MEMS)技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法

GB/T 44513-2024 Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Environmental test methods of MEMS piezoelectric thin films for sensor application

国家标准 中文简体 现行 页数:20页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GB/T 44513-2024
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2024-09-29
实施日期
2025-01-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
适用范围
本文件描述了在环境应力(温度和湿度)、机械应力和应变下,评估MEMS压电薄膜材料耐久性的试验方法,以及用于质量评估的试验条件。本文件具体描述了在温度、湿度条件和外加电压下测量被测器件耐久性的试验方法和试验条件。
本文件适用于评估MEMS压电薄膜材料的耐久性和质量,也适用于评估在硅衬底上形成的压电薄膜的正压电性能,例如用作声学传感器或悬臂式传感器的压电薄膜。
本文件不包括可靠性评估,如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法。

文前页预览

研制信息

起草单位:
昆山昆博智能感知产业技术研究院有限公司、中用科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、苏州大学、成都航天凯特机电科技有限公司、武汉大学、北京智芯微电子科技有限公司、无锡华润上华科技有限公司、昆山双桥传感器测控技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、中国科学院微电子研究所、重庆宸硕测控技术有限公司、苏州市质量和标准化院、苏州慧闻纳米科技有限公司、上海新微技术研发中心有限公司、苏州科技大学、苏州晶方半导体科技股份有限公司、太原航空仪表有限公司、山东中科思尔科技有限公司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司、河北初光汽车部件有限公司、广东润宇传感器股份有限公司、芜湖乐佳电器有限公司
起草人:
陈立国、江大白、李根梓、刘会聪、蒋礼平、刘胜、方东明、夏长奉、王冰、周维虎、许宙、钟鸣、张硕、孙旭辉、夏燕、娄亮、程新利、杨剑宏、陈志文、张中飞、胡增、商艳龙、王阳俊、高峰、卢弈鹏、袁长作、仲胜利、李海全、钱勇国
出版信息:
页数:20页 | 字数:23 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS3108099

CCSL.59.

中华人民共和国国家标准

GB/T44513—2024/IEC62047-372020

:

微机电系统MEMS技术传感器用

()

MEMS压电薄膜的环境试验方法

Micro-electromechanicalsstemsMEMStechnolo—Environmentaltest

y()gy

methodsofMEMSpiezoelectricthinfilmsforsensorapplication

IEC62047-372020Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—

(:,

Part37EnvironmentaltestmethodsofMEMSiezoelectricthinfilmsforsensor

:p

alicationIDT

pp,)

2024-09-29发布2025-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T44513—2024/IEC62047-372020

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

试验流程

4…………………1

总则

4.1…………………1

初始测量

4.2……………2

试验

4.3…………………2

后处理

4.4………………2

最终测量

4.5……………3

环境和介质耐电压试验

5…………………3

环境试验

5.1……………3

介质耐电压试验

5.2……………………6

附录资料性测试结果报告

A()…………8

总则

A.1…………………8

高温影响试验

A.2………………………8

参考文献

……………………11

Ⅰ

GB/T44513—2024/IEC62047-372020

:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半导体器件微机电器件第部分传感器用压

IEC62047-37:2020《37:MEMS

电薄膜的环境试验方法

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

为与现有标准协调将标准名称改为微机电系统技术传感器用压电薄膜

———,《(MEMS)MEMS

的环境试验方法

》;

修改了表格中厚度为使表格内容与附录文本表述的内容相对应

———A.1PZT3μm2μm,A。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC336)。

本文件起草单位昆山昆博智能感知产业技术研究院有限公司中用科技有限公司中机生产力促

:、、

进中心有限公司苏州大学成都航天凯特机电科技有限公司武汉大学北京智芯微电子科技有限公

、、、、

司无锡华润上华科技有限公司昆山双桥传感器测控技术有限公司深圳市美思先端电子有限公司中

、、、、

国科学院微电子研究所重庆宸硕测控技术有限公司苏州市质量和标准化院苏州慧闻纳米科技有限

、、、

公司上海新微技术研发中心有限公司苏州科技大学苏州晶方半导体科技股份有限公司太原航空仪

、、、、

表有限公司山东中科思尔科技有限公司明石创新烟台微纳传感技术研究院有限公司河北初光汽

、、()、

车部件有限公司广东润宇传感器股份有限公司芜湖乐佳电器有限公司

、、。

本文件主要起草人陈立国江大白李根梓刘会聪蒋礼平刘胜方东明夏长奉王冰周维虎

:、、、、、、、、、、

许宙钟鸣张硕孙旭辉夏燕娄亮程新利杨剑宏陈志文张中飞胡增商艳龙王阳俊高峰卢弈鹏

、、、、、、、、、、、、、、、

袁长作仲胜利李海全钱勇国

、、、。

Ⅲ

GB/T44513—2024/IEC62047-372020

:

微机电系统MEMS技术传感器用

()

MEMS压电薄膜的环境试验方法

1范围

本文件描述了在环境应力温度和湿度机械应力和应变下评估压电薄膜材料耐久性的

()、,MEMS

试验方法以及用于质量评估的试验条件本文件具体描述了在温度湿度条件和外加电压下测量被测

,。、

器件耐久性的试验方法和试验条件

。

本文件适用于评估压电薄膜材料的耐久性和质量也适用于评估在硅衬底上形成的压电薄

MEMS,

膜的正压电性能例如用作声学传感器或悬臂式传感器的压电薄膜

,。

本文件不包括可靠性评估如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法

,。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件微机电器件第部分压电薄膜机电转换特性的测量方

IEC62047-3030:MEMS

法

(Semiconductor—Micro-electromechanicaldevices—Part30:Measurementmethodsofelectro-me-

chanicalconversioncharacteristicsofMEMSpiezoelectricthinfilm)

注微机电系统技术压电薄膜机电转换特性的测量方法

:GB/T44515—2024(MEMS)MEMS(IEC62047-30:

2017,IDT)

环境试验第部分试验方法试验温度变化

GB/T2423.22—20122:N:(IEC60068-2-14:

2009,IDT)

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义

。

4试验流程

41总则

.

通过测量在施加温度和湿度环境应力前后被测器件的压电性能评价其退化程度图为试验过程

。1

的基本流程

。

1

定制服务