GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
GB/T 43493.1-2023 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1:Classification of defects
国家标准
中文简体
现行
页数：21页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
GB/T 43493.1-2023
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2023-12-28
实施日期
2024-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。
发布历史
-
2023年12月
研制信息
- 起草单位：
- 河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、山东天岳先进科技股份有限公司、之江实验室、浙江大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体(天津)有限公司、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳创智芯联科技股份有限公司、深圳市晶扬电子有限公司、广州弘高科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、中微半导体(上海)有限公司
- 起草人：
- 房玉龙、芦伟立、李佳、张冉冉、张红岩、王健、李丽霞、殷源、李振廷、张建峰、徐晨、杨青、刘立娜、钮应喜、金向军、丁雄杰、刘薇、杨玉聪、魏汝省、吴会旺、姚玉、高东兴、王辉、陆敏、夏俊杰、周少丰、郭世平
- 出版信息：
- 页数：21页 | 字数：42 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS31.080.99
CCSL90
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT43493.12023IEC63068-12019
半导体器件
功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的
无损检测识别判据
:
第部分缺陷分类
1
—
SemiconductordeviceNon-destructivereconitioncriteriaofdefectsinsilicon
g
—:
carbidehomoeitaxialwaferforowerdevicesPart1Classificationofdefects
pp
(:,)
IEC63068-12019IDT
2023-12-28发布2024-07-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—/:
GBT43493.12023IEC63068-12019
目次
前言…………………………Ⅲ
引言…………………………Ⅳ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4缺陷分类…………………5
4.1通则…………………5
4.2缺陷类别说明………………………5
参考文献……………………17
Ⅰ
/—/:
GBT43493.12023IEC63068-12019
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
/《》
本文件是半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据的
GBT43493
第部分。/已经发布了以下部分:
1GBT43493
———:;
第部分缺陷分类
1
———:;
第部分缺陷的光学
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