GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法
GB/T 43493.3-2023 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3:Test method for defects using photoluminescence
国家标准
中文简体
现行
页数:21页
|
格式:PDF
基本信息
标准号
GB/T 43493.3-2023
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2023-12-28
实施日期
2024-07-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例,为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。
发布历史
-
2023年12月
研制信息
- 起草单位:
- 河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、广东天域半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、厦门特仪科技有限公司
- 起草人:
- 芦伟立、房玉龙、李佳、殷源、丁雄杰、张冉冉、王健、李丽霞、张建峰、李振廷、徐晨、杨青、刘立娜、杨世兴、马康夫、钮应喜、金向军、尹志鹏、刘薇、陆敏、周少丰、林志阳
- 出版信息:
- 页数:21页 | 字数:42 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS31.080.99
CCSL90
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT43493.32023IEC63068-32020
半导体器件
功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的
无损检测识别判据
:
第部分缺陷的光致发光检测方法
3
—
SemiconductordeviceNon-destructivereconitioncriteriaofdefectsinsilicon
g
—:
carbidehomoeitaxialwaferforowerdevicesPart3Testmethodfor
pp
defectsusinhotoluminescence
gp
(:,)
IEC63068-32020IDT
2023-12-28发布2024-07-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—/:
GBT43493.32023IEC63068-32020
目次
前言…………………………Ⅲ
引言…………………………Ⅳ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4光致发光法………………4
4.1通则…………………4
4.2原理…………………4
4.3测试需求……………5
4.4参数设置……………7
4.5测试步骤……………7
4.6评价…………………7
4.7精密度………………8
4.8测试报告……………8
()…………………
附录资料性缺陷的光致发光图像
A9
A.1概述…………………9
A.2BPD…………………9
A.3堆垛层错…………………………10
A.4延伸堆垛层错……………………10
A.5复合堆垛层错……………………11
A.6多型包裹体………………………11
()……………………
附录资料性缺陷的光致发光谱
B
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