GB/T 43493.3-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法

GB/T 43493.3-2023 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3:Test method for defects using photoluminescence

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基本信息

标准号

GB/T 43493.3-2023

发布历史

2023年12月

GB/T 43493.3-2023　半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第3部分：缺陷的光致发光检测方法

当前标准现行 2023-12-28

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研制信息

起草单位：: 河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、广东天域半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、厦门特仪科技有限公司

起草人：: 芦伟立、房玉龙、李佳、殷源、丁雄杰、张冉冉、王健、李丽霞、张建峰、李振廷、徐晨、杨青、刘立娜、杨世兴、马康夫、钮应喜、金向军、尹志鹏、刘薇、陆敏、周少丰、林志阳

出版信息：: 页数：21页 | 字数：42 千字 | 开本：大16开

内容描述

ICS31.080.99

CCSL90

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT43493.32023IEC63068-32020

半导体器件

功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的

无损检测识别判据

第部分缺陷的光致发光检测方法

—

SemiconductordeviceNon-destructivereconitioncriteriaofdefectsinsilicon

—:

carbidehomoeitaxialwaferforowerdevicesPart3Testmethodfor

defectsusinhotoluminescence

(:,)

IEC63068-32020IDT

2023-12-28发布2024-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—/:

GBT43493.32023IEC63068-32020

前言…………………………Ⅲ

引言…………………………Ⅳ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4光致发光法………………4

4.1通则…………………4

4.2原理…………………4

4.3测试需求……………5

4.4参数设置……………7

4.5测试步骤……………7

4.6评价…………………7

4.7精密度………………8

4.8测试报告……………8

()…………………

附录资料性缺陷的光致发光图像

A.1概述…………………9

A.2BPD…………………9

A.3堆垛层错…………………………10

A.4延伸堆垛层错……………………10

A.5复合堆垛层错……………………11

A.6多型包裹体………………………11

()……………………

附录资料性缺陷的光致发光谱

定制服务

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第2部分现行

采用标准

IEC 63068-3:2020

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