GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
GB/T 43493.2-2023 Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2:Test method for defects using optical inspection
基本信息
本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。
发布历史
-
2023年12月
研制信息
- 起草单位：
- 河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、之江实验室、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、山西烁科晶体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、深圳市恒运昌真空技术有限公司、深圳市鹰眼在线电子科技有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、常州臻晶半导体有限公司、厦门柯尔自动化设备有限公司、厦门普诚科技有限公司
- 起草人：
- 芦伟立、房玉龙、李佳、张冉冉、李丽霞、杨青、殷源、刘立娜、张建峰、李振廷、徐晨、宋生、张永强、钮应喜、金向军、毛开礼、丁雄杰、刘薇、周少丰、庄建军、乐卫平、周翔、夏俊杰、陆敏、郑隆结、薛联金
- 出版信息：
- 页数：22页 | 字数：45 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS31.080.99
CCSL90
中华人民共和国国家标准
/—/:
GBT43493.22023IEC63068-22019
半导体器件
功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的
无损检测识别判据
:
第部分缺陷的光学检测方法
2
—
SemiconductordeviceNon-destructivereconitioncriteriaofdefectsinsilicon
g
—:
carbidehomoeitaxialwaferforowerdevicesPart2Testmethodfor
pp
defectsusinoticalinsection
gpp
(:,)
IEC63068-22019IDT
2023-12-28发布2024-07-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—/:
GBT43493.22023IEC63068-22019
目次
前言…………………………Ⅰ
引言…………………………Ⅱ
1范围………………………1
2规范性引用文件…………………………1
3术语和定义………………1
4光学检测方法……………5
4.1通则…………………5
4.2原理…………………5
4.3测试需求……………5
4.4参数设置……………7
4.5测试步骤……………7
4.6评价…………………7
4.7精密度………………7
4.8测试报告……………7
()…………………
附录资料性缺陷的光学检测图像
A9
A.1概述…………………9
A.2微管…………………9
A.3TSD…………………9
A.4TED………………10
A.5BPD………………11
A.6划痕痕迹…………………………11
A.7堆垛层错…………………………11
A.8延伸堆垛层错……………………12
A.9复合堆垛层错……………………14
A.10多型包裹体………………………14
A.11颗粒包裹体………
定制服务
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