适用范围：本文件描述了用于评价柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性的术语和测试方法,包括试验流程和所用设备。本文件还包括环境温度和相对湿度等测试条件的通用要求。本文件中描述的测试方法侧重于评价稳定性,而不是可靠性。

适用范围：本文件适用于离子注入设备中使用的静电卡盘在环境兼容性及长期可靠性评估。 本文件规定了离子注入设备用静电卡盘极端环境兼容性及长期可靠性试验的总体要求、试验方法、试验报告和安全注意事项

适用范围：本文件适用于离子注入设备用陶瓷静电卡盘的生产制造。 本文件规定了离子注入设备用陶瓷静电卡盘的一般要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存

适用范围：本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）主要直流参数的测试方法。 本文件适用于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的测试

适用范围：本文件规定了磁耦合器和电容耦合器的术语、基本额定值、特性、安全试验及测试方法，确定了基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器的原理、隔离要求以及隔离特性。 本文件适用于各类采用磁性或电容耦合原理实现电路间信号传输与电气隔离的半导体器件。

适用范围：本文件规定了利用数字处理单元和传感器与外部终端模块之间双向通信手段实现传感功能、数据处理功能和数据输出功能的传感器的控制方案。

适用范围：本文件规定了汽车电控悬架用MEMS惯性器件的术语和定义、性能要求、试验要求和试验方法。 本文件适用于通过电子控制系统动态调整悬挂参数的主动、半主动、被动悬架系统等汽车电控悬架用MEMS惯性器件测试，其他MEMS惯性器件可参照执行。 本文件规定了汽车电控悬架用MEMS惯性器件的术语和定义、性能要求、试验要求和试验方法。 本文件适用于通过电子控制系统动态调整悬挂参数的主动、半主动、被动悬架系统等汽车电控悬架用MEMS惯性器件测试，其他MEMS惯性器件可参照执行

适用范围：本文件规定了利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件的要求。 本文件适用于利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件。

适用范围：本文件规定了忆阻器测试装置与环境条件要求，描述了忆阻器读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试方法，并规定了测试报告要求。 本文件适用于两端型双极性忆阻器的读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试。

适用范围：本文件规定了先进制程关键器件层刻蚀及表面处理超低损伤技术的术语和定义、不同类型层刻蚀损伤要求、表面处理损伤要求、检验方法及超低损伤控制。 本文件适用于半导体制造、微电子器件加工过程中使用化学、物理方法选择性去除器件特定材料层（3nm节点）的质量控制

适用范围：主要技术内容:本标准规定了低温余热收集用半导体温差发电（TEG）器件的产品型号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存，适用于此类器件的生产和检验。其中，产品型号命名由 6 个部分组成，涵盖半导体温差发电器件符号、级数、pn 电偶总对数等信息；技术要求涉及外观、热电参数、引出线强度、可靠性、有害元素含量等方面；试验方法对各项要求的检测条件和操作做出了明确规定；检验分为定型检验、交收检验和例行检验，不同检验的时机、项目、抽样及合格判定规则各异；同时还对产品的标志、包装、运输和贮存提出了相应要求。This standard specifies the product type, technicalrequirements, test methods, inspection rules,marking, packaging, transportation and storage of semiconductor thermoelectric powergeneration (TEG) devices for low-temperature waste heat collection, and is applicable to theproduction and inspection of such devices. Among them, the product model naming consistsof 6 parts, covering the symbol of semiconductor thermoelectric power generation devices, thenumber of stages, the total number of PN couples and other information; The technicalrequirements involve appearance, thermoelectric parameters, lead-out strength, reliability, harmfulelement content, etc.; The test method clearly stipulates the required test conditions andoperations; The i

适用范围：本文件描述了窗口薄膜的鼓胀测试方法。试样由微米/纳米结构薄膜材料制备，包括金属、陶瓷和聚合物等薄膜，用于微机电系统（MEMS）、微机械等领域。薄膜厚度范围为0.1 μm～10 μm。正方形和长方形窗口宽度范围0.5 mm～4 mm，圆形窗口直径范围0.5 mm～4 mm。 本文件适用于常温环境条件下，对窗口薄膜试样施加均匀压力进行弹性模量和残余应力测试。

适用范围：本文件描述了微柱压缩试验方法，用于MEMS 材料压缩特性的高精度、高重复性测量，且试样制造难度适中；测量试样单向压缩应力﹘应变的关系，得到试样压缩弹性模量和屈服强度。 试样是通过微加工技术在刚性（或高刚度）基体上制造的圆柱，其高径比（高度与直径的比值）大于3 为宜。本文件适用于金属、陶瓷、高分子等材料制备的高度小于100 μm 微柱的测试。

适用范围：本文件描述了测量厚度范围为0.5 μm～300 μm 金属膜材料成形极限的方法。 本文件适用于通过压印等成型工艺制造电子元器件、MEMS 的金属膜材料。

适用范围：本文件描述了长度和宽度小于1 mm、厚度在0.1 μm~10 μm 的薄膜材料的弯曲试验方法。薄膜作为主要结构材料用于微机电系统（MEMS）和微机械中。 作为微机电系统（MEMS）、微机械等器件中的主要结构材料，薄膜具有独特性，如尺寸为几微米，采用沉积、光刻等材料制备工艺，和/或非机械加工测试结构。本文件描述了微尺度光滑悬臂式测试结构的弯曲试验方法及测试结构形状，以保证与薄膜材料独特性相对应的测试精度。

适用范围：本文件描述了测量厚度范围为0.01 μm～10 μm的MEMS膜残余应力的方法，包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。 本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。

适用范围：本文件规定了基于MEMS技术的车规级压力传感器的分类、基本要求、技术要求和试验方法。 本文件适用于基于MEMS技术的车规级压力传感器，其他压力传感器参照执行。

适用范围：本文件描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法，利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩，以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。 本文件适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底（通常是硅晶片）厚度的1/100。

适用范围：本文件描述了用于压电式微传感器和微执行器等器件的压电薄膜机电转换特性测量方法。 本文件适用于MEMS工艺制备的压电薄膜。