T/CS 213-2025 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）直流参数测试方法
T/CS 213-2025 Test method for DC parameters of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor（MOSFET）
团体标准
中文(简体)
现行
页数：0页
|
格式：PDF
基本信息
标准号
T/CS 213-2025
标准类型
团体标准
标准状态
现行
发布日期
2026-01-08
实施日期
2026-01-23
发布单位/组织
-
归口单位
中国商品学会
适用范围
本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）主要直流参数的测试方法。
本文件适用于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的测试
发布历史
-
2026年01月
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研制信息
- 起草单位：
- 无锡矽鹏半导体检测有限公司、常州佑仕达智能装备有限公司、中微龙图电子科技无锡有限责任公司、无锡市软测认证有限公司、扬州亿芯微电子有限公司、福思特电子商务（南京）有限公司
- 起草人：
- 周国成、汪翱翔、戴九梅、钱秋茹、钱晨凯、窦云轩、王梁、袁宝弟、管新辰、钱裕香、周春晓、沈嘉琦、刘春苗、沈宏军、阮佟、张悦
- 出版信息：
- 页数：- | 字数：- | 开本： -
内容描述
暂无内容
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