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现行
译：GB/T 15529-1995 Blank detail specification for LED numeric displays
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L45微波、毫米波二、三极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-04-06 | 实施时间： 1995-11-01
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废止
译：GB/T 15450-1995 Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-01-05 | 实施时间： 1995-08-01
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现行
译：GB/T 15449-1995 Blank detail-specification for field-effect transistors for case-rated swatching application
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-01-05 | 实施时间： 1995-08-01
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现行
译：JB/T 7622-1994 Electrical semiconductor device process organic silicone paint
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：K10/19电工材料和通用零件
发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 1994-12-09 | 实施时间： 1995-06-01
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现行
译：SJ/T 10535-1994 Tungsten boat for semiconductor devices
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 1994-08-08 | 实施时间： 1994-12-01
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废止
译：GB/T 4298-1984 The activation analysis method for the determination of elemental impurities in semiconductor silicon materials
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1984-03-28 | 实施时间： 1985-03-01
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现行
译：T/CSA 102-2025 The thickness of the GaN epitaxial layer for heterogeneous epitaxy is tested using white light interference method
适用范围：本文件描述了使用白光干涉法测试异质外延单一结构的氮化镓外延层厚度的原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度，以及试验报告。
本文件适用于异质外延氮化镓外延层厚度（范围为11 μm至43 μm）的测试。AlN、InN、AlGaN和InGaN在异质外延上的单一结构膜层厚度的测试也可参照本文件执行。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料
发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： - | 实施时间： -
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