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T/CSA 102-2025 异质外延氮化镓外延层厚度测试 白光干涉法

T/CSA 102-2025 The thickness of the GaN epitaxial layer for heterogeneous epitaxy is tested using white light interference method

团体标准 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CSA 102-2025
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
H83 化合物半导体材料
国际标准分类号（ICS）
31.080.99 其他半导体分立器件
发布日期
-
实施日期
-
发布单位/组织
中关村半导体照明工程研发及产业联盟
归口单位
-
适用范围
本文件描述了使用白光干涉法测试异质外延单一结构的氮化镓外延层厚度的原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度，以及试验报告。 本文件适用于异质外延氮化镓外延层厚度（范围为11 μm至43 μm）的测试。AlN、InN、AlGaN和InGaN在异质外延上的单一结构膜层厚度的测试也可参照本文件执行。

发布历史

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研制信息

起草单位：
-
起草人：
-
出版信息：
页数：- | 字数：15 千字 | 开本： -

内容描述

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