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T/CSA 102-2025 异质外延氮化镓外延层厚度测试 白光干涉法

T/CSA 102-2025 The thickness of the GaN epitaxial layer for heterogeneous epitaxy is tested using white light interference method

团体标准 中文(简体) 现行 页数：0页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
T/CSA 102-2025
标准类型
团体标准
标准状态
现行
中国标准分类号（CCS）
C39 医用电子仪器设备
国际标准分类号（ICS）
31.080.99 其他半导体分立器件
发布日期
2025-10-30
实施日期
2025-10-30
发布单位/组织
-
归口单位
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（国家半导体照明工程研发及产业联盟）
适用范围
T/CSA 102—2025描述了使用白光干涉法测试异质外延单一结构的氮化镓外延层厚度的原理、试验条件、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度，以及试验报告。文件适用于异质外延氮化镓外延层厚度（范围为11 μm至43 μm）的测试。AlN、InN、AlGaN和InGaN在异质外延上的单一结构膜层厚度的测试也可参照本文件执行

发布历史

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研制信息

起草单位：
北京大学东莞光电研究院、东莞市中镓半导体科技有限公司、广东省东莞市质量监督监测中心、深圳民爆光电股份有限公司、北京大学、中国科学院半导体研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、南京大学、京东方华灿光电（浙江）有限公司、中关村半导体照明联合创新重点实验室（宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室）、普雷赛斯（苏州）智能科技有限公司
起草人：
刘强、吴载炎、丁晓民、庄文荣、李本亮、顾慧慧、颜建锋、康香宁、刘志彬、苏旭军、修向前、朱广敏、孙昕、肖飞晨
出版信息：
页数：- | 字数：- | 开本： -

内容描述

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