国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
-
即将实施
译：GB/T 47404-2026 Monocrystalline silicon carbide适用范围：本文件规定了碳化硅单晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于直径不大于300 mm的4 H及6 H碳化硅单晶。 注:产品主要用于制作碳化硅单晶抛光片,广泛用于制作电力电子器件、射频微波器件及发光二极管(LED)发光器件。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-03-31 | 实施时间： 2026-10-01收藏 -
即将实施
译：GB/T 35305-2026 Gallium arsenide monocrystalline and monocrystalline polished wafers for solar cell适用范围：本文件规定了太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的分类和牌号、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的生产、检测及质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-01-28 | 实施时间： 2026-08-01收藏
-
即将实施
译：GB/T 47097-2026 Polished monocrystalline aluminum nitride wafers适用范围：本文件规定了氮化铝单晶抛光片(以下简称“抛光片”)的牌号与分类、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容，描述了相应的试验方法。 本文件适用于微波功率器件用直径为25.4 mm和50.8 mm的抛光片的生产、检验及质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-01-28 | 实施时间： 2026-08-01收藏
-
即将实施
译：YS/T 1828-2025 Diffusion film used for doping semiconductor materials适用范围：本文件规定了半导体材料掺杂用扩散膜的术语和定义、分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于分立器件用半导体材料掺杂用扩散膜的生产和检测。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-12-17 | 实施时间： 2026-07-01收藏
-
现行
译：GB/Z 123.2-2025 Nanomanufacturing—Material specifications—Luminescent nanomaterials—Part 2:Detail specification for general lighting and display applications适用范围：本文件规定了常规照明和显示用单分散发光纳米材料的基本要求和光学要求，以实现发光纳米材料生产过程的可靠量产和质量控制。 依据本文件，客户可以采用标准化的方式对发光纳米材料提出明确要求，并用标准测量方法进行验证。 本文件不适用于发光纳米材料混合物或聚集体。【国际标准分类号(ICS)】 ：07.030物理学、化学 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2025-12-03 | 实施时间： -收藏
-
现行
译：GB/T 30858-2025 Polished mono-crystalline sapphire substrate wafer适用范围：本文件规定了蓝宝石单晶衬底抛光片（以下简称“蓝宝石衬底片”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于直径不大于200 mm的蓝宝石衬底片。产品主要用于外延生长半导体薄膜、生产蓝宝石图形化衬底、蓝宝石键合衬底等。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2025-10-31 | 实施时间： 2026-05-01收藏
-
现行
译：GB/T 30856-2025 GaAs substrates for LED epitaxial chips适用范围：本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底(以下简称“砷化镓衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2025-08-01 | 实施时间： 2026-02-01收藏
-
现行
译：YS/T 1741-2025 Silicon-based polycrystalline reduction furnace using silicon nitride products【国际标准分类号(ICS)】 ：77.120.99其他有色金属及其合金 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
-
现行
译：YS/T 1744-2025 Semiconductor-on-insulator gallium arsenide single crystal substrate sheet【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2025-04-10 | 实施时间： 2025-11-01收藏
-
现行
译：GB/T 43885-2024 Silicon carbide epitaxial wafers适用范围：本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上，生长碳化硅同质外延层的外延片，产品用于制作碳化硅电力电子器件。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2024-04-25 | 实施时间： 2024-11-01收藏
-
现行
译：GB/T 43662-2024 Patterned sapphire substrate适用范围：本文件规定了蓝宝石图形化衬底片（以下简称“衬底”）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于蓝宝石图形化衬底片的研发、生产、测试、检验及性能质量的评价。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2024-03-15 | 实施时间： 2024-10-01收藏
-
现行
译：YS/T 1655-2023 Chemical vapor deposition of zinc sulfide crystal适用范围：本文件适用于化学气相沉积法（CVD）制备的硫化锌晶体（包括标准硫化锌和多光谱硫化锌），透过波长范围为1μm～14μm。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2023-12-20 | 实施时间： 2024-07-01收藏
-
现行
译：YS/T 1653-2023 YS/T 1653-2023 Gallium nitride substrate sheet适用范围：本文件适用于半导体光电器件与电子器件用氮化镓衬底片的研发生产、测试检验等相关领域。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2023-12-20 | 实施时间： 2024-07-01收藏
-
现行
译：GB/T 30652-2023 Trichlorosilane for silicon epitaxial适用范围：本文件规定了硅外延用三氯氢硅（SiHCl 3）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于以三氯氢硅为原料精制提纯而制得的硅外延用三氯氢硅（以下简称产品）。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-08-06 | 实施时间： 2024-03-01收藏
-
现行
译：GB/T 30656-2023 Polished monocrystalline silicon carbide wafers适用范围：本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延材料用碳化硅单晶抛光片。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-03-17 | 实施时间： 2023-10-01收藏
-
现行
译：GB/T 31092-2022 Monocrystalline sapphire bar适用范围：本文件规定了蓝宝石单晶晶棒的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于衬底、光学用途的蓝宝石单晶晶棒(以下简称“晶棒”)。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-07-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11864-2022 Monocrystalline Silicon Carbide Narrow Bandgap Semiconductor Substrate (Half-Insulator)【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11865-2022 φ150mm n-type silicon carbide substrate for power devices【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏
-
现行
译：GB/T 20230-2022 Indium phosphide single crystal适用范围：本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-03-09 | 实施时间： 2022-10-01收藏
-
现行
译：GB/T 20229-2022 Gallium phosphide single crystal适用范围：本文件规定了磷化镓单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-03-09 | 实施时间： 2022-10-01收藏
即将实施
即将实施
即将实施
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行