GB/T 35305-2026 太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片

ICS29045

CCSH.83

中华人民共和国国家标准

GB/T35305—2026

代替GB/T25075—2010GB/T35305—2017

,

太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片

Galliumarsenidemonocrystallineandmonocrystallinepolishedwafersfor

solarcell

2026-01-28发布2026-08-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T35305—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替太阳能电池用砷化镓单晶抛光片和太阳能

GB/T35305—2017《》GB/T25075—2010《

电池用砷化镓单晶本文件以为主整合了的内容与

》,GB/T35305—2017,GB/T25075—2010。

相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

GB/T35305—2017,,:

增加了ϕϕ直径规格见

a)“150.0mm、200.0mm”(4.1.2);

更改了电学性能参考面的长度表面晶向和晶向偏离几何尺寸及位错密度的要求见

b)、、、(5.1~

年版的和

5.5,20174.24.3);

删除了强度要求见年版的

c)(20174.4);

更改了表面质量要求见年版的

d)(5.6,20174.5);

增加了径向电阻率变化检验内容见

e)(6.1.4);

删除了弯曲度检验内容见年版的

f)(20175.5);

更改了砷化镓单晶抛光片的取样要求见年版的

g)(7.4.2,20176.4);

更改了检验结果的判定见年版的

h)(7.5,20176.5);

更改了包装要求见年版的

i)(8.2,20177.2)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位南京集溢半导体科技有限公司中山德华芯片技术有限公司全磊光电股份有限

:、、

公司云南鑫耀半导体材料有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司南京伟福科技有限公司

、、、、

中国科学院半导体研究所大庆溢泰半导体材料有限公司

、。

本文件主要起草人赵中阳郑红军冯家峰于会永杨文奕张永林作亮李素青陈仕天赵有文

:、、、、、、、、、、

赵春锋

。

本文件于年首次发布本次为第一次修订并入了的内容

2017,,GB/T25075—2010。

Ⅰ

GB/T35305—2026

太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片

1范围

本文件规定了太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的分类和牌号技术要求检验规则标志包装

、、、、、

运输贮存及随行文件和订货单内容描述了相应的试验方法

、,。

本文件适用于太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的生产检测及质量评价

、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

包装储运图形符号标志

GB/T191

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T4326

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6620

硅片表面平整度测试方法

GB/T6621

硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T6624

砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T8760

液封直拉法砷化镓单晶及切割片

GB/T11093

硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13387

半导体晶片直径测试方法

GB/T14140

半导体材料术语

GB/T14264

半导体材料牌号表示方法

GB/T14844

硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T19921

硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

GB/T29505

硅片边缘轮廓检验方法

YS/T26

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4分类和牌号

41分类

.

411太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片按导电类型分为型和型种

..np2。

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