GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法

GB/T 8760-2020 Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide

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基本信息

标准号
GB/T 8760-2020
相关服务
标准类型
国家标准
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2020-09-29
实施日期
2021-08-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。
本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试,测试范围为0 cm-2~100 000 cm-2。

发布历史

研制信息

起草单位:
有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司
起草人:
赵敬平、林泉、于洪国、惠峰、刘淑凤、姚康、许所成、许兴、马英俊、王彤涵、赵素晓、韦圣林、陈晶晶、付萍
出版信息:
页数:8页 | 字数:16 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS77.040

H21

中华人民共和国国家标准

/—

GBT87602020

代替/—

GBT87602006

砷化镓单晶位错密度的测试方法

Testmethodfordislocationdensitofmonocrstalalliumarsenide

yyg

2020-09-29发布2021-08-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT87602020

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

/—《》。/—

本标准代替GBT87602006砷化镓单晶位错密度的测量方法本标准与GBT87602006

,:

相比除编辑性修改外主要技术变化如下

———(,);

修改了标准范围中的规定内容和适用范围见第章年版的第章

120061

———();

增加了规范性引用文件见第章

2

———、,“/

删除了位错位错密度的术语和定义增加了引导语GBT14264界定的术语和定义适用于

”(,、);

本文件见第章年版的

320062.12.2

———“”(,);

删除了方法原理中采用择优化学腐蚀技术显示位错

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