GB/T 8760-2020 砷化镓单晶位错密度的测试方法
GB/T 8760-2020 Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide
国家标准
中文简体
现行
页数：8页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2020-09-29
实施日期
2021-08-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。
本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm-2～100 000 cm-2。
本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试，测试范围为0 cm-2～100 000 cm-2。
发布历史
-
1988年02月
-
2006年07月
-
2020年09月
研制信息
- 起草单位：
- 有研光电新材料有限责任公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、中国电子科技集团第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司
- 起草人：
- 赵敬平、林泉、于洪国、惠峰、刘淑凤、姚康、许所成、许兴、马英俊、王彤涵、赵素晓、韦圣林、陈晶晶、付萍
- 出版信息：
- 页数：8页 | 字数：16 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
H21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT87602020
代替/—
GBT87602006
砷化镓单晶位错密度的测试方法
Testmethodfordislocationdensitofmonocrstalalliumarsenide
yyg
2020-09-29发布2021-08-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT87602020
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
/—《》。/—
本标准代替GBT87602006砷化镓单晶位错密度的测量方法本标准与GBT87602006
,:
相比除编辑性修改外主要技术变化如下
———(,);
修改了标准范围中的规定内容和适用范围见第章年版的第章
120061
———();
增加了规范性引用文件见第章
2
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删除了位错位错密度的术语和定义增加了引导语GBT14264界定的术语和定义适用于
”(,、);
本文件见第章年版的
320062.12.2
———“”(,);
删除了方法原理中采用择优化学腐蚀技术显示位错
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