适用范围：本文件描述了用扇形区域平整度(ESFQR、ESFQD、ESBIR)评价半导体晶片近边缘几何形态的方法。 本 文件适用于直径300 mm 硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅(SOI片),也适用于其他带有表面层的硅片或半导体材料圆形晶片。 注:直径200 mm 硅片参考本文件。

适用范围：本文件描述了300 mm硅片表面0.2 mm~20 mm空间波长范围内的纳米形貌（NT）评价方法。 本文件适用于硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅（SOI）片等300 mm无图形硅片的评价。

适用范围：本文件描述了采用声波筛分法和X射线小角散射法测定粉末粒度分布的方法。 本文件适用于粉末粒度分布的测定，测定结果的范围：声波筛分法的颗粒尺寸不小于20 μm，X射线小角散射法的颗粒尺寸不大于300 nm。 本文件不适用于形状明显不等轴的片状、针状等粉末。

适用范围：本文件规定了电工钢带(片)涂层绝缘电阻和附着性的测试方法。 本文件适用于无取向和取向电工钢带(片)表面绝缘电阻和层间电阻的测试,以及无取向和取向电工钢带(片)绝缘涂层附着性的测试。

适用范围：本文件描述了采用热分析法测定钛合金β相转变温度的方法。本文件适用于测定α钛合金、α-β钛合金和β钛合金的β相转变温度的测定

适用范围：本文件描述了用X 射线荧光光谱法测定硬质涂层厚度的方法。本文件适用于硬质涂层与基体存在不同金属元素的硬质涂层厚度的测定，厚度范围为 0. 10μm ～ 10.00μm

适用范围：本文件描述了用黏度计和流变仪测定锂离子电池正极材料浆料黏度的方法。 本文件适用于镍钴锰酸锂、镍钴铝酸锂、钴酸锂、磷酸铁锂、磷酸锰铁锂等锂离子电池正极材料浆料黏度的测定。

适用范围：本文件描述了用边缘卷曲法(ROA)评价半导体晶片近边缘几何形态的方法。 本文件适用于直径300 mm 硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅(SOI片)及其他带有表面层的圆形晶片,也适用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。 注:直径200 mm 硅片参考本文件。

适用范围：本文件描述了用四探针法测定金属粉末电导率的方法。本文件适用于铜、银、镍、铝、锌、金等金属及其合金粉末，以及其他导电金属粉末的电阻率和电导率测定。

适用范围：本文件描述了红外反射法测试重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的方法。 本文件适用于电阻率为0.000 6 Ω·cm～0.025 Ω·cm的衬底上制备的厚度大于0.5 μm的硅外延层厚度的测试。

适用范围：本文件描述了锂离子电池正极材料低温电化学性能测试方法。 本文件适用于锂离子电池用钴酸锂、镍钴锰酸锂、镍钴铝酸锂、磷酸铁锂、磷酸锰铁锂等正极材料低温电化学性能的测试。

适用范围：本文件描述了半导体单晶材料在波长0.2μm~300μm范围内透过率的测量方法。 本文件适用于硅、锗、磷化铟、硒化镉、硫化镉、碳化硅、氮化镓、氧化镓、蓝宝石、金刚石等半导体单晶材料透过率的测定。

适用范围：本文件描述了电工钢带(片)绝缘涂层热耐久性测试方法。 本文件定义了在规定温度(最高850 ℃)、规定持续时间(最高2 500 h)下进行热处理后，对电工钢带(片)绝缘涂层热耐久性进行评估试验的通用原则和技术细节，包括原理、试样、试验步骤、测量结果及试验报告。 在热处理前后的环境温度(23±5)℃下测量规定性能，本文件适用于绝缘涂层的下列性能： ——附着性； ——表面绝缘电阻/层间绝缘电阻； ——叠装系数。 本文件不适用于绝缘涂层的其他性能，如焊接性能，或暴露于高温下可能引起的变色等其他性能。因是长周期测试，本文件不适用于特定订单材料的验收测试。

适用范围：本文件描述了用比重瓶法测定金属粉末有效密度的方法。 本文件适用于金属粉末有效密度的测定。其他烧结金属材料(仅限于没有封闭孔隙的颗粒或部件)真密度的测定参考使用。

适用范围：本文件规定了钢产品单位面积上镀锌层质量试验方法的原理、试验溶液、试样、试验方法的选择、试验步骤和结果计算、再现性及试验报告。 本文件适用于纯锌镀层、锌铁合金镀层、锌镁合金镀层、锌铝镁合金镀层、铝锌合金镀层以及铝锌镁合金镀层等镀层产品。 铝硅合金镀层等其他镀层产品参照本文件执行。

适用范围：本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和非接触式测试方法。 本文件适用于厚度为0.13 mm~1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。 本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。

适用范围：本文件描述了碳化硅单晶片的微管密度的测试方法，包括化学腐蚀法和偏振光法。 本文件适用于碳化硅单晶片微管密度的测试。

适用范围：本文件描述了通过硅片热处理前后间隙氧含量的减少量来测试硅片氧沉淀特性的方法。 本文件适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶片和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶片氧沉淀特性的测试。