适用范围：本文件描述了用边缘卷曲法(ROA)评价半导体晶片近边缘几何形态的方法。 本文件适用于直径300 mm 硅抛光片、硅外延片、绝缘体上硅(SOI片)及其他带有表面层的圆形晶片,也适用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。 注:直径200 mm 硅片参考本文件。

适用范围：本文件描述了用四探针法测定金属粉末电导率的方法。本文件适用于铜、银、镍、铝、锌、金等金属及其合金粉末，以及其他导电金属粉末的电阻率和电导率测定。

适用范围：本文件描述了红外反射法测试重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的方法。 本文件适用于电阻率为0.000 6 Ω·cm～0.025 Ω·cm的衬底上制备的厚度大于0.5 μm的硅外延层厚度的测试。

适用范围：本文件描述了锂离子电池正极材料低温电化学性能测试方法。 本文件适用于锂离子电池用钴酸锂、镍钴锰酸锂、镍钴铝酸锂、磷酸铁锂、磷酸锰铁锂等正极材料低温电化学性能的测试。

适用范围：本文件描述了电工钢带(片)绝缘涂层热耐久性测试方法。 本文件定义了在规定温度(最高850 ℃)、规定持续时间(最高2 500 h)下进行热处理后，对电工钢带(片)绝缘涂层热耐久性进行评估试验的通用原则和技术细节，包括原理、试样、试验步骤、测量结果及试验报告。 在热处理前后的环境温度(23±5)℃下测量规定性能，本文件适用于绝缘涂层的下列性能： ——附着性； ——表面绝缘电阻/层间绝缘电阻； ——叠装系数。 本文件不适用于绝缘涂层的其他性能，如焊接性能，或暴露于高温下可能引起的变色等其他性能。因是长周期测试，本文件不适用于特定订单材料的验收测试。

适用范围：本文件描述了半导体单晶材料在波长0.2μm~300μm范围内透过率的测量方法。 本文件适用于硅、锗、磷化铟、硒化镉、硫化镉、碳化硅、氮化镓、氧化镓、蓝宝石、金刚石等半导体单晶材料透过率的测定。

适用范围：本文件规定了钢产品单位面积上镀锌层质量试验方法的原理、试验溶液、试样、试验方法的选择、试验步骤和结果计算、再现性及试验报告。 本文件适用于纯锌镀层、锌铁合金镀层、锌镁合金镀层、锌铝镁合金镀层、铝锌合金镀层以及铝锌镁合金镀层等镀层产品。 铝硅合金镀层等其他镀层产品参照本文件执行。

适用范围：本文件描述了用比重瓶法测定金属粉末有效密度的方法。 本文件适用于金属粉末有效密度的测定。其他烧结金属材料(仅限于没有封闭孔隙的颗粒或部件)真密度的测定参考使用。

适用范围：本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和非接触式测试方法。 本文件适用于厚度为0.13 mm~1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。 本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。

适用范围：本文件描述了碳化硅单晶片的微管密度的测试方法，包括化学腐蚀法和偏振光法。 本文件适用于碳化硅单晶片微管密度的测试。

适用范围：本文件描述了通过硅片热处理前后间隙氧含量的减少量来测试硅片氧沉淀特性的方法。 本文件适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶片和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶片氧沉淀特性的测试。

适用范围：本文件描述了精密电阻合金电阻温度系数的测试方法，包括原理、测试装置、试样制备及预处理、测试环境条件、测试方法、数据处理、数值修约以及测试报告。 本文件适用于在-65 ℃⁓250 ℃温度范围内，对精密电阻合金电阻温度系数的测试。其他金属材料在此温度范围内的电阻温度系数的测试参照执行。

适用范围：本文件描述了精密电阻合金热电动势率的测试方法，包括原理、测试装置、试样及制备、测试环境、测试程序、数据处理、精密度和准确度以及测试报告。 本文件适用于在-65 ℃～250 ℃范围内，精密电阻合金热电动势率的测试。其他金属材料在此温度范围内的热电动势率的测试参照执行。

适用范围：本文件描述了各类贵金属键合丝(以下简称“键合丝”)热影响区长度的扫描电镜测定方法。 本文件方法一适用于键合金丝热影响区长度的测定。 本文件方法二适用于直径不超过50 μm的纯金属、合金或复合类键合丝的热影响区长度测定。