国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：T/CASAS 010-2019 The secondary ion mass spectrometry (SIMS) detection method is used to measure the trace impurity concentration and distribution in the gallium nitride material适用范围：主要技术内容:半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： 2019-11-25 | 实施时间： 2019-11-25收藏 -
废止转行标
译：GB/T 15250-1994 Test method for bulk acoustic wave attenuation of piezoelectric lithium niobate crystals【国际标准分类号(ICS)】 ：31.140频率控制和选择用压电器件与介质器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-09-26 | 实施时间： 1995-06-01收藏
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被代替
译：GB/T 8763-1988 Test methods of gas absorption characteristic for non-evaporation gettering materials and products【国际标准分类号(ICS)】 ：31.020电子元器件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1988-02-25 | 实施时间： 1989-02-01收藏
废止转行标
被代替