19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 42472-2023 临界电流测量 银包套Bi-2223超导线室温双弯曲后的保留临界电流 现行
    译:GB/T 42472-2023 Critical current measurement—Retained critical current after double bending at room temperature of Ag-sheathed Bi-2223 superconducting wires
    适用范围:本文件描述了Bi-2223氧化物超导体短直样品室温双弯曲后临界电流的测试方法。样品为具有扁平或方形结构的单芯或多芯银和/或银包套超导线材。超导线材可以采用铜合金、不锈钢或镍合金带叠层封装。 本文件适用于临界电流小于300 A、n-值大于5的超导体。室温双弯曲后临界电流的测试在无外加磁场的条件下进行,样品浸泡在开放液氮中。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.050导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-03-17 | 实施时间: 2023-10-01
  • GB/T 31474-2015 电子装联高质量内部互连用助焊剂 现行
    译:GB/T 31474-2015 Soldering fluxes for high-quality interconnections in electronics assembly
    适用范围:本标准规定了电子装联用高质量内部互连用助焊剂(简称助焊剂)的分类、技术要求、试验方法、检测规则和产品的标识、包装、运输、储存。 本标准主要适用于印制板组装及电气和电子电路接点锡焊用助焊剂。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
  • GB/T 31476-2015 电子装联高质量内部互连用焊料 现行
    译:GB/T 31476-2015 Requirements for solders for high-quality interconnections in electronics assembly
    适用范围:本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊料的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。 本标准适用于电子产品组装中钎焊连接用的焊料,包括含铅焊料、无铅焊料和特殊焊料。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
  • GB/T 31475-2015 电子装联高质量内部互连用焊锡膏 现行
    译:GB/T 31475-2015 Requirements for solder paste for high-quality interconnections in electronics assembly
    适用范围:本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊锡膏(简称焊锡膏)的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。 本标准适用于表面组装元器件和电子电路互连时软钎焊所使用的焊锡膏。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
  • GB/T 24297-2009 热双金属螺旋形元件热偏转率试验方法 现行
    译:GB/T 24297-2009 The test method for thermal deflection rate of spiral and helix coils of thermostat bimetal
    适用范围:本标准规定了热双金属螺旋形元件热偏转率测量的原理、方法和设备要求。本标准适用于测定热双金属平螺旋形元件和直螺旋形元件的热偏转率,也适用于厚度小于0.3 mm热双金属温曲率的测量。本标准是判定一批热双金属螺旋形元件验收或拒收的质量检验手段。本标准有助于确定在某一偏转量下,螺旋形元件材料的最佳厚度和长度。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.120.20连接装置 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-09-30 | 实施时间: 2010-02-01
  • GB/T 24298-2009 热双金属横向弯曲试验方法 现行
    译:GB/T 24298-2009 Standard test method for cross curvature of thermostat metals
    适用范围:本标准规定了热双金属片、带材横向弯曲的测量方法、测量装置、取样、试样制备及计算公式等。本标准适用于热双金属横向弯曲的测量,也适用于其他材料横向弯曲的精确测量。本标准不涉及所有的安全要素内容,在使用本标准前,使用者有责任制定适宜的安全制度。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.120.20连接装置 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-09-30 | 实施时间: 2010-02-01
  • GB/T 24299-2009 热双金属碟形元件机械寿命试验方法 现行
    译:GB/T 24299-2009 Test method for the mechanical life of snap action discs of thermostat bimetal
    适用范围:本标准规定了热双金属碟形元件(以下简称碟形元件)机械寿命的试验方法和装置。 本标准适用于间接加热、直接加热和混合加热工作条件下的碟形元件机械寿命试验。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.120.20连接装置 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-09-30 | 实施时间: 2010-02-01
  • GB/T 24272-2009 热双金属平螺旋形元件机械转矩率试验方法 现行
    译:GB/T 24272-2009 Test method for mechanical torque rate of spiral coils of thermostat metal
    适用范围:本标准规定了热双金属平螺旋形元件机械转矩率测量的原理、方法和设备要求。本标准适用于测定热双金属平螺旋形元件的机械转矩率。也适用于精确地测定其他材料平螺旋形元件的机械转矩率。可用于确定热双金属平螺旋元件的机械力。本标准可在给定机械力矩情况下,确定材料的最优厚度和长度。本标准可用于热双金属的质量测试以确定接收或拒收。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.120.20连接装置 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-06-19 | 实施时间: 2010-02-01
  • GB/T 24271-2009 热双金属条形元件技术条件 现行
    译:GB/T 24271-2009 Specification for strip component of thermostat metals
    适用范围:本标准规定了热双金属条形元件的术语及定义、订货内容、尺寸、外形、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标记及质量证明书等内容。本标准适用于热继电器、断路器等低压电器的热双金属条形元件(以下简称元件),也可适用于在其他场合使用的热双金属条形元件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.120.20连接装置 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-06-19 | 实施时间: 2010-02-01
  • GB/T 8364-2003 热双金属比弯曲试验方法 被代替
    译:GB/T 8364-2003 Test method for specific thermal deflection of thermostat metals
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.120.20连接装置 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2003-09-12 | 实施时间: 2004-04-01
  • GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法 被代替
    译:GB/T 1555-1997 Test methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1997-12-22 | 实施时间: 1998-08-01
  • GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 被代替
    译:GB/T 17170-1997 Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1997-12-22 | 实施时间: 1998-08-01
  • GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 被代替
    译:GB/T 1558-1997 Test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1997-12-22 | 实施时间: 1998-08-01
  • GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范 被代替
    译:GB/T 16596-1996 Specification for establishing a wafer coordinate system
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-11-04 | 实施时间: 1997-04-01
  • GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法 被代替
    译:GB/T 6618-1995 Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 被代替
    译:GB/T 6616-1995 Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法 被代替
    译:GB/T 6619-1995 Test methods for bow of silicon slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法 被代替
    译:GB/T 6621-1995 Test methods for surface flatness of silicon polished slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 被代替
    译:GB/T 14847-1993 Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-12-24 | 实施时间: 1994-09-01
  • GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 被代替
    译:GB/T 14141-1993 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-02-06 | 实施时间: 1993-10-01