GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法

中华人民共和国国家标准

GB/T6621一1995

硅抛光片表面平整度测试方法

代替G万飞6621一86

Testmethodsforsurfaceflatnessofsiliconpolishedslices

第一篇方法A一光千涉法

1主题内容与适用范围

本标准规定了用相干光的干涉现象测量硅抛光片表面平整度的方法。

本标准适用于检测硅抛光片的表面平整度，也适用于检测硅外延片和类镜面状半导体晶片的表面

平整度。

2术语

2.1总指示读数(TIR)totalindicatorrunout(TIR)

两个与基准平面平行的平面之间的最小垂直距离。处于晶片正面的固定优质区((FQA)或局部优质

区域内的所有的点在两平行平面的范围内。又称最大峰—谷差(见图1),

惊射入射干涉仪参考棱镜

筑准面

待侧试样的1表面

峰对谷偏差谷偏差

图1基片计量学定义

注峰和谷的位置可能出现在试样表面的任何地方巴

2.2焦平面focalplane

国家技术监瞥局1995一04一18批准199512-01实施

GB/r6621一1995

与成像系统的光轴垂直FL包含成像系统焦点的平面

2.3焦平面偏差(FPD)focalplanedeviation(FPD)

从晶片表面的一点平行于光轴到焦平面的距离

2.4最大焦平面偏差maximumfocalplanedeviation

焦平面偏差((FPD)的最大绝对值，简称最大峰(谷)与焦平面的偏差

3方法提要

用真空吸盘吸持试样的背面，使试样表面尽可能靠近干涉仪的基准面，来自单色光源的平面波受到

试样表面和于涉仪的基准平面的反射，在空间迭加形成光干涉。由于各处光程差不同，在屏幕仁出现干

涉条纹(见图2、图3)。分析得到的干涉条纹，可度量试样表面平整度，并用总指示读数(TIK)表示

试样固定架

图2掠射入射干涉仪示意图

GB/T6621一1995

签准使镜

/

至干涉仪条纹

观察袋皿

入射线

参考光柬

侧试光束

试“基准面

诗侧表面

图3测试光束和参考光束

测t装置

4.1掠射入射干涉仪:由单色光源、聚焦透镜、毛玻璃散射盘、准直透镜，带有基准面的基准棱镜、目镜

和观察屏组成。仪器灵敏度不低于o.1km，并可调节其灵敏度大小(见图2)a

4.2真空泵和真空量规:真空度不低于“661kPa,

4.3真空吸盘:其表面平整度应小于。.25km，吸盘的直径与待测试样的直径相匹配。

4.4校准劈:为平整度已知的光学平晶，用于校准干涉仪的灵敏度(见图4)

GB/'r6621一1995

SOmmx75mm

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升高的光学平面1一下

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石英或类似材料

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