GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法
GB/T 6621-2009 Testing methods for surface flatness of silicon slices
国家标准
中文简体
现行
页数：5页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。
本标准适用于测量标准直径76 mm、100 mm、125 mm、150 mm、200 mm,电阻率不大于200 Ω·cm厚度不大于1 000 μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。
本标准适用于测量标准直径76 mm、100 mm、125 mm、150 mm、200 mm,电阻率不大于200 Ω·cm厚度不大于1 000 μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。
发布历史
-
1995年04月
-
2009年10月
研制信息
- 起草单位：
- 上海合晶硅材料有限公司
- 起草人：
- 徐新华、严世权、王珍
- 出版信息：
- 页数：5页 | 字数：7 千字 | 开本： 大16开
内容描述
犐犆犛２９．０４５
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中华人民共和国国家标准
／—
犌犅犜６６２１２００９
代替／—
ＧＢＴ６６２１１９９５
硅片表面平整度测试方法
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２００９１０３０发布２０１００６０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
／—
犌犅犜６６２１２００９
前言
本标准代替／—《硅抛光片表面平整度测试方法》。
ＧＢＴ６６２１１９９５
本标准与／—相比，主要变动如下：
ＧＢＴ６６２１１９９５
———将名称修改为“硅片表面平整度测试方法
定制服务
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