GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 1558-1997 Test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption
基本信息
发布历史
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1997年12月
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2009年10月
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2023年12月
研制信息
- 起草单位:
- 峨嵋半导体材料厂
- 起草人:
- 梁洪、刘文魁、吴福立
- 出版信息:
- 页数:7页 | 字数:11 千字 | 开本: 大16开
内容描述
GB/T1558-1997
,当
前「1
本标准等效采用ASTMF123-91《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》对我国标准
GB1558-83(测定硅晶体中代位碳含量的红外吸收方法》进行修订而成的。
本标准对GB1558-83中半值宽度的定义和试样厚度的要求按ASTMF123-91作了修订。
本标准在编写时略去了ASTMF123-91的第5章“意义和用途”,将ASTMF123的第8章“取
样”和第9章“测试样品和参比样品”合并为本标准的第7章试“样制备”以使标准简单、明了。
本标准从1998年8月1日起实施。本标准生效之日起,同时代替国家标准GB1558-83,
本标准的附录A是提示的附录。
本标准由中国有色金属工业总公司提出。
本标准由中国有色金属工业总公司标准计最研究所归口。
本标准由峨眉半导体材料厂负责起草。
本标准主要起草人:梁洪、刘文魁、吴福立。
本标准1979年6月首次发布,1997年第二次修订。
中华人民共和国国家标准
硅中代位碳原子含AGB/T1558一1997
红外吸收测t方法
代替GB1558-83
Testmethodforsubstitutionalatomiccarbon
contentofsiliconbyinfraredabsorption
范围
本标准规定了硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法。
本标准适用于载流子浓度小于5X1016cm-3、室温电阻率大于。.1O"cm的硅单晶中代位碳原子
浓度的测定。由于碳也可能存在于间隙位置,因而本方法不能测定总碳浓度。
本标准也适用于硅多晶中代位碳原子浓度的测定。其晶粒界间区的碳同样不能测定。
本标准测量碳原子浓度的有效范围为:室温下从硅中代位碳原子浓度1X10"at·cm-3(200PPba)
到碳原子的最大溶解度,77K时下限降到5X10'5at·cm-3(100PPba)a
2引用标准
下列标准包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时所示版本均为有
效。所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。
GB/T6618-1995硅片厚度和总厚度变化的测试方法
3定义
本标准采用以下定义。
3.1基线basiclinc
从参比图谱吸收峰两侧最大透过率处作出的一条切线,用来计算吸收系数a。见图la
3.2碳浓度carbondensity
在本方法中,是指占据晶格替代位置的碳原子的体密度。根据比耳定律,它与吸收系数成正比,单位
是at·cm-3
3.3半值宽度fullwidthathalfmaximum
定制服务
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