GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中华人民共和国国家标准

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犌犅犜１５５８２００９

代替／—１９９７

ＧＢＴ１５５８

硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

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狔国家标准ㅤ可打印ㅤ无水印ㅤ高清原版ㅤ去除空白页狆

２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

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犌犅犜１５５８２００９

前言

本标准修改采用ＳＥＭＩＭＦ１３９１０７０４《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》。

本标准与ＳＥＭＩＭＦ１３９１０７０４的主要差异如下：

———本标准在结构上主要依照我国国标编制格式，与ＳＥＭＩＭＦ１３９１０７０４有所不同；

———本标准未引用“偏差”、“关键词”两章内容。

本标准代替／—《硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法》。

ＧＢＴ１５５８１９９７

本标准与原标准相比主要有以下变化：

———对测量的碳原子含量有效范围进行了修改，室温下从硅中代位碳原子含量１５·－３

５×１０ａｔｃｍ

１４－３

（）到碳原子的最大溶解度，时检测下限为·（）；

０．１ｐｐｍａ７７Ｋ５×１０ａｔｃｍ０．０１ｐｐｍａ

———补充了“术语”、“干扰因素”“报告”三章；

———在“操作步骤”中增加了“仪器检查”内容。

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Ⅰ

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犌犅犜１５５８２００９

硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

１范围

本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。

本标准适用于电阻率高于·的型硅片及电阻率高于·的型硅片中代位碳原子

３ｃｍ１ｃｍｎ

ΩｐΩ

含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率大于·的硅片中代位碳原子含量。

０．１Ωｃｍ

由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。

本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定，但其晶粒界间区的碳同样不能测定。

本标准测量的碳原子含量的有效范围：室温下从硅中代位碳原子含量１５·－３

５×１０ａｔｃｍ

１４－３

（）到碳原子的最大溶解度，时检测下限为·（）。

０．１ｐｐｍａ７７Ｋ５×１０ａｔｃｍ０．０１ｐｐｍａ

２规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

ＧＢＴ６６１８／硅片厚度和总厚度变化测试方法

ＧＢＴ１４２６４／半导体材料术语

３术语和定义国家标准ㅤ可打印ㅤ无水印ㅤ高清原版ㅤ去除空白页

ＧＢＴ１４２６４／确立的以及下列术语和定义适用于本标准。

３．１

背景光谱犫犪犮犽狉狅狌狀犱狊犲犮狋狉狌犿

犵狆

在红外光谱仪中，无样品存在的情况下使用单光束测量获得的谱线，通常包括氮气，空气等信息。

３．２

基线犫犪狊犲犾犻狀犲

从测量图谱中碳峰的两侧最小吸光度处作出的一条切线，用来计算吸收系数α，如图所示。１

３．３

基线吸收犫犪狊犲犾犻狀犲犪犫狊狅狉犫犪狀犮犲

与计算吸收峰高度的碳峰相对应波数处的基线值。

３．４

傅里叶变换