19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 47901-2026 激光器外延芯片用砷化镓衬底 即将实施
    译:GB/T 47901-2026 Gallium arsenide substrates for laser epitaxial chips
    适用范围:本文件规定了激光器外延芯片用砷化镓衬底的分类和牌号,技术要求,试验方法,检验规则,标志和随行文件,包装、运输和贮存,以及订货单内容。 本文件适用于传感器、光通信等领域用激光器外延芯片用砷化镓衬底(以下简称“衬底片”)的生产、检验与质量评价。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 47917-2026 300 mm硅外延片 即将实施
    译:GB/T 47917-2026 300 mm silicon epitaxial wafers
    适用范围:本文件规定了直径300 mm硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于在直径300 mm硅抛光片衬底上生长的硅外延片。产品用于制作线宽14 nm及以上集成电路和分立器件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01
  • GB/T 47902-2026 金刚石单晶抛光片 即将实施
    译:GB/T 47902-2026 Polished single-crystal diamond wafers
    适用范围:本文件规定了金刚石单晶抛光片的分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于微波等离子化学气相沉积(MPCVD)制备的金刚石单晶抛光片的生产、检验与质量评价。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-07-02 | 实施时间: 2027-02-01
  • YS/T 43-2026 高纯砷 即将实施
    译:YS/T 43-2026 Highly pure arsenic
    适用范围:本文件规定了高纯砷的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于质量分数不小于 99.999%的高纯砷的生产、检测及质量评价,产品主要用于制造砷化镓等化合物半导体材料、外延源以及半导体掺杂剂等
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2026-04-15 | 实施时间: 2026-11-01
  • YS/T 1853-2026 流化床法颗粒硅用籽晶 即将实施
    译:YS/T 1853-2026 Fluidized bed method for granular silicon with seed crystal
    适用范围:本文件规定了流化床法颗粒硅生长用籽晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于以硅多晶为原料,通过筛分或研磨加工成的籽晶,产品主要用于硅烷流化床法生长颗粒硅
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2026-04-15 | 实施时间: 2026-11-01
  • GB/T 47404-2026 碳化硅单晶 即将实施
    译:GB/T 47404-2026 Monocrystalline silicon carbide
    适用范围:本文件规定了碳化硅单晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于直径不大于300 mm的4 H及6 H碳化硅单晶。 注:产品主要用于制作碳化硅单晶抛光片,广泛用于制作电力电子器件、射频微波器件及发光二极管(LED)发光器件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-03-31 | 实施时间: 2026-10-01
  • GB/T 46973-2026 微波无源器件用高温超导薄膜技术规范 现行
    译:GB/T 46973-2026 Technical specifications for high temperature superconducting thin films of microwave passive devices
    适用范围:本文件规定了微波无源器件用高温超导薄膜的技术要求、包装、标志、运输和贮存,描述了相应的试验方法。 本文件适用于超导材料学领域微波无源器件应用的高温超导薄膜。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.050导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H62重金属及其合金
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01
  • GB/T 26071-2026 太阳能电池用硅单晶及硅单晶片 现行
    译:GB/T 26071-2026 Monocry stallinesilicon and wafers for solar cells
    适用范围:本文件规定了太阳能电池用硅单晶(简称“硅单晶”)及硅单晶片(简称“硅片”)的牌号与分类、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于直拉法制备的硅单晶以及经加工制成的硅单晶片。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01
  • GB/T 35305-2026 太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片 现行
    译:GB/T 35305-2026 Gallium arsenide monocrystalline and monocrystalline polished wafers for solar cell
    适用范围:本文件规定了太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的分类和牌号、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片的生产、检测及质量评价。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01
  • GB/T 47097-2026 氮化铝单晶抛光片 现行
    译:GB/T 47097-2026 Polished monocrystalline aluminum nitride wafers
    适用范围:本文件规定了氮化铝单晶抛光片(以下简称“抛光片”)的牌号与分类、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于微波功率器件用直径为25.4 mm和50.8 mm的抛光片的生产、检验及质量评价。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2026-01-28 | 实施时间: 2026-08-01
  • YS/T 1825-2025 集成电路用四甲基硅烷 现行
    译:YS/T 1825-2025 Silane, tetramethyl for integrated circuits
    适用范围:本文件规定了四甲基硅烷的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于集成电路行业制造中使用的四甲基硅烷。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-12-17 | 实施时间: 2026-07-01
  • YS/T 1828-2025 半导体材料掺杂用扩散膜 现行
    译:YS/T 1828-2025 Diffusion film used for doping semiconductor materials
    适用范围:本文件规定了半导体材料掺杂用扩散膜的术语和定义、分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于分立器件用半导体材料掺杂用扩散膜的生产和检测。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-12-17 | 实施时间: 2026-07-01
  • YS/T 1829-2025 区熔用硅多晶材料 现行
    译:YS/T 1829-2025 Monocrystalline silicon polycrystalline material for zone melting
    适用范围:本文件规定了区熔用硅多晶材料牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于以三氯氢硅或硅烷为原料生长的n 型区熔用硅多晶材料。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-12-17 | 实施时间: 2026-07-01
  • GB/T 30858-2025 蓝宝石单晶衬底抛光片 现行
    译:GB/T 30858-2025 Polished mono-crystalline sapphire substrate wafer
    适用范围:本文件规定了蓝宝石单晶衬底抛光片(以下简称“蓝宝石衬底片”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于直径不大于200 mm的蓝宝石衬底片。产品主要用于外延生长半导体薄膜、生产蓝宝石图形化衬底、蓝宝石键合衬底等。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-10-31 | 实施时间: 2026-05-01
  • GB/T 30856-2025 LED外延芯片用砷化镓衬底 现行
    译:GB/T 30856-2025 GaAs substrates for LED epitaxial chips
    适用范围:本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底(以下简称“砷化镓衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-08-01 | 实施时间: 2026-02-01
  • GB/T 25074-2025 太阳能级硅多晶 现行
    译:GB/T 25074-2025 Solar-grade polycrystalline silicon
    适用范围:本文件规定了太阳能级硅多晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单等内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的太阳能级硅多晶(以下简称硅多晶)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2025-06-30 | 实施时间: 2026-01-01
  • T/CASME 2000-2025 半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范 现行
    译:T/CASME 2000-2025 Technical specification for graphite baseplate with silicon carbide coating used for semiconductor epitaxy
    适用范围:范围:本文件适用于以高纯等静压石墨为基材,经加工、纯化、化学气相沉积、表面处理、清洗等工艺过程制备的超高纯半导体外延用碳化硅石墨基座制品; 主要技术内容:本文件规定了半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、运输和贮存等内容
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H冶金
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2025-06-06 | 实施时间: 2025-07-06
  • YS/T 1744-2025 半绝缘砷化镓单晶衬底片 现行
    译:YS/T 1744-2025 Semiconductor-on-insulator gallium arsenide single crystal substrate sheet
    适用范围:适用于垂直梯度凝固法(VGF)、液封直拉法(LEC)或垂直布里奇曼法(VB)生长的,用于射频、太阳能电池领域的衬底片的生产、检验和质量评价。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-04-10 | 实施时间: 2025-11-01
  • YS/T 840-2025 再生硅原料 现行
    译:YS/T 840-2025 regenerative silicone raw material
    适用范围:适用于光伏或半导体行业在生产、加工、使用过程中产生的硅料,用于光伏行业硅单晶产品的生产。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-04-10 | 实施时间: 2025-11-01
  • YS/T 28-2024 硅片包装和标志 现行
    译:YS/T 28-2024 YS/T 28-2024 Silicon wafer packaging and labeling
    适用范围:本文件适用于硅单晶抛光片、硅外延片、SOI硅片、硅单晶腐蚀片、硅单晶研磨片、太阳能电池用硅片,其他晶片可参照使用
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2024-10-24 | 实施时间: 2025-05-01