GB/T 47917-2026 300 mm硅外延片

ICS29045

CCSH.82

中华人民共和国国家标准

GB/T47917—2026

300mm硅外延片

300mmsiliconepitaxialwafers

2026-07-02发布2027-02-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T47917—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司金瑞泓微电子衢州有限公司西安奕

:、()、

斯伟材料科技股份有限公司山东有研艾斯半导体材料有限公司上海晶盟硅材料有限公司南京国盛

、、、

电子有限公司上海超硅半导体股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司杭州中欣晶圆

、、、

半导体股份有限公司

。

本文件主要起草人徐新华陈海婷高鹏飞兰洵张友海朱晓彤齐旭东施海南贺东江顾广安

:、、、、、、、、、、

邓雪华陈猛李素青

、、。

Ⅰ

GB/T47917—2026

300mm硅外延片

1范围

本文件规定了直径硅外延片的产品分类技术要求试验方法检验规则标志包装运

300mm、、、、、、

输贮存随行文件和订货单内容

、、。

本文件适用于在直径硅抛光片衬底上生长的硅外延片产品用于制作线宽及以上

300mm。14nm

集成电路和分立器件

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T1551

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1557

硅中代位碳含量的红外吸收测试方法

GB/T1558

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法

GB/T6616

硅片电阻率测定扩展电阻探针法

GB/T6617

硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T6624

硅片径向电阻率变化测量方法

GB/T11073

掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

GB/T13389

硅外延层扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法

GB/T14141、

硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法

GB/T14142

硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

GB/T14144

硅外延层载流子浓度的测试电容电压法

GB/T14146-

半导体材料术语

GB/T14264

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试红外反射法

GB/T14847

硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T19921

洁净室及相关受控环境第部分按粒子浓度划分空气洁净度等级

GB/T25915.1—20211:

硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法

GB/T26068

硅单晶抛光片

GB/T29506300mm

硅材料中氧含量的测试惰性气体熔融红外法

GB/T38976

硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法

GB/T39145

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