适用范围：本文件规定了直径300 mm硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于在直径300 mm硅抛光片衬底上生长的硅外延片。产品用于制作线宽14 nm及以上集成电路和分立器件。

适用范围：本文件规定了金刚石单晶抛光片的分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于微波等离子化学气相沉积(MPCVD)制备的金刚石单晶抛光片的生产、检验与质量评价。

适用范围：本文件规定了流化床法颗粒硅生长用籽晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于以硅多晶为原料，通过筛分或研磨加工成的籽晶，产品主要用于硅烷流化床法生长颗粒硅

适用范围：本文件规定了太阳能电池用硅单晶(简称“硅单晶”)及硅单晶片(简称“硅片”)的牌号与分类、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容,描述了相应的试验方法。 本文件适用于直拉法制备的硅单晶以及经加工制成的硅单晶片。

适用范围：本文件规定了区熔用硅多晶材料牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。本文件适用于以三氯氢硅或硅烷为原料生长的n 型区熔用硅多晶材料。

适用范围：本文件规定了太阳能级硅多晶的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单等内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的太阳能级硅多晶（以下简称硅多晶)。

适用范围：适用于光伏或半导体行业在生产、加工、使用过程中产生的硅料，用于光伏行业硅单晶产品的生产。

适用范围：本文件适用于通过直拉法（CZ）或区熔法（FZ）拉制的用于硅多晶生产原料的硅芯

适用范围：本文件规定了埋层硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于具有埋层结构的硅外延片的生产制造、测试分析和质量评价，产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。

适用范围：本文件规定了流化床法颗粒硅的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于以氯硅烷、硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅(以下简称颗粒硅)。

适用范围：本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅（以下简称“多晶硅”）。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 

适用范围：本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件以及订货单内容。本文件适用于p直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200 mm～450 mm的硅电极及硅环。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了瞬态电压抑制二极管（TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为100 mm、 125 mm、 150 mm的硅单晶研磨片

适用范围：本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。

适用范围：本文件规定了硅单晶退火片（以下简称退火片）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代180 nm～22 nm的集成电路。

适用范围：本文件适用于以高纯二氧化锗为原料经氢气还原后，研磨、筛分生产的高纯锗粉。

适用范围：本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定光伏硅材料中氧含量的方法。 本文件适用于生产多晶硅的原料硅粉、工业硅、颗粒多晶硅等光伏硅材料中氧含量的测定，测定范围为氧的质量分数0.0010%～0.40%。其他生产光伏组件的各类晶体硅材料参照使用。

适用范围：本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定颗粒硅中氢含量的方法。 本文件适用于流化床法颗粒硅中氢含量的测定，其他硅材料参照使用。 注： 本文件测定氢含量的范围取决于所用氢分析仪的量程，最大测定范围为氢量0.000 08 mg～2.5 mg。以质量分数（%）表示的氢分析仪的测定范围因称取样品量的不同而不同。例如，1 g样品最大测定范围的质量分数为0.000 008%～0.25%；0.15 g样品最大测定范围的质量分数为0.000 06%～1.66%。