适用范围：范围:本文件规定了单晶硅太阳能电池片（以下简称电池片）等级划分、类别及型号命名、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于以单晶硅片为主要原材料的地面用单晶硅太阳能电池片; 主要技术内容:7  要求7.1  电池片尺寸电池片的尺寸要求见表2。7.2  外观7.2.1  电池片正面外观应栅线图形完整、清晰，不允许有明显偏移、缺损。不应有氧化变色现象，保证具有良好的可焊性。其他要求见表3。7.2.2  电池片背面外观应电极图形应完整、电极附着强度满足设计要求，电极应无虚印，无铝珠，无铝刺，无脱落，浆料不能接触到电池片边缘。具体要求见表3。7.3  机械性能7.3.1  翘曲度一般情况下，电池的弯曲变形用电池的翘曲度来衡量，见表4。7.3.2  电极与焊点拉力强度电极附着应牢固，焊接后，电极与焊点应结合牢固，检测方法应符合GB/T 29195规定，测试到的拉力最小值为2.00 N/mm[除虚焊,过焊外, 180°测试稳定值的平均值]。7.3.3  电池片不应存在裂纹、隐裂、穿孔及V型缺口。大小角及崩边等缺陷规定见表4。7.4  电性能7.4.1  电性能参数电池电性能参数包括但不仅限于开路电压、短路电流、 填充因子、 最大功率、 转换效率、 低辐照度性能。电性能参数应符合相关产品详细规范的规定。7.4.2  双面电池片双面率多栅线双面电池其双面率应符合表5规定。7.4.3  电池片单片功率、平均值、逆电流、并联电阻、电池效率、光衰减规定应符合表5规定。7.5  电池片EL特性7.5.1  电池片EL特性测试，其中A级及透明组件图谱中不应出现黑芯、裂片。7.5.2  电池片EL特性测试，晶界痕、麻点、平行或垂直于主栅的黑线等不应超过封样。7.5.3  电池片EL特性测试，其他缺陷要求见表6。7.6  可靠性7.6.1  耐候可靠性按照IEC 61215-2，156.75 mm×156.75 mm型、166 mm×166 mm型、167.3 mm×167.3 mm型电池片做成组件后经过热循环，湿热循环，湿冻循环后无因电池片引起的不良，电性能衰减≤2%；210 mm×210 mm型电池片做成组件后经过热循环，湿热循环，热斑反向测试，动载及静载测试后无因电池片引起的不良，电性能衰减≤2%，扩展到TC400，DH2000h，衰减≤3%。7.6.2  抗 PI

适用范围：主要技术内容:本标准规定了单晶硅光伏电池（以下简称电池）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标识、储存和运输、质量承诺。本标准适用于以P型为衬底材料的地面用单面发射极和背面钝化（ Passivated Emitterand Rear Cell，简称PERC） 单晶硅光伏电池

适用范围：本标准规定了太阳能电池用多晶硅片（以下简称硅片）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于太阳能电池用铸造多晶硅片（包括类单晶硅片）。

适用范围：本标准规定了硅外延片的牌号和分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同)内容。 本标准适用于在直径不大于150 mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用铸造多晶硅块（以下简称硅块）的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于从铸造技术制备的硅锭上切割得到的准方形多晶硅块（包括类单晶硅块）。

适用范围：本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容。 本标准适用于制备半导体器件、激光器组件、红外光学部件用的锗单晶和锗单晶片。

适用范围：主要技术内容:本标准规定了多晶硅生产用石墨制品的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于太阳能级多晶硅生产还原炉用石墨制品

适用范围：范围:本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺 杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层; 主要技术内容:本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层。本标准规定的方法是 4H 碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反映外延层厚度信息的连续干涉条纹。当外延层表面反射的光束和衬底界面反射的光束的光程差是半波长的整数倍时，反射光谱中可以观察到极大极小值。根据反射谱中干涉条纹的极值峰位，试样的光学常数以及入射角可以计算出相应的外延层厚度。4H 碳化硅外延层的厚度检测原理如图2：入射光由A 处入射，经由外延表面AC 反射，同时经过折射在衬底和外延界面B 处反射，由C 处射出，和D 处的反射光之间的相位差δ即可求得

适用范围：主要技术内容:SiC半导体材料以其独特的优异性能，特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件，如SiC PiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。从结构上看，n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似，所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底，为了制造n沟道IGBT器件材料，需要使用反转型n沟道IGBT器件结构，制造工艺复杂。与n沟道IGBT相比，p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单，而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底，即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料，正是该p+型漂移层，使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能

适用范围：主要技术内容:本标准规定了200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底

适用范围：本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200 mm的圆形硅单晶切割片和研磨片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等，或进一步加工成抛光片。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅单晶（简称硅单晶）的牌号、分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉掺杂制备的圆形硅单晶经加工制成的准方形或方形硅单晶。产品经切割成硅片后进一步制作太阳能电池。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用硅单晶片（简称硅片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容等。 本标准适用于由直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片，产品用于制作太阳能电池的衬底片。

适用范围：本标准规定了硅单晶抛光片（简称硅抛光片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等，或作为硅外延片的衬底。

适用范围：本标准规定了流化床法生产的颗粒硅的术语和定义、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅产品。

适用范围：本标准规定了直径200 mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书。本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路或半导体器件。

适用范围：本标准规定了太阳能级多晶硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅。

适用范围：本标准规定了多晶硅生产用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于多晶硅生产用硅粉。