GB/T 26071-2018 太阳能电池用硅单晶片

ICS29.045

H82

国

中华人民共和国国家标准

G!J/T26071-2018

代替GB/T260712010

太阳能电池用硅单晶片

Monocrystallinesiliconwafersforsolarcells

2018-09-17发布2019-06-01实施

国家市场监督管理总局峪非

中国国家标准化管理委员会0(..'I(J

GB/T26071-2018

目U昌

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T26071-2010《太阳能电池用硅单晶切荆片》。与GB/T26071-2010相比，主要

技术变化如下：

一一将标准名称《太阳能电池用硅单晶切割片》修改为《太阳能电池用硅单品片》（见封面，2010年

版的封面）；

一一修改了范围中本标准适用性的描述（见第1章，2010年版的第1幸）；

修改了电阻束测定引用标准，GB/T1551替代了GB/T1552（见第2章，2010年版的第2章）；

一一增加引用标准GB/T6619、GB/T14844、GB/T30859、GB/T30860、GB/T30869和YS/T28

（见第2章，2010年版的第2章）；

删除了线痕的定义（见2010年版3.1);

一一增加了产品牌号的表示方法（见4.1);

将产品分类中“按外形可分为准方形和l罔形两种”修改为“按外形可分为准方形和l方形两种”，

标准中删除了同形分类及其要求，增加了方形（见4.2.2,2010年版的4.1);

一一产品尺寸曲“准方形硅片按其边长分为125mm×125mm、156mm×156mm”修改为“准方形

硅片按其边长分为100.75mm、125.75mm、156l、156Jl、156山、161.75mm、210.75mm”（见

4.2.2,2010年版的4.2);

删除了罔形硅片的尺寸，增加了“方形硅片按其尺寸可分为100.75mm、125.75mm、

156.75mm,210.75mm”的要求（见4.2.2,2010年版的4.2);

一一增加了理化性能，即“硅片的晶体完整性、氧含量和碳含量应符合GB/T25076的规定。如有

需要，由供方提供各项检盼结果”（见5.1);

一一增加了硅片厚度“130土15、140土15、150土15、170土2。”相对应的要求；删除了硅片厚度“220土

20、240土2。”相对应的要求；修改了翘内度指标要求（见5.2.1,2010年版的4.3.1);

一一修改了准方形硅片尺寸的要求（见5.2.2,2010年版的4.3.2);

一一增加了方形硅片尺寸的要求（见5.2.3);

删除了“硅片的导电类型、掺杂剂、少数载流子寿命和晶体完整性应符合GB/T25076的规定”

（见2010年版的4.3.3.1);

－一电学性能参数中的电阻率范围下限由0.5D,•cm改为P型0.2D,•cm,N型0.1D,•cm（见

5.3.2,2010年版的4.3.3.2);

一一修改了晶向偏离度的要求（见5.4,2010年版的4.3.的；

修改了硅片线痕深度、崩边、缺口的要求（见5.5,2010年版的4.3.5);

一一修改了导电类型和品向的检查水平（见表6,2010年版的表6）。

本标准由全同半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提州井归口。

本标准起草单位：浙江省硅材料质量检验中心、有研半导体材料有限公司、泰州隆基乐叶光伏科技

有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古中环光伏材料有限公司、宜

再南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院。

本标准主要起草人：楼春兰、毛E中、邹剑秋、征ti华、孙燕、杨素心、刘培东、宫龙飞、邓浩、李建弘、

徐博、许同华、张军。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

GB/T260712010。

I

GB/T26071-2018

太阳能电池用硅单晶片

1范围

本标准规定了太阳能电池用硅单晶片（简称硅片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、

包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容等。

本标准适用于由直拉法制备的硅单品加丁阜成的准方形或方形硅片，产品用于制作太阳能电池的衬

底片。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文

件

。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型~lj试方法

GB/T1551硅单晶电阻束测定方法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T2828.12012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL)检索的运批检验抽样

计划

GB/T6616半导体硅片电阻~及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6619硅片弯曲度测试方法

GB/T6620硅片翘州度非接触式测试方法

GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

GB/T25076太阳能电池用硅单晶

GB/T26068硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

GB/T30859太阳能电池用硅片翘由度和波纹度却！rJ试方法

GB/T30860太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法

GB/T30869太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法

YS/T28硅片包装

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4分类

4.1牌号

硅片牌号的表示按GB/T14844的规定进行。

GB/T26071-2018

4.2分类

4.2.1硅片按导电类型分为P型、N型两种。

4.2.2硅片按外形可分为准方形和方形两采11。准方形硅片按其边长分为100.75mm、125.75mm、1561

、

156n、156皿、161.75mm、210.75mm；方形硅片按其边氏可分为100.75mm、125.75mm

156.75mm、210.75mm；其他尺寸可由供需双方协商确定。

5要求

5.1理化性能

硅片的晶体完整性、氧含量和碳含量应符合GB/T25076的规定。如有需要，由供方提供各项检验

结果。

5.2外形尺寸

5.2.1几何参数

硅片的几何参数应符合表1的规定，如需方有其他要求时，由供需双方协商确定。

表1几何参数

单位为微米

总厚度变化TTV弯内皮bow

厚度及允许偏差翘H↑l皮warp

130士15

王三25主三40主三40

140+15

150+15

160+15

170+20

<30主三50主三50

180+20

190十20

200十20

5.2.