GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T 6616-2009 Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

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基本信息

标准号

GB/T 6616-2009

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商用授权

标准类型

国家标准

标准状态

被代替

中国标准分类号（CCS）

H80/84 半金属与半导体材料

国际标准分类号（ICS）

29.045 半导体材料

发布日期

2009-10-30

实施日期

2010-06-01

发布单位/组织

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会

归口单位

全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

适用范围

本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径或边长大于25 mm、厚度为0.1 mm～1 mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1 000倍。
硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10-3 Ω·cm～2×102 Ω·cm和2×103 Ω/～3×103 Ω/。