GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法

中华人民共和国国家标准

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层

电阻测定非接触涡流法GB/T6616-1995

代替6616-86

Testmethodformeasuringresistivityofsemiconductor

siliconorsheetresistanceofsemiconductor

filmswithanoncontacteddy-currentgage

1主题内容与适用范围

本标准规定了硅片体电阻率和硅薄膜薄层电阻的非接触涡流测量方法

本标准适用于测量直径或边长大于30mm,厚度为。.1-1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片

(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄

层电阻的1。。。倍。

硅片休电阻率和硅薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0X10'--2X10't2"cm和2-3X10'n/日

2方法提要

将硅片试样平插入一对共轴涡流探头(传感器)之间的固定间隙内，与振荡回路相连接的两个涡流

探头之间的交变磁场在硅片上感应产生涡流。为使高频振荡器的电压保持不变，需要增加激励电流，而

增加的激励电流值是硅片电导的函数。通过测量激励电流的变化即可测得试样的电导当试样厚度已

知时，便可计算出试样的电阻率。

，一G一tR·························.····。·…(1)

式中:P—试样的电阻率，n"cm;

G一一试样的薄层电导，S;

R—试样的薄层电阻，n;

t一一试样中心的厚度(测薄膜时厚度取。.0508cm)>cm

3测量装置

3门电学测量装置

3.1.1祸流传感器组件由可供硅片插入的具有固定间隙的一对共轴线探头，放置硅片的支架(需保证

硅片与探头轴线垂直)，硅片对巾装置及激励探头的高频振荡器等组成。传感器可提供与硅片电导成正

比的输出信号。涡流传感器组件的结构见图1

国家技术监瞥局1995一04-18批准1995一12-01实施

cs/T6616一1995

卜探头

图1涡流传感器组件示意图

3.1.2信号处理器。用模拟电路或数字电路进行电学转换，把薄层电导信号转换成薄层电阻值。当被

测试样为硅片时，通过硅片的厚度再转换为电阻率。处理器应具有显示薄层电阻或电阻率的功能。当试

样未插入时应具有电导清零的功能。

3.2标准片和参考片

3.2.1标准片。电阻率标准片的标称值分别为0.01,0.1,1,10,25,5和180n，cm.选择合适的电阻

率标准片用于校正测量设备，并需定期检定。电阻率标准片与待测片的厚度偏差应小于士25%.

3.2.2参考片。用于检查测量仪器的线性。