GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法

ICS29.045

H80OB

中华人民共和国国家标准

GB/T1555—2009

代替GB/T1555—1997

半导体单晶晶向测定方法

Testingmethodsfordeterminingtheorientationof

asemiconductorsinglecrystal

2009-10-30发布2010-06-01实施

发布

GB/T1555—2009

-1.Z-—1—

刖弓

本标准代替GB/T1555—1997《半导体单晶晶向测定方法。

本标准与GB/T1555—1997相比，主要有如下变化：

——增加了“术语”章；

——增加了“干扰因素”章；

将原标准定向推荐腐蚀工艺中"硅的腐蚀吋间5min"改为"硅的腐蚀时间3min〜5min"。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口.

本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。

本标准主要起草人:杨旭、何兰英。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

——GB1555—1979.GB1556—1979,GB5254—1985,GB5255—1985,GB8759—1988；

——GB/T1555—1997O

T

GB/T1555—2009

半导体单晶晶向测定方法

1范围

本标准规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。

本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。

2规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB/T2481.1固结磨具用磨料粒度组成的检测和标记第1部分:粗磨粒F4-F220

GB/T2481.2固结磨具用磨料粒度组成的检测和标记第2部分:微粉F23O-F12OO

GB/T14264半导体材料术语

3术语和定义

GB/T14264规定的术语和定义适用于本标准。

方法1X射线衍射法定向法

4方法提要

4.1以三维周期性晶体结构排列的单晶的原子，其晶体可以看作原子排列于空间垂直距离为d的一

系列平行平面所形成，当一束平行的单色X射线射入该平面上，且X射线照在相邻平面之间的光程差

为其波长的整数倍即"倍吋，就会产生衍射（反射）。利用计数器探测衍射线，根据其出现的位置即可确

定单晶的晶向，如图1所示。当入射光束与反射平面之间夹角e、x射线波长入、晶面间距〃及衍射级数

“同时满足下面布喇格定律取值吋,x射线衍射光束强度将达到最大值；

nX=26/sin0（1）

对于立方晶胞结构：

〃=〃（护+段+厂）皿（2）