GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法

ICS77.040

H21

国；

中华人民共和国国家标准

GB/T1550-2018

代替GB/T1550-1997

非本征半导体材料导电类型测试方法

Testmethodsforconductivitytypeofextrinsicsemiconductingmaterials

2018-12-28发布2019-11-01实施

国家市场监督管理总局啦舍

中国国家标准化管理委员会＆叩

GB/T1550-2018

目u昌

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T1550-1997《非本征半导体材料导电类型测试方法机与GB/T1550-1997相比

主要技术变化如下：

适用范围修改为“本标准适用于硅、错非本征半导体材料导电类型的测试，其他非本征半导体

材料可参照本标准测试”（见第1章，1997年版的第1章）；

一一一增加了术语和定义（见第3章）；

一一将原标准的1.2～1.9修改为“4.1总则”（见4.1,1997年版的1.2～1.9);

一一修改了方法A、方法D1、方法D2的适用范围（见4.1.2、4.1.5,4.1.6,1997年版的1.3、1.6、1.7);

增加了方法E（表面光电压法）测试导电类型（见4.1.7、4.5、5.5、7.6、9.5);

增加了“如果采用9.1～9.5的测试步骤能够获得稳定的读数和良好的灵敏度，Y！”表明试样表

面元；自污或氧化层。如果读数不稳定或灵敏度差，则表明试样表面已被沾污或有氧化层，可采

用8.2中的方法对试样表面进行处理。”（见9.6);

一一增加了试验结果的分析（见第10章）。

本标准向全同半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全同半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提州井归口。

本标准起草单位：乐山市产品质量监督检驹所、中国计量科学研究院、广州市昆德科技有限公司、瑟

米莱伯贸易（上海）有限公司、浙江海纳半导体有限公司、新特能源股份有限公司、江苏中能硅业科技发

展有限公司、峨崛半导体材料研究所、洛阳中硅高科技有限公司、中错科技有限公司、云南冶金云芯硅材

股份有限公司、江西赛雏LDK太阳能高科技有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司。

本标准主要起草人：梁洪、王莹、赵晓斌、高英、王昕、王飞尧、黄黎、徐红毒、邱艳梅、刘晓霞、杨旭、

张同同、刘新军、徐远志、程小娟、潘金平、肖宗杰。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

一一－GB1550-1979、GB/T1550-1997;

一一－GB5256-1985。

I

GB/T1550-2018

9.4.4如果用方法D1不能进行测试，应改用热电势法D2进行测试。将探钊按罔7所示连接好，3号探

专｜靠近热源。热抑、是由1号、2号探钊间通人电流的方法产生的。将3号探钊接到零位指示器的负极

或数字电压表的低阻端，使探针与试样接触，观察零位指示器指针的偏转情况或数字电压表读数，若指

寺｜指示为正，则试样为P型；若指针指示为负，贝lj试样为N型。

9.4.5在试样表面的测试区上移动探针，测试试样的导电类型。

9.5方法E（表面光电压法）

9.5.1检查电路连接是再与罔8一致。

9.5.2将待测试样放置在样品台上，脉冲光源驱动器驱动红外激光器发射一定频率的脉冲光，脉冲光

照射在试样上。

9.5.3试样表面在脉冲光照射下激发向光电压，感应电极片采集因光电压引起的静电荷，经同轴电缆

线传送至电荷放大器。

9.5.4电荷放大器把静电荷变为电压信号并放大，信号处理电路对放大后的电压信号进行同步整形、

极性判断、数值转换，得到待测试样的导电类型。

9.6其他

如果采用9.1～9.5的测试步骤能够获得稳定的读数和良好的灵敏度，则表明试样表面无沾污或氧

化层。如果读数不稳定或灵敏度差，则表明试样表面已被沾污或有氧化层，可采用8.2中的方法对试样

表面进行处理。

10试验结果的分析

本标准中的方法A、C、D1、D2、E在不同实验室进行了对比试验，测试结果见表1。由表1可知各测

试方法导电类型测试结果完全正确的电阻束范围，见表2。本标准各测试方法的适用范围参照表2的

数据确定。

表1测试结果

方法八

方法C方法D1方法D2方法E

材料电阻率导电

类型。·cm类型

正确数正确数正确数正确数正确数

测试数测试数测试数测试数测试数

0.004p68l5.:>’39l3。,)。

硅

0.016N88l589。句3。飞。,

硅

0.017p78z589l3。3

佳

0.097p88558923。3

偌

0.148N8845993333

硅

佳l.4N88559933z3

l.6p8855993333

硅

J.7p88559933z3

佳

4N8855993。,)l2

硅

63N88559923z2

硅

9

GB/T1550-2018

表1（续）

方法A方法C方法D1方法D2方法E

材料电阻率导电

类型。·cm类型

正确数正确数正确数测试数正确数正确数测试数

测试数测试数测试数

佳120N8855992333

170p8855992333

硅

580:sJ883导992333

4洼

l060N8835992333

硅

l500N8835992333

硅

3800N8835992333

硅

9000p383599l333

硅

15000p383599l’,)333

佳

错0.007N88258923。2

绪0.0087p88l549。3。2

错0.88N88559923。2

错3.5p883599l3。2

19N88559923。2

错

24p78