GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

ICS77.040

CCSH21

中华人民共和国国家标准

/—

GBT15512021

代替/—

GBT15512009

硅单晶电阻率的测定

直排四探针法和直流两探针法

Testmethodformeasurinresistivitofmonocrstalsilicon—

gyy

In-linefour-ointrobeanddirectcurrenttwo-ointrobemethod

pppp

2021-05-21发布2021-12-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

/—

GBT15512021

前言

/—《:》

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GBT1.120201

起草。

/—《》,/—,

本文件代替GBT15512009硅单晶电阻率测定方法与GBT15512009相比除结构调整

,:

和编辑性改动外主要技术变化如下

)(,);

更改了直排四探针法的适用范围见第章年版的第章

a120091

)“”“”();

范围中增加了硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行见第章

b1

)/();

增加了规范性引用文件见第章

cGBT142642

)“”();

增加了术语和定义见第章

d3

)(,、);

更改了测试环境温度的要求见第章年版的第章第章

e42009213

)“”(,、);

f更改了干扰因素中光照对测试结果的影响见5.12009年版的3.114.1

)();

g增加了少数载流子注入对测试结果具体影响的干扰因素见5.3

)“”(,、);

h更改了干扰因素中温度对测试结果的影响见5.42009年版的3.414.4

)、(、);

i增加了探针振动探针头类型对测试结果影响的干扰因素见5.55.6

)、[

j增加了直排四探针法测试时样品发热探针与样品接触的位置对测试结果影响的干扰因素见

)、)];

5.7a5.7c

)、、

k增加了直流两探针法测试时样品电阻率不均匀存在轻微裂痕或其他机械损伤导电类型不唯

();

一对测试结果影响的干扰因素见5.8

)();

l删除了直流两探针法测试干扰因素中探针间距的内容见2009年版的14.6

)(,);

更改了直排四探针法的测试原理见年版的第章

m6.120094

)“”();

n增加了直排四探针法中试剂和材料见6.2

)