GB/T 4326-2025 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

ICS77040

CCSH.17

中华人民共和国国家标准

GB/T4326—2025

代替GB/T4326—2006

非本征半导体单晶霍尔迁移率和

霍尔系数测量方法

Extrinsicsemiconductorsinglecrystalsmeasurementof

HallmobilityandHallcoefficient

2025-10-31发布2026-05-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T4326—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法与

GB/T4326—2006《》,

相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

GB/T4326—2006,,:

更改了范围见第章年版的第章

a)(1,20061);

更改了术语和定义见第章年版的第章

b)(3,20062);

更改了方法原理见第章年版的第章

c)(4,20063);

更改了干扰因素见第章年版的第章

d)(5,20068);

增加了试验条件见第章

e)(6);

增加了试剂或材料见第章

f)(7);

更改了几何尺寸量具的要求见年版的

g)(8.2,20065.2);

更改了电极制备设备的要求见年版的

h)(8.3,20065.3);

更改了样品见第章年版的第章

i)(9,20064);

更改了试验步骤见第章年版的第章

j)(10,20066);

更改了试验数据处理见第章年版的第章

k)(11,20067);

更改了精密度见第章年版的第章

l)(12,20069)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

,。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国有色金属标准化技术委

(SAC/TC203)

员会共同提出并归口

(SAC/TC243)。

本文件起草单位有研国晶辉新材料有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司中国电子

:、、

科技集团公司第十三研究所中国电子科技集团公司第四十六研究所广东先导微电子科技有限公司

、、、

中国科学院半导体研究所晶澳太阳能科技股份有限公司大庆溢泰半导体材料有限公司深圳大学

、、、。

本文件主要起草人林泉王博马远飞李素青王阳刘国龙周铁军王宇黄文文王金灵刘京明

:、、、、、、、、、、、

韩庆辉赵中阳胡世鹏莫杰朱晨阳

、、、、。

本文件于年首次发布年第一次修订本次为第二次修订

1984,2006,。

Ⅰ

GB/T4326—2025

非本征半导体单晶霍尔迁移率和

霍尔系数测量方法

1范围

本文件描述了非本征半导体单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量方法

。

本文件适用于硅锗砷化镓磷化镓磷化铟锑化镓锑化铟硫化镉氧化镓碳化硅氮化镓单晶

、、、、、、、、、、

材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量也适用于电阻率小于8的其他半导体单晶材料霍尔迁移

,10Ω·cm

率和霍尔系数的测量

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4方法原理

本方法利用霍尔效应即当固态导体放置在一个磁场内且有电流通过时导体内的电荷载流子受到

,,

洛伦兹力而偏向一边继而产生电压霍尔电压的现象进行霍尔迁移率和霍尔系数的确定

,(),。

在具有单一型号载流子的非本征半导体中霍尔系数与材料基本参数的关系见公式

,(1)。

γ

R=

Hn×e…………(1)

式中

:

R霍尔系数单位为立方厘米每库仑3

H———,(cm/C);

γ霍尔因子

———;

n载流子浓度单位为每立方厘米-3

———,(cm);

e电子电荷单位为库仑

———,(C)。

霍尔因子γ是由散射机构样品温度能带结构及磁场强度决定的比例因子γ通常可取

()、、,1。

5干扰因素

51测量电流宜不大于以免试样发生电流加热当电流通过试样可用电阻率读数随时间的变

.1mA,。,

化来判定测量电流是否适当

。

52测量高阻试样时试样表面漏电会影响测量结果

.,。

1