GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 11073-2007 Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
基本信息
标准号
GB/T 11073-2007
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
发布日期
2007-09-11
实施日期
2008-02-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10-3 Ω·cm~3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
发布历史
-
1989年03月
-
2007年09月
-
2025年10月
研制信息
- 起草单位:
- 峨嵋半导体材料厂
- 起草人:
- 梁洪、覃锐兵、王炎
- 出版信息:
- 页数:16页 | 字数:24 千字 | 开本: 大16开
内容描述
犐犆犛77.040.01
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中华人民共和国国家标准
/—
犌犅犜110732007
代替/—
GBT110731989
硅片径向电阻率变化的测量方法
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犵狔
20070911发布20080201实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
犌犅犜110732007
前言
本标准是对/—《硅片径向电阻率变化的测量方法》的修订。本标准修改采用了
GBT110731989
《硅片径向电阻率变化的测量方法》。
ASTMF8101
本标准与ASTMF8101的一致性程度为修改采用,主要差异如下:
———删去了第章“意义和用途”。
ASTMF81014
本标准与/—相比主要变化如下:
GBT110731989
———因/已并入/,本标准在修订时将硅片电阻率测试方法标准改为
GBT6615GBT1552
/,并将第章“规范性引用文件”中的“/”改为“/
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