GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 11073-2007 Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
基本信息
标准号
GB/T 11073-2007
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
发布日期
2007-09-11
实施日期
2008-02-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
发布历史
-
1989年03月
-
2007年09月
-
2025年10月
研制信息
- 起草单位：
- 峨嵋半导体材料厂
- 起草人：
- 梁洪、覃锐兵、王炎
- 出版信息：
- 页数：16页 | 字数：24 千字 | 开本： 大16开
内容描述
犐犆犛７７．０４０．０１
犎１７
中华人民共和国国家标准
／—
犌犅犜１１０７３２００７
代替／—
ＧＢＴ１１０７３１９８９
硅片径向电阻率变化的测量方法
犛狋犪狀犱犪狉犱犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀狉犪犱犻犪犾狉犲狊犻狊狋犻狏犻狋狏犪狉犻犪狋犻狅狀狅狀狊犻犾犻犮狅狀狊犾犻犮犲狊
犵狔
２００７０９１１发布２００８０２０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
／—
犌犅犜１１０７３２００７
前言
本标准是对／—《硅片径向电阻率变化的测量方法》的修订。本标准修改采用了
ＧＢＴ１１０７３１９８９
《硅片径向电阻率变化的测量方法》。
ＡＳＴＭＦ８１０１
本标准与ＡＳＴＭＦ８１０１的一致性程度为修改采用，主要差异如下：
———删去了第章“意义和用途”。
ＡＳＴＭＦ８１０１４
本标准与／—相比主要变化如下：
ＧＢＴ１１０７３１９８９
———因／已并入／，本标准在修订时将硅片电阻率测试方法标准改为
ＧＢＴ６６１５ＧＢＴ１５５２
／，并将第章“规范性引用文件”中的“／”改为“／
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