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GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T 11073-2007 Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices

国家标准 中文简体 被代替 已被新标准代替，建议下载标准 GB/T 11073-2025 | 页数：16页 | 格式：PDF

基本信息

标准号
GB/T 11073-2007
标准类型
国家标准
标准状态
被代替
中国标准分类号（CCS）
H17 半金属及半导体材料分析方法
国际标准分类号（ICS）
77.040.01 金属材料试验综合
发布日期
2007-09-11
实施日期
2008-02-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

发布历史

文前页预览

GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法-第1页
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法-第2页
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法-第3页

研制信息

起草单位：
峨嵋半导体材料厂
起草人：
梁洪、覃锐兵、王炎
出版信息：
页数：16页 | 字数：24 千字 | 开本： 大16开

内容描述

犐犆犛７７．０４０．０１

犎１７

中华人民共和国国家标准

／—

犌犅犜１１０７３２００７

代替／—

ＧＢＴ１１０７３１９８９

硅片径向电阻率变化的测量方法

犛狋犪狀犱犪狉犱犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀狉犪犱犻犪犾狉犲狊犻狊狋犻狏犻狋狏犪狉犻犪狋犻狅狀狅狀狊犻犾犻犮狅狀狊犾犻犮犲狊

犵狔

２００７０９１１发布２００８０２０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

／—

犌犅犜１１０７３２００７

前言

本标准是对／—《硅片径向电阻率变化的测量方法》的修订。本标准修改采用了

ＧＢＴ１１０７３１９８９

《硅片径向电阻率变化的测量方法》。

ＡＳＴＭＦ８１０１

本标准与ＡＳＴＭＦ８１０１的一致性程度为修改采用，主要差异如下：

———删去了第章“意义和用途”。

ＡＳＴＭＦ８１０１４

本标准与／—相比主要变化如下：

ＧＢＴ１１０７３１９８９

———因／已并入／，本标准在修订时将硅片电阻率测试方法标准改为

ＧＢＴ６６１５ＧＢＴ１５５２

／，并将第章“规范性引用文件”中的“／”改为“／

定制服务

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    引用标准
    GB/T 6618-1995
    GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法
    被代替
    GB/T 1552
    GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
    被代替
    GB/T 2828(所有部分)
    GB/T 2828.11-2008 计数抽样检验程序 第11部分：小总体声称质量水平的评定程序
    现行
    GB/T 2828.3-2008 计数抽样检验程序 第3部分：跳批抽样程序
    现行
    GB/T 2828.2-2008 计数抽样检验程序 第2部分：按极限质量(LQ)检索的孤立批检验抽样方案
    现行
    GB/T 2828.4-2008 计数抽样检验程序 第4部分：声称质量水平的评定程序
    现行
    GB/T 2828.10-2010 计数抽样检验程序 第10部分：GB/T 2828计数抽样检验系列标准导则
    现行
    GB/T 2828.5-2011 计数抽样检验程序 第5部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批序贯抽样检验系统
    现行
    GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
    现行
    GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
    被代替
    GB/T 12965
    GB/T 12965-2018 硅单晶切割片和研磨片
    现行
    GB/T 12965-1996 硅单晶切割片和研磨片
    被代替
    GB/T 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片
    被代替
    替代以下标准
    GB/T 11073-1989
    GB/T 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法
    被代替
    被以下标准替代
    GB/T 11073-2025
    GB/T 11073-2025 硅片径向电阻率变化测量方法
    现行
    采用标准
    ASTM F 81-1901
    ASTM F 81-1901

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