GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 11073-2007 Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
国家标准
中文简体
现行
页数：13页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2007-09-11
实施日期
2008-02-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
发布历史
-
1989年03月
-
2007年09月
研制信息
- 起草单位：
- 峨嵋半导体材料厂
- 起草人：
- 梁洪、覃锐兵、王炎
- 出版信息：
- 页数：13页 | 字数：24 千字 | 开本： 大16开
内容描述
犐犆犛７７．０４０．０１
犎１７
中华人民共和国国家标准
／—
犌犅犜１１０７３２００７
代替／—
ＧＢＴ１１０７３１９８９
硅片径向电阻率变化的测量方法
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犵狔
２００７０９１１发布２００８０２０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
／—
犌犅犜１１０７３２００７
前言
本标准是对／—《硅片径向电阻率变化的测量方法》的修订。本标准修改采用了
ＧＢＴ１１０７３１９８９
《硅片径向电阻率变化的测量方法》。
ＡＳＴＭＦ８１０１
本标准与ＡＳＴＭＦ８１０１的一致性程度为修改采用，主要差异如下：
———删去了第章“意义和用途”。
ＡＳＴＭＦ８１０１４
本标准与／—相比主要变化如下：
ＧＢＴ１１０７３１９８９
———因／已并入／，本标准在修订时将硅片电阻率测试方法标准改为
ＧＢＴ６６１５ＧＢＴ１５５２
／，并将第章“规范性引用文件”中的“／”改为“／
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