GB/T 11073-2025 硅片径向电阻率变化测量方法

ICS77040

CCSH.17

中华人民共和国国家标准

GB/T11073—2025

代替GB/T11073—2007

硅片径向电阻率变化测量方法

Testmethodformeasuringradialresistivityvariationonsiliconwafers

2025-10-31发布2026-05-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T11073—2025

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅片径向电阻率变化的测量方法与相比

GB/T11073—2007《》,GB/T11073—2007,

除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

,:

更改了范围见第章年版的第章

a)(1,20071);

增加了术语和定义见第章

b)(3);

更改了方法原理见第章年版的第章

c)(4,20073);

更改了干扰因素见第章年版的第章

d)(5,20074);

增加了试剂和材料见第章

e)(6)

更改了仪器设备见第章年版的第章

f)(7,20075);

增加了试验条件见第章

g)(8);

在样品中增加了槽的内容并增加了厚度的要求见和

h)“V”,(9.39.4);

更改了电阻率测试选点方案见年版的

i)(9.4,20076.5);

更改了试验数据处理见第章年版的第章

j)(11,20078);

更改了精密度见第章年版的第章

k)(12,20079);

删除了几何修正因子表见年版的

l)(200710.3);

删除了硅片径向电阻率变化偏差的计算规定见年版的附录

m)(2007A)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国有色金属标准化技术委

(SAC/TC203)

员会共同提出并归口

(SAC/TC243)。

本文件起草单位麦斯克电子材料股份有限公司洛阳鸿泰半导体有限公司杭州中欣晶圆半导体

:、、

股份有限公司山东有研艾斯半导体材料有限公司中环领先半导体科技股份有限公司浙江中晶科技

、、、

股份有限公司浙江海纳半导体股份有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司上海新昇半导体科技有

、、、

限公司上海合晶硅材料股份有限公司广东先导微电子科技有限公司

、、。

本文件主要起草人方丽霞郭可马武祥邢胜昌张志林寇文杰王江华朱晓彤邓春星黄笑容

:、、、、、、、、、、

潘金平李慎重冯天尚海波马金峰

、、、、。

本文件于年首次发布年第一次修订本次为第二次修订

1989,2007,。

Ⅰ

GB/T11073—2025

硅片径向电阻率变化测量方法

1范围

本文件描述了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法

。

本文件适用于厚度小于探针平均间距直径大于室温电阻率在-4

、15mm、3×10Ω·cm~1.8×

4的型硅单晶片及室温电阻率在-35的型硅单晶片的径向电

10Ω·cmp6×10Ω·cm~1×10Ω·cmn

阻率变化的测量硅单晶片其他范围电阻率的测量参照本文件进行

。。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法

GB/T1551—2021

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅单晶切割片和研磨片

GB/T12965

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4方法原理

41直排四探针法

.

排列成一直线的四根探针垂直地压在近似为半无穷大的平坦样品表面上当直流电流由探针探

,1、

针流入半导体样品时根据点源叠加原理探针探针点的电位是探针探针点电流源产生的

4,,2、31、4

电位的和探针探针之间的电势差即为电流源强度样品电阻率和探针系数的函数测量示意图见

,2、3、,

图将直流电流I由探针探针间通入样品测量探针探针间所产生的电势差V根据测

1。()1、4,2、3(),

得的电流和电势差值按公式计算电阻率

,(1)。

V

ρ=S

2πI…………(1)

式中

:

ρ电阻率单位为欧姆厘米

———,(Ω·cm);

S探针间距单位为厘米

———,(cm);

V测得的电势差单位为毫伏

———,(mV);

I测得的电流单位为毫安

———,(mA)。

1