GB/T 12965-2018 硅单晶切割片和研磨片

ICS29.045

H82

国

中华人民共和国国家标准

G!J/T12965-2018

代替GB/T129652005

硅单晶切割片和研磨片

Monocrystallinesiliconascutwafersandlappedwafers

2018-09-17发布2019-06-01实施

国家市场监督管理总局峪非

中国国家标准化管理委员会0(..'I(J

GB/T12965-2018

目U昌

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准代替GB/T12965-2005《硅单品tlJ剖片和研磨片》，与GB/T12965-2005相比，｜综编辑性

修改外主要技术内容变化如下：

范围中将“本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子姐变掺杂硅单品经切割、双面研磨制备的同

形硅片”改为“本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法（包括中子姐变掺杂和气相掺杂）制备的直

径不大于200mm的罔形硅单晶切割片和研磨片”（见第1章，2005年版的第1章）；

一一规范性引用文件中删除了GB/T1552、GB/T1554、GB/T12964，增加了GB/T1551、

GB/T6619、GB/T26067、GB/T29507、GB/T32279、GB/T32280、YS/T28（见第2章，2005

年版的第2章）；

－一删除了具体术语内容，改为“GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件”（见第3章，2005

年版的第3章）；

删除了按照硅单晶生长方法进行的分类，增加了“硅片按表面取向分为常用的{100｝、｛111｝、

{110｝三种”（见4.2.2,2005年版的4.1);

一一将“物理性能参数”和“晶体完整性”合并改为“理化性能”（见5.1,2005年版的5.1、5.3);

一一增加了“电学性能气见5.2);

一一修订了50.8mm、125mm、150mm硅片的直径允许偏差，修订了100mm、125mm、150mm

直径切荆片的厚度，修订了150mm和200mm直径硅片的翘曲度要求（见表1,2005年版的

表1);

增加了硅片弯rttJ度的要求（见5.3表1);

－一增加了主参考面直径和l切口尺寸示意罔（见罔1);

一一修订硅片的表面取向为“硅片的表面取向有｛100｝、｛110｝、｛111｝，常用的为｛100｝、｛111｝”（见

5.4.1,2005年版的5.4.1);

一一增加了“未包含的其他品向要求，由供需双方协商确定”（5.4.3);

删除了“硅片是再制作参考面，由用户决定”和“硅片主、副参考面取向及位置应符合表2及

表1的规定”（见2005年版的5.4.3、5.4.4);

一一增加了直径不大于150mm硅片主、副参考面位置的示意罔（见罔2);

一一修订了边缘轮廓的要求（见5.6,2005年版的5.7);

一一删除了硅片每个崩边的周长不大于2mm的规定，经倒角的研磨片对崩边的要求由“ζ

0.3mm”修订为“元”，并将崩边径向延伸尺寸的要求单列为表4（见5.7.1表4,2005年版的

5.6.1);

增加了电阻率、厚度和总厚度变化、翘由度的另一种实盼方法，并明确了仲裁方法（见6.2、6.5、

6.7,2005年版的6.2、6.11、6.12);

一一修订了硅片主参考面直径的测量方法（见6.8,2005年版的6.7);

一一“硅片tlJ口尺寸的测量由供需双方确定”修订为“切口尺寸的测量按GB/T26067的规定进行”

（见6.9,2005年版的6.8);

一一修订了检验项目，改为必检项目和供需双方协商检验的项目（见7.3.1、7.3.2,2005年版的7.3);

删除了破坏性检验项目的取样规定（见2005年版的7.4.2);

增加了订货单（或合同）内容（见第9章）。

I

GB/T12965-2018

8标志、包装、运输、贮存和质量证明书

8.1标志

包装箱外侧应有“小心轻放川防i朝川易碎”等标识，并标明：

a)供方名称；

b)产品名称、牌号；

c)产品数量。

8.2包装

硅片包装按YS/T28的规定执行，或由供需双方协商确定。

8.3运输

产品在运输过程中应轩装轩卸，勿压勿挤，并采取防震防潮措施。

8.4贮存

产品应贮存在清洁、干燥的环境中。

8.5质量证明书

每批产品应有质量证明书，其上注明：

a)供方名称；

b)产品名称及牌号；

c)产品批号；

d)产品片数（盒数）；

c)各项分析检验结果和检验部门的印记；

f)本标准编号；

g)刷厂日期。

9订货单（或合同）内容

本标准所列产品的订货单（或合同）应符合GB/T32279的规定，或由供需双方协商确定。

GB/T12965-2018

本标准由全同半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全同半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

本标准起草单位：有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司、上海合品硅材料有限公司、

浙江金瑞讯科技股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江省硅材料质量检验中心。

本标准主要起草人：孙燕、卢主延、楼春兰、徐新华、张海英、张雪囡、潘金平、文lj卓。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

一一－GB/T12965-1991、GB/T12965-1996、GB/T12965-2005。

II

GB/T12965-2018

硅单晶切割片和研磨片

1范围

本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、

包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。

本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法（包括中子姐变掺杂和气相楼杂）制备的直径不大于200mm

的阿形硅单晶切荆片和研磨片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等，或进一步加下成抛光片。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551硅单晶电阻束测定方法

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T2828.12012计数抽样检验程序第1部分：接接收质量限（AQL)检索的逐批检验抽样

计划

GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6619硅片弯曲度测试方法

GB/T6620硅片翘rttJ度非接触式测试方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T11073硅片径向电阻亘在变化的测量方法

GB/T12962硅单晶

GB/T13387硅及其他电子材料品片参考面长度测量方法

GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

GB/T26067硅片切口尺寸测试方法

GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法

GB/T32279硅片订货单格式输入规范

GB/T32280硅片翘时l度测试向动非接触扫描法

YS/T26硅片边缘轮廓检验方法

YS/T28硅片包装

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

GB/T12965-2018

4牌号及分类

4.1牌号

硅片的牌号表示接GB/T14844的规定进行。

4.2分类

4.2.1硅片按导电类型分为N型、P型两种。

4.2.2硅片按表面取向分为常用的｛100｝、｛111｝、｛110｝三和110

4.2.3硅片按直径分为φ50.8mm、φ76.2mm、φ100mm、φ125mm、φ150mm和φ200mm6种。非

标准直径要求由供需双方协商确定。

5要求

5.1理化性能

硅片的掺杂剂、少数载流子寿命、氧含量