GB/T 32279-2015 硅片订货单格式输入规范

ICS29.045

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圭t

中人民和国国家标准

J，、

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GB/T32279-2015

硅片订货单格式输入规范

Specificationforordere11tryformatofsiliconwafers

2015-12-10发布2017-01-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

GB/'f32279-2015

目lj~

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（$A(:/TC203）和全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会＜SAC/TC203/SC2）共同提山并归口。

小；杯对i：起草单位：万向砖峰电子股份有限公司、浙江省磁材料质量检验巾心、杭州｜悔纳半导体有限

公司、南京国盛电子有限公司、有研新材料股份有限公司、浙江金瑞池科技股份有限公司、江苏协鑫硅材

料科技发展有限公司、中国有也金属工业标准计量质量研究所。

本标准主要起草人．朱兴萍、楼春兰、戴文仇IJ、毛卫中、赵纪平、王飞尧、马林宝、孙燕、李慎重、

林清香、杨紫心、鱼11剑秋。

GB/'f32279-2015

硅片订货单格式输入规范

1范围

功、；标准规定了就片订货单的格式要求和使用。

本标准适用于硅单品研踏片、硅单晶抛光片、硅单品外延片、太阳能电池用硅单，思切j害。片、太阳能电

池用多晶硅片的订货单格式，其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。儿是r·k日期的引阳文件，仅沌日期的版本适川于本文

件。凡是不注日期的＇：！lffl文件．其最新版本刊包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

C~B/T1551硅单晶电阻率由Jj定方法

GB/T1553硅和销体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T1551础晶体先极性化学：择优腐蚀检验方法

GB/T15551生导体单品品向测定方法

G·B/T1557碰晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T4058砖抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

GB!T6618耻片厚度和｜总再度变化测出方法

GB/T6619硅片弯曲度测试方法

GB/T6620磁片翘曲度非接触式测试方法

GB／丁662]硅片表面平整度测试方法

GB/T6624础抛光片表面质量自测检验方法

G·B/'f11073硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/'f12965硅单品切割片和研l蹄片

GB/T13387硅及其他电子材料品片参考面长度削拉方法

GB/TL3388硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T14139硅外延片

GB/T14140磁片直径测量方法

<)B/T14142硅外延层晶体完整性检骑方法腐蚀法

GB/T14141硅晶体中间隙氧食盐径向变化测京方法

GB／丁14264半导体材料术语

GB/T14847重掺杂衬底上轻掺杂桂外延层厚度的红外反射测量方法

GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法

GI1/T24578硅片炭丽金属附河的余反射X光茨）＇（；Jt谱测试ti法

GB/T26068磁片载流子复合寿命的元接触散被反射光电导衰减测试方法

GB/T26071太阳能电池用硅单J~l切割片

GB/T29055太阳电池用多晶硅片

CB/l'32279-2015

GB/T30859太阳能电池用硅片翘由度和披纹度测试方法

GB/T30860太阳能电池用硅片表而相糙度及tJJ荆钱痕测试方法

YS/'f26础片边缘轮廓检验方法

YS/T28硅片包装

3术语和定义

GB/T14264界应的以及下列术语和应义适J+I于本文件。

3.1

激光刻号lasern1arking

利用激光把供方代码或其他信息刻于晶片某一位嚣上，做出标记。

4要求

4.1硅片的物理性能参数、晶体完整性、儿何参数、表面质量、包装、检验方法等要求都应在订货单中

体现。

4.2硅单晶研踏片’订货单格式应符合表1的规定。

表1硅单晶研磨片订货单格式

用户名称

规i也弓

版本号

订货单号

项目规格

特性类型单位方法备注

[]CZ]FZ

牛.1是方法

］其他

[]<100)](lll)[]GB/T1555

品1勾

[]<110)[］其他[］其他

]GB/T1555

品1句俏商l交(.)[］士［]

JJ划也

[]Gf3/’('1550

导电类型[]P[JN

物理[JJtf也

性tm

[]B[JP

参数

掺杂开lj

]Sh]As

]GB/1'1551

也｜也率。·cn1[~]

[］其｛也

[]GB/T11073

径i句电阪率变化%不大于［

[］其他

]GB/T1553

少数载流手哭了2命µ:<不小子［

[]:1引也

一

-

2

GB/'f32279-2015

表1（续〉

规‘.，.II.

川1队’名称

f且’7

订货单号版本号

项目单位规格方法备

特性类型t:E

[]GB/'r1557

钗含兹<tlOm~／cn1＇不大于［

］其他

物则

[]GB／丁14144

性能氧合段径向变化%不大于［

］其他

参数

[]GB/T1558

碳含量atoms/cm3不大于［

］其他

，，，~l,·(4;:]GB/T1.554

位销。密度-1、／c1节2不大~f[

完整YI:[］其他

]GB/T14140

径及允许偏差111111

宦[］土［]

[］其他

[JG脑／＇I、6618

j字度及允许偏差/ll11

］土［

］其他

[]GB/'r6618

总厚度变化/.'!Tl不大于［

］其他

[]GB/1'6619

弯rth度/lnl不大于［

[］其f也

]Gl:l/T6620

翘1111度µn1不大于［

[］其他

几何参数

主参考而氏度／]GB/T13387

1n1n

］土［

切口尺寸

］其他

:t参考u'il位~"J:I]G8/T13388

｛门。j士1•

切I.IJIX向及偏差[］其他

[］土［][]C~B/'I'13387

副参考阎长度n1m

］无

］其他

[］与主参考而成［］工

]GIν＇I'I:3388

部l参与lfllf立盟及

〈。）

偏差[J.:J划也

[];;.\:;

[]R型L]T型[]YS／丁26

边缘轮廓

[］其他[］其他

fjij角片：不大子［][]GB/T12965

边缘JJ)l边min

不｛ill舜i片：不大气「［

］］主｛也

3货币质飞快

[]GB/T12965

无

主理纹／缺口

[］其他

3

CB/l'32279-2015

表1（续〉

规范＼~.

川1、’名称

订货单号版本号

项目

特性类型单位规格方法

备ti:

[JG日／’I'12965

无

色斑／Wi污

］其他

表面JJ.iJf(

[]GB／丁12965

无

划伤171痕

］其他

[］供需双方协商

ti;：母在

[］其他

］供f后双方协尚］

数情

］其．他

[］供需双方协商

装箱单

[］艾．他]YS/T28

包装

[］其他

］供需双方协商

J!fi：！：达证明书

］只：他

[］供能双方协商

内包装

[］其他

[］供w~双方协商

夕i、包装

]:It.ft且

执行标准］阁家标准］行业标准〔］企业怀1ffi[〕其他

其他

注：未列参数内iJ~需双方协商确定。

4.3硅单品抛光片订货单格式庇符合表2的规定．

表2硅单晶抛光片订货单格式

用户名称规范号

订货单号版本号

t~＇性类型琐｜｜i(1t企；规恪)f法4持泼

[]CZ]FZ

生i主方法

］其他

[]<100)[]<111)[]GB/T1555

品1句

物理[]<110)］其他[］其他

性能

[]GB/T1555

参费k(.)

~1.1nJi街均应

］士〔

］）主｛也

[]<_";B/'f1550

导电类型[Jp[]N

］其他

GB/'f32279-2015

表2（续〉

规‘.，.II.

川1队’名称

f且’7

订货单号版本号

项目

单位规格方法备

特性类型t:E

[]B[JP[]Sb

掺杂剂

］八：；[］其他

Jcβ／T155J

也mi彩。·cn1~

[］其他

]GB/T11073

%不大于［

径！句电~~l率变化

[］其他

物丑H]Gl;l/'l、1553

’r1:ti~少数就流子寿命,,,.不小F〔

]Jtf也

参敛

[]GB／丁1557

氧食最atoms/cm忍不大于［

[］其他

[]GB/'f141•14

氧含m径向变化

%不大于［

[］其他

]GB/T1558

E段含litatom:;/cn1'不大于［

J:J削也

]GB/'f1554

个／crn2

位错密度不大子［

晶体[］其他

究~·ti'[]GB/T4.058

个／cm2

氧化说生缺陷不大于［

[］供指双方协商

[]GB/T1111•10

直径JJ..允许偏差n11n[]+[]

[JJ扫也

[JG日／丁6618

~度及允许偏差µm[］士〔]

[］其他

主参考’1f1j＊皮／切[]GB/T13387

11、1n］土［]

nJ~寸[Jj引也

主参考l面位锐／切[J{110l土l[]GB/Tl:J388一

〈。〉

口取向及偏差