GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法
GB/T 26067-2010 Standard test method for dimensions of notches on silicon wafers
基本信息
1.2本标准中物体平面尺寸为0.1mm时,通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像,通过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。
1.3本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。
发布历史
-
2011年01月
研制信息
- 起草单位:
- 有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子股份有限公司
- 起草人:
- 杜娟、孙燕、卢立延、楼春兰
- 出版信息:
- 页数:8页 | 字数:13 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS29.045
H17
a亘
中华人民共和国国家标准
10
26067--20
GB/T
硅片切口尺寸测试方法
testfordimensionsofnotchesonsiliconwafers
Standardmethod
201
1-0卜10发布
宰瞀髁鬻瓣警糌瞥翼发布中国国家标准化管理委员会仪1”
1
26067--200
GB/T
刖罱
203/SC2)归口。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子股份有限公司。
本标准主要起草人:杜娟、孙燕、卢立延、楼春兰。
I
26067--2010
GB/T
硅片切口尺寸测试方法
1范围
1.1本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的
测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。
1.2本标准中物体平面尺寸为0.1mm时,通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像,通
过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。
1.3本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T
GB/T14264半导体材料术语
3术语和定义
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。
4方法概述
4.1本方法是利用一系列轮廓模板在显示屏上的投影与载物台上的待测硅片的切口投影相比较,从而
得到待测硅片的切口是否满足规定要求。
4.2使硅片切口边缘的投影与定位硅片位置的定位销投影相切。此时,切口底部的投影应位于或者低
于切口和深度模板的一条已设定基准线,并且硅片边缘的投影位于或高于轮廓板上的另外一条基准线。
4.3重新定位硅片,使硅片的边缘和轮廓模板中“硅片外围线”重合,此时切口底部的投影应在轮廓模
板上切口最深线和切口最浅线之间。
4.4切口边
定制服务
推荐标准
- DL/T 2181-2020 高压费控装置通用技术条件 2020-10-23
- DL/T 2172-2020 火力发电厂节能指标分析体系 2020-10-23
- DL/T 2176-2020 变电站自动化设备远程运行维护技术规范 2020-10-23
- DL/T 2175-2020 港口岸电系统技术条件 综合管理系统 2020-10-23
- DL/T 2180-2020 配电网同期线损测量装置通用技术条件 2020-10-23
- DL/T 2174-2020 电力安全工器具移动检测平台 2020-10-23
- DL/T 2173-2020 ±1100kV支柱复合绝缘子使用技术条件 2020-10-23
- DL/T 2178-2020 配电自动化终端试验装置技术条件 2020-10-23
- DL/T 2182-2020 直流互感器用合并单元通用技术条件 2020-10-23
- DL/T 2177-2020 厂站监控系统图形界面规范 2020-10-23